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        電磁場中兩個(gè)重要定理的對(duì)比研究

        2018-06-28 09:04:56,
        關(guān)鍵詞:磁場

        ,

        (佳木斯大學(xué),黑龍江 佳木斯 154007)

        0 引 言

        電磁學(xué)屬于經(jīng)典物理學(xué)的一部分,在廣泛介紹電磁現(xiàn)象的基礎(chǔ)上,更著重于基本規(guī)律的闡述,主要是研究電荷、電流產(chǎn)生的電場和磁場的基本規(guī)律,電磁場對(duì)電荷和電流的作用。深入到材料內(nèi)部,物質(zhì)的電子結(jié)構(gòu)是物質(zhì)的基本組成形式,任何的實(shí)物材料都是由分子或者原子組成,原子是由帶正電的原子核和帶負(fù)電的電子組成,電磁作用是物質(zhì)的基本作用之一,麥克斯韋通過麥?zhǔn)系姆匠探M給出了很好的解決電磁問題的方法,這個(gè)方程組的核心就是高斯定理和安培環(huán)路定理。

        1 定理的證明對(duì)比

        以電場中的高斯定理和磁場中的安培環(huán)路定理為例。

        圖1 高斯定理證明圖解

        高斯定理在電場中的表達(dá)式是:

        (1)

        它表明:通過任意閉合曲面的電通量等于該面所包圍的所有電荷電量的代數(shù)和除以ε0。

        磁場中的安培環(huán)路定理的表達(dá)式是:

        (2)

        它表明:磁感應(yīng)強(qiáng)度沿任何閉合環(huán)路的線積分等于穿過這個(gè)環(huán)路所有電流強(qiáng)度的代數(shù)和的μ0倍。

        通過兩個(gè)定理的表述可以看出高斯定理是面積分,左側(cè)積分?jǐn)?shù)值與面內(nèi)包圍的電荷電量代數(shù)和有關(guān),安培環(huán)路定理是線積分,左側(cè)積分?jǐn)?shù)值與線積分路徑包圍的電流強(qiáng)度代數(shù)和有關(guān),也就是二者都與積分路徑所包圍量的代數(shù)和有關(guān),從數(shù)學(xué)表達(dá)式上二者也具有相似性。在證明方法上二者都可以采用由簡單個(gè)例到一般的證明方法,比如電場中高斯定理首先選取特例球面,并且只有一個(gè)點(diǎn)電荷在球心,相對(duì)而言,磁場中的安培環(huán)路定理選取圓環(huán)并且包圍電流強(qiáng)度為I的一條導(dǎo)線;其次,高斯定理再將球面半徑擴(kuò)展到任意半徑直至電荷不再位于球心,最后到任意閉合曲面,只要包圍點(diǎn)電荷即可,安培環(huán)路定理則也是由圓環(huán)變?yōu)橹灰鼑鷮?dǎo)線的任意閉合曲線即可;通過都熟知的疊加原理,當(dāng)有N個(gè)點(diǎn)電荷或有N條帶電導(dǎo)線時(shí)采用代數(shù)和疊加的原理得到一般性的結(jié)論,同時(shí)采用了相似的方法證明了點(diǎn)電荷或帶電導(dǎo)線位于閉合曲面和閉合環(huán)路外對(duì)于積分無貢獻(xiàn)的思想,由此證畢,如圖1和圖2所示為定理證明圖解。

        圖2 安培環(huán)路定理證明圖解

        2 定理的應(yīng)用對(duì)比

        無論是高斯定理還是安培環(huán)路定理它的應(yīng)用都具有普遍性,但在具體使用過程中會(huì)去尋找簡單便捷的方法,這就是在電磁學(xué)中常常提到的對(duì)稱性的問題,這里以均勻帶正電的無限長細(xì)棒的場強(qiáng)和無限長圓柱形帶電直導(dǎo)線磁場分布為例,兩者都是屬于圓柱體,電場和磁場的分布都具有對(duì)稱性,電場即在任何垂直于棒的的平面內(nèi)的同心圓周上場強(qiáng)大小都相同,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小只與場點(diǎn)到軸線的垂直距離有關(guān),這樣電場強(qiáng)度的求解只要選取分別在圓柱內(nèi)外的同軸柱面,磁場強(qiáng)度的求解選取圓心在軸線上并與軸線垂直的圓環(huán)形回路,應(yīng)用定理找到閉合圓柱面包圍的電荷的電量代數(shù)和和圓形回路包圍的電流強(qiáng)度的代數(shù)和即可求解。二者的相似之處就是都選取了具有對(duì)稱性的包圍曲面或曲線將要求解的問題包括在其中,使問題的求解變得簡單易懂。但這里有一點(diǎn)要注意應(yīng)用兩個(gè)定理時(shí)左側(cè)的積分在展開的過程中要注意矢量間的夾角。

        3 結(jié) 語

        高斯定理和安培環(huán)路定理在數(shù)學(xué)形式表達(dá)上具有相似性,一個(gè)是面積分,一個(gè)是線積分;定理的右側(cè)都是曲面或曲線包圍的簡單易于尋找的物理量電荷和電流強(qiáng)度,也就是說通過對(duì)稱性的分析,我們很快就能找到問題的切入點(diǎn),進(jìn)而快速解決問題;在定理的證明上采用了由簡單個(gè)例到一般形式的推導(dǎo),證明過程簡單易懂,用通俗的語言解釋了內(nèi)容含義深?yuàn)W的定理,帶來方便的同時(shí),也增加了對(duì)定理定律的進(jìn)一步了解。

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