張旭彬， 張 逸， 張孔林， 李為明， 郭慶波， 李儉華

(1. 福州大學(xué)電氣工程與自動化學(xué)院， 福建 福州 350108；2. 國網(wǎng)福建檢修公司， 福建 福州 350013；3. 上海合凱電氣科技有限公司， 安徽 合肥 231131)

1 引言

對于快速發(fā)展的高端制造業(yè)，一方面其是帶動國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵，另一方面也意味著其生產(chǎn)對電能質(zhì)量的要求越來越高。高端制造業(yè)的各種工業(yè)過程存在著大量電壓敏感性負(fù)荷，如交流接觸器、變頻器等，使電壓暫降成為了最嚴(yán)重的電能質(zhì)量問題[1-4]。歐美的統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明，高達(dá)80%以上的關(guān)于電能質(zhì)量問題的用戶投訴起因是電壓暫降[5]。電壓暫降給電力用戶帶來了極大的經(jīng)濟(jì)損失，歐盟萊昂納多電能質(zhì)量工作組2005～2006年的調(diào)查結(jié)果表明，歐盟25個成員國因電壓暫降和供電中斷引起的年經(jīng)濟(jì)損失高達(dá)930億歐元[6]。對電壓暫降造成的損失進(jìn)行有效、準(zhǔn)確的評估是用戶解決電壓暫降問題的重要依據(jù)，具有重要的理論價值和工程意義，已成為電能質(zhì)量行業(yè)研究的熱點(diǎn)問題之一。

國內(nèi)外已有科研團(tuán)隊對電壓暫降的損失評估進(jìn)行了研究。早期國外文獻(xiàn)[7，8]在負(fù)荷耐受度的基礎(chǔ)上，考慮了電壓暫降在不確定性區(qū)域的概率問題，提出一種二元概率分布函數(shù)的經(jīng)濟(jì)損失評估方法。文獻(xiàn)[9]結(jié)合敏感負(fù)荷暫降耐受度的不確定性區(qū)域，提出了利用負(fù)荷故障率矩陣、電壓暫降頻次矩陣和電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失矩陣來進(jìn)行評估，但未考慮實(shí)際生產(chǎn)過程中設(shè)備的連接方式。國家標(biāo)準(zhǔn)[10]規(guī)范了電能質(zhì)量問題引起的電力用戶經(jīng)濟(jì)損失及治理的經(jīng)濟(jì)性評估方法，然而該評估方法適用于電壓暫降影響已經(jīng)發(fā)生，用戶已經(jīng)收集到大量原始數(shù)據(jù)的情況，對新投建生產(chǎn)線的預(yù)評估并不適用。傳統(tǒng)的評估方法一般利用電壓暫降標(biāo)準(zhǔn)曲線(如SEMI F47、CBEMA)來確定設(shè)備的耐受度，利用電壓暫降特征量來估算生產(chǎn)過程故障率，但實(shí)際生產(chǎn)過程中，工業(yè)電力用戶更關(guān)注設(shè)備的過程參數(shù)(溫度、壓力、速度等)是否符合工藝要求[11]。CIGRE/CIRED/UIE C4.110工作組于2010年提出了過程免疫時間(Process Immunity Time，PIT)的概念[12]，通過PIT，可以建立生產(chǎn)過程中電壓暫降與過程參數(shù)之間的聯(lián)系，并掌握各類設(shè)備的臨界耐受度。文獻(xiàn)[13]將PIT應(yīng)用于光學(xué)精密器件溫控過程受電壓暫降影響的經(jīng)濟(jì)損失評估中，結(jié)合設(shè)備耐受度的不確定性提出參數(shù)越限嚴(yán)重性指標(biāo)來進(jìn)行經(jīng)濟(jì)損失評估。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高端制造業(yè)中十分重要的分支，一方面，由于生產(chǎn)設(shè)備和工藝流程的特殊性，半導(dǎo)體的生產(chǎn)過程對電壓暫降極度敏感，目前還未有針對其生產(chǎn)過程的評估方法；另一方面，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，越來越多的新企業(yè)新廠區(qū)運(yùn)營投建，對于新的生產(chǎn)線，一種便捷、實(shí)用的電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失預(yù)評估方法尤為重要，這是企業(yè)制定生產(chǎn)計劃、選擇治理方案、確定投資比例的重要依據(jù)。目前國內(nèi)外對半導(dǎo)體企業(yè)電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失預(yù)評估的研究還較少。本文將PIT應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，通過分析半導(dǎo)體生產(chǎn)過程關(guān)鍵設(shè)備的邏輯連接關(guān)系和測試設(shè)備過程免疫時間找出薄弱環(huán)節(jié)，結(jié)合歷史電壓暫降監(jiān)測數(shù)據(jù)來對新建生產(chǎn)線的電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失進(jìn)行預(yù)評估。最后，實(shí)例驗證該方法結(jié)果有效，符合工程實(shí)際。

2 基于PIT的電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失預(yù)評估方法

半導(dǎo)體生產(chǎn)過程包括大量的敏感負(fù)荷及連鎖工藝，具有多物理參數(shù)和多關(guān)聯(lián)性的特點(diǎn)，單一地從電壓暫降幅值、持續(xù)時間、相位跳變等電氣特性出發(fā)難以刻畫生產(chǎn)過程的電壓暫降綜合耐受度。PIT從過程參數(shù)的角度，綜合考慮了單一負(fù)荷電壓暫降耐受度和負(fù)荷之間的邏輯連接關(guān)系，可以直觀地體現(xiàn)電壓暫降事件對于生產(chǎn)過程的影響程度及其耐受度。因此，本文采用PIT對半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)行電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失預(yù)評估，其流程如圖1所示。步驟如下：①分析半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中各工藝流程之間的順序和廠務(wù)系統(tǒng)的作用，確定關(guān)鍵設(shè)備的邏輯連接方式，生成生產(chǎn)過程故障樹模型；②通過實(shí)測獲得關(guān)鍵設(shè)備的PIT并結(jié)合故障樹推算生產(chǎn)過程的綜合PIT，繪制其綜合PIT曲線；③由供電公司監(jiān)測系統(tǒng)或用戶調(diào)研獲得上一年度電壓暫降數(shù)據(jù)，在電網(wǎng)結(jié)構(gòu)等外部條件變化較小的背景下，可將該數(shù)據(jù)近似作為新建用戶未來一年可能遭遇的電壓暫降事件，結(jié)合綜合PIT曲線和歷史電壓暫降監(jiān)測數(shù)據(jù)預(yù)測生產(chǎn)過程中斷(Production Process Trips，PPT)次數(shù)；④得到單次生產(chǎn)中斷損失成本；⑤根據(jù)PPT和單次生產(chǎn)中斷經(jīng)濟(jì)損失預(yù)估用戶的總經(jīng)濟(jì)損失額。

圖1 電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失預(yù)評估流程圖Fig.1 Flow chart of economic losses assessment due to voltage sags

3 半導(dǎo)體生產(chǎn)過程分解

3.1 工藝流程

半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)主要有顯示面板制造、集成電路、芯片制造、光電子等。薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)憑借其對比度高、響應(yīng)快速、層次感強(qiáng)等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于移動終端、車載顯示、工業(yè)儀表、辦公顯示等行業(yè)，在液晶屏市場中占有非常大的空間。本文分析TFT-LCD生產(chǎn)中容易受電壓暫降影響的主要生產(chǎn)步驟和關(guān)鍵敏感設(shè)備，并提出其經(jīng)濟(jì)損失評估方法。

TFT-LCD的生產(chǎn)過程設(shè)備精密、工序繁多，主要可概括為四個子工藝：薄膜晶體管陣列工藝(Array)、彩膜工藝(Color Filter，CF)、成盒工藝(Cell)和模組工藝(Module)，如圖2所示。其中，Array工藝負(fù)責(zé)將上玻璃基板制成控制液晶顯示的TFT基板，敏感設(shè)備主要有物理和化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Physical & Chemical Vapor Deposition，PVD & CVD)、準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備(Excimer Laser Annealing，ELA)、離子注入&快速熱退火設(shè)備(Ion Implantation Doping & Rapid Thermal Anneal，IMP & RTA)、刻蝕機(jī)(Dry & Wet ETching，DET & WET)；CF工藝負(fù)責(zé)將下玻璃基板制成彩色濾光膜層，形成彩色和灰階，敏感設(shè)備主要有曝光機(jī)(Exposure Machine，EM)、顯影機(jī)(Developer Machine，DM)；Cell工藝將TFT基板與CF基板貼合，灌入液晶，形成液晶盒，生成液晶屏的主要部分，敏感設(shè)備有液晶滴下注入裝置；而Module工藝是將液晶屏貼上集成芯片和外圍工件，并組裝上背光源，形成LCD屏幕模塊[14]。

3.2 廠務(wù)系統(tǒng)

與一般的機(jī)械加工不同，TFT-LCD工藝流程對物理環(huán)境要求極為嚴(yán)格，所有設(shè)備或者生產(chǎn)工序、子工藝都對物理環(huán)境(如氣壓、溫度、水的純凈度等)有較高要求，比如TFT基板的制作，其設(shè)備都必須要安置于潔凈度達(dá)到一定等級的潔凈室中，這些物理環(huán)境參數(shù)均由廠務(wù)系統(tǒng)保證。廠務(wù)系統(tǒng)主要包括水系統(tǒng)和氣體系統(tǒng)，其中水系統(tǒng)包括工藝?yán)鋮s水(Process Cooling Water，PCW)、超純水(Ultra-Pure Water，UPW)、回收水(Recovered Water，RW)等，氣體系統(tǒng)包括壓縮空氣(Compressed Dry Air，CDA)、一般氮?dú)?General Nitrogen，GN2)、真空系統(tǒng)等。

經(jīng)過調(diào)研分析發(fā)現(xiàn)，相當(dāng)一部分事故起因是廠務(wù)系統(tǒng)受到電壓暫降影響宕機(jī)所致，且其造成的后果往往比工藝設(shè)備直接受到電壓暫降影響更嚴(yán)重。比如，排氣系統(tǒng)的排氣泵由變頻器拖動，當(dāng)發(fā)生電壓暫降，變頻器跳閘，隨即排氣風(fēng)機(jī)停機(jī)，潔凈室氣體指標(biāo)發(fā)生變化，導(dǎo)致半導(dǎo)體工藝連鎖跳車，TFT制作過程中斷，生產(chǎn)線產(chǎn)品報廢，造成巨大經(jīng)濟(jì)損失。

3.3 生產(chǎn)過程中斷故障樹

本文采用故障樹分析法[15]來表征TFT-LCD生產(chǎn)中各關(guān)鍵設(shè)備及子過程的邏輯關(guān)系。故障樹分析法利用與或邏輯圖確定子過程之間的連接關(guān)系，各生產(chǎn)過程中設(shè)備及子過程典型的連接方式有與和或兩種關(guān)系，“與門”關(guān)系下的子過程相互備用，只有全部子過程都中斷，上一級過程才會中斷；而“或門”關(guān)系下的子過程相互獨(dú)立，任何一個子過程中斷都會導(dǎo)致上一級過程的中斷，如圖3所示。

圖3 與或關(guān)系Fig.3 And/or logic

結(jié)合3.1節(jié)、3.2節(jié)分析和調(diào)研結(jié)果可確定TFT-LCD生產(chǎn)過程的中斷故障樹，如圖4所示。其中Array和CF工藝下的設(shè)備屬于3級或門，各個設(shè)備相互獨(dú)立，如EM或者DM任一設(shè)備的宕機(jī)都會導(dǎo)致CF工藝的中斷，Array工藝同理；而Array工藝、CF工藝及液晶滴下注入裝置位于Cell工藝下的2級或門；Cell工藝和PCW、CDA、GN2廠務(wù)系統(tǒng)同屬1級或門，四個子過程故障與否都直接影響TFT-LCD生產(chǎn)過程的中斷情況。

圖4 TFT-LCD生產(chǎn)過程故障樹分析Fig.4 Fault tree model of TFT-LCD process

由圖4可知，TFT-LCD生產(chǎn)的三級連接關(guān)系均為或門，任一設(shè)備或子過程的故障都會導(dǎo)致上一級工藝的中斷。而且某些敏感設(shè)備一旦宕機(jī)，由于其過程參數(shù)恢復(fù)緩慢和廢料處理、重啟檢查以及設(shè)備調(diào)試等原因，需要3～4天的時間才能回到正常工作的狀態(tài)，這也正是TFT-LCD生產(chǎn)極易受電壓暫降影響且損失嚴(yán)重的原因。

4 生產(chǎn)過程綜合PIT

4.1 過程免疫時間

過程免疫時間的定義為：生產(chǎn)過程在經(jīng)受一定程度的電壓暫降后，其過程參數(shù)超過允許限制值的時間[12]，如圖5所示。過程參數(shù)指受生產(chǎn)過程中各子過程設(shè)備影響整個過程狀態(tài)的物理指標(biāo)，包括溫度、壓力、速度等。圖5中，Pnom為過程參數(shù)額定值；Plimit為過程參數(shù)臨界值；t1、Δt和t2分別為電壓暫降發(fā)生時刻、過程參數(shù)響應(yīng)延時以及超過臨界值的時刻。PIT的定義為：

PIT=t2-t1

(1)

圖5 過程免疫時間曲線Fig.5 Curve of PIT

對于給定的生產(chǎn)過程，可以確定其過程參數(shù)的額定值及臨界值。當(dāng)暫降時間t<Δt，生產(chǎn)過程正常；當(dāng)ΔtPIT，生產(chǎn)過程中斷。PIT越大，生產(chǎn)過程抵抗電壓暫降的能力越強(qiáng)，免疫力越強(qiáng)。

通過調(diào)研和實(shí)測，確定某TFT-LCD生產(chǎn)過程在殘余電壓為0.7pu時的關(guān)鍵設(shè)備及PIT值，如表1所示。

表1 某TFT-LCD生產(chǎn)過程關(guān)鍵設(shè)備及其PIT值Tab.1 Key equipments and PITs of TFT-LCD production process

4.2 綜合PIT

由設(shè)備的邏輯關(guān)系及各自PIT可知，某一生產(chǎn)子過程所包含設(shè)備的連接方式為“與”時，其綜合PIT可由式(2)得到：

PITP=max(PIT1,PIT2,…，PITm)

(2)

式中，PITp為綜合PIT；PITk(k=1,2,…,m)為各設(shè)備的過程免疫時間。

當(dāng)設(shè)備通過“或”相連，其綜合PIT為：

PITP=min(PIT1,PIT2,…，PITn)

(3)

則對于任意具有m個與關(guān)系和n個或關(guān)系的生產(chǎn)過程，其綜合PIT可由式(4)得到：

PIT總=min[PIT1,…，PITn,max(PIT1,…，PITm)]

(4)

通過對TFT-LCD生產(chǎn)過程的分解和關(guān)鍵設(shè)備PIT的測量，可找出其生產(chǎn)過程中薄弱的環(huán)節(jié)，為電壓暫降的治理提供依據(jù)。

由式(4)可得，表1實(shí)例的PIT總=83ms。

通過實(shí)測，可得到不同暫降深度下關(guān)鍵設(shè)備的PIT，進(jìn)一步可確定不同暫降深度的綜合PIT值，繪制其散點(diǎn)圖，即獲得生產(chǎn)過程綜合PIT曲線。

5 生產(chǎn)中斷次數(shù)與單次中斷經(jīng)濟(jì)損失

5.1 生產(chǎn)中斷次數(shù)

獲得生產(chǎn)過程綜合PIT曲線后，可認(rèn)為發(fā)生在綜合PIT曲線下方的暫降不會引起生產(chǎn)中斷，而發(fā)生在曲線上方的暫降則會導(dǎo)致生產(chǎn)中斷。本文方法利用新建生產(chǎn)線所接電網(wǎng)前一年度電壓暫降監(jiān)測數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)測，假設(shè)隨后年度電壓暫降發(fā)生情況與其相同，將此數(shù)據(jù)與綜合PIT曲線進(jìn)行對比，統(tǒng)計其在曲線上方的次數(shù)，得到生產(chǎn)中斷次數(shù)預(yù)測值。

5.2 單次生產(chǎn)中斷損失成本

電壓暫降會造成嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失，但不同行業(yè)、不同工藝所承受的損失構(gòu)成和計算部分不同。結(jié)合國家標(biāo)準(zhǔn)[10]和現(xiàn)場調(diào)研情況可知，半導(dǎo)體行業(yè)電壓暫降造成的經(jīng)濟(jì)損失主要包括兩部分：直接經(jīng)濟(jì)損失和間接經(jīng)濟(jì)損失。對于現(xiàn)有企業(yè)擴(kuò)建的生產(chǎn)線，其單次生產(chǎn)中斷損失成本可結(jié)合現(xiàn)有生產(chǎn)線實(shí)際統(tǒng)計獲得；對于新企業(yè)投建的生產(chǎn)線可參考本文方法結(jié)合其生產(chǎn)計劃估算得到。

5.2.1 直接經(jīng)濟(jì)損失

直接經(jīng)濟(jì)損失是因電壓暫降對生產(chǎn)活動造成的人員、設(shè)備、財產(chǎn)的損失以及產(chǎn)出為廢品的成本支出，包括以下幾種損失：

(1)廢品損失C1：由于電壓暫降而造成產(chǎn)品質(zhì)量不符合規(guī)定的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)而報廢的損失。

(2)停工損失C2：電壓暫降造成生產(chǎn)過程中斷后引起從事生產(chǎn)活動的人員停工損失。

(3)重啟動成本C3：生產(chǎn)過程遭受電壓暫降而中斷，為達(dá)到重新啟動生產(chǎn)的條件，需要額外投入的時間、人力和物力。

(4)設(shè)備成本C4：設(shè)備遭受電壓暫降停止運(yùn)行或非正常運(yùn)行而對其本身造成的損失。

所以，電壓暫降直接經(jīng)濟(jì)損失Cd為：

Cd=C1+C2+C3+C4

(5)

5.2.2 間接經(jīng)濟(jì)損失

間接經(jīng)濟(jì)損失統(tǒng)計因電壓暫降問題使得按生產(chǎn)計劃本應(yīng)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品數(shù)量減少或產(chǎn)生次品，從而造成的利潤減少，包括兩部分：

(1)減產(chǎn)的利潤損失C5為：

C5=(減產(chǎn)數(shù)量-次品數(shù)量)×單個產(chǎn)品利潤

(6)

(2)次品造成的損失C6為：

C6=次品數(shù)量×(合格品單位利潤-

次品單位利潤)

(7)

所以，電壓暫降間接經(jīng)濟(jì)損失Ci為：

Ci=C5+C6

(8)

5.3 電壓暫降經(jīng)濟(jì)總損失

由式(5)、式(8)可得，單次電壓暫降導(dǎo)致生產(chǎn)過程中斷的損失C可表示為：

C=Cd+Ci

(9)

綜上，用戶受電壓暫降影響的總損失C總為：

C總=NC

(10)

式中，N為統(tǒng)計時段(例如一年)內(nèi)PPT的預(yù)測值。

6 實(shí)例分析

為了驗證所提方法的可行性，將其應(yīng)用于某大型TFT-LCD制造企業(yè)(最高電壓等級：110kV，主變壓器容量：2×63MV·A，日用電量：2.5×106kW·h)生產(chǎn)過程電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失評估中，并將評估結(jié)果與企業(yè)實(shí)測統(tǒng)計結(jié)果(如表2所示)進(jìn)行對比分析。

評估過程如下：

(1)分析得到生產(chǎn)過程中斷故障樹，如圖4所示。

(2)經(jīng)調(diào)研實(shí)測得到不同電壓暫降深度下關(guān)鍵設(shè)備的PIT，結(jié)合圖4，得到生產(chǎn)過程的綜合PIT，如表3所示。然后，繪制綜合PIT曲線圖，如圖6所示。

(3)預(yù)測PPT。供電公司提供的上一年度電壓暫降監(jiān)測數(shù)據(jù)如表2所示，統(tǒng)計此組數(shù)據(jù)在圖6綜合PIT曲線上下方的次數(shù)，如圖7所示。

(4)結(jié)合調(diào)研情況，根據(jù)式(5)～式(9)估算單次生產(chǎn)中斷損失值大約為546萬元，具體如表4所示。

表2 實(shí)際生產(chǎn)中斷次數(shù)及損失值Tab.2 Actual PPT and economic losses

表3 某TFT-LCD生產(chǎn)過程綜合PIT值Tab.3 Comprehensive PITs of TFT-LCD production process

圖6 某TFT-LCD生產(chǎn)過程綜合PIT曲線Fig.6 Curve of comprehensive PIT of TFT-LCD production process

圖7 某TFT-LCD生產(chǎn)中斷次數(shù)預(yù)測值Fig.7 PPT prediction of TFT-LCD production process

表4 單次生產(chǎn)中斷損失成本Tab.4 Economic losses for single process trip

(5)由圖7可得，發(fā)生在綜合PIT曲線上方的電壓暫降有9次(上一年度發(fā)生電壓暫降共16次)，即N=9，由式(10)預(yù)估總經(jīng)濟(jì)損失值為：9×546=4914萬元。

將評估結(jié)果與實(shí)際生產(chǎn)中斷次數(shù)和經(jīng)濟(jì)損失進(jìn)行對比分析可知：

(1)該方法預(yù)測共有9次電壓暫降會導(dǎo)致生產(chǎn)過程中斷，7次不會導(dǎo)致生產(chǎn)過程中斷，與企業(yè)實(shí)際統(tǒng)計對比發(fā)現(xiàn)，在綜合PIT曲線邊緣處有2次理論預(yù)測和實(shí)際結(jié)果不一致，即PPT誤差次數(shù)為2，誤差來自PIT測試時系統(tǒng)誤差、隨機(jī)誤差等因素。

(2)經(jīng)濟(jì)損失預(yù)測比實(shí)際大16.14%，這是由于本文方法為預(yù)評估方法，因此在進(jìn)行PIT測試時將設(shè)備完全中斷的最嚴(yán)重情況作為考慮情景。

以上結(jié)果說明該方法的誤差在工程上可以接受，具有可行性。

7 結(jié)論

本文以TFT-LCD生產(chǎn)為例，分析得到的故障樹模型適用于目前主流液晶屏的生產(chǎn)過程，某大型企業(yè)實(shí)測數(shù)據(jù)驗證了該方法的可行性。本文方法可為企業(yè)設(shè)計生產(chǎn)流程、制定供電方案、選擇暫降治理方案提供有效指導(dǎo)意見；同時，本文方法原理清晰，計算簡便，易于掌握，具備工程實(shí)用價值。

本文側(cè)重分析了TFT-LCD生產(chǎn)過程中關(guān)鍵設(shè)備和廠務(wù)系統(tǒng)的邏輯連接關(guān)系，而芯片制造、光電子等其他半導(dǎo)體行業(yè)的工藝流程和廠務(wù)系統(tǒng)各不相同，未來需要確定不同生產(chǎn)過程的故障樹，有針對性地進(jìn)行經(jīng)濟(jì)損失評估和電壓暫降治理。

參考文獻(xiàn)(References)：

[1] 章雪萌(Zhang Xuemeng).電壓暫降源的定位與暫降經(jīng)濟(jì)性研究(Study on the source location and economy of voltage sag) [D]. 北京: 華北電力大學(xué) (Beijing: North China Electric Power University), 2010.

[2] 劉旭娜，肖先勇，汪穎(Liu Xuna, Xiao Xianyong, Wang Ying).電壓暫降嚴(yán)重程度及其測度、不確定性評估方法(Voltage sag severity and its measure and uncertainty evaluation) [J]. 中國電機(jī)工程學(xué)報(Proceedings of the CSEE)，2014， 34(4)：644-658.

[3] 劉勃江，李華強(qiáng)，肖先勇，等(Liu Bojiang, Li Huaqiang, Xiao Xianyong, et al.).敏感設(shè)備電壓暫降故障水平的風(fēng)險評估(Risk assessment for failure level of sensitive equipment caused by voltage sag) [J].電力系統(tǒng)及其自動化學(xué)報(Proceedings of the CSU-EPSA)，2016，28(3)：87-92.

[4] 唐琳，肖先勇，張逸，等(Tang Lin，Xiao Xianyong，Zhang Yi，et al.). 電壓暫降狀態(tài)和水平評估模式匹配法與監(jiān)測裝置多目標(biāo)優(yōu)化配置(Voltage sag state and level assessment based on pattern matching method and multi-objective optimal monitors allocation) [J]. 中國電機(jī)工程學(xué)報(Proceedings of the CSEE)，2015，35(13)：3264-3271.

[5] 周林，吳紅春，孟婧，等(Zhou Lin，Wu Hongchun，Meng Jing，et al.).電壓暫降分析方法研究(Study of the voltage sag analysis methods) [J]. 高電壓技術(shù)(High Voltage Engineering)，2008，34(5)：1010-1016.

[6] Targosz R, Manson J. Pan-European LPQI power quality survey [A]. 9th International Conference on Electrical Power Quality and Utilisation [C]. 2007. 1-6.

[7] Milanovic J V, Gupta C P. Probabilistic assessment of financial losses due to interruptions and voltage sags - Part I: The methodology [J]. IEEE Transactions on Power Delivery, 2006, 21(2):918-924.

[8] Milanovic J V, Gupta C P. Probabilistic assessment of financial losses due to interruptions and voltage sags - Part II: Practical implementation [J]. IEEE Transactions on Power Delivery, 2006, 21(2):925-932.

[9] 丁澤俊，陳波，雷金勇，等(Ding Zejun，Chen Bo，Lei Jinyong，et al.).電壓暫降的經(jīng)濟(jì)損失評估(Economic loss assessment of voltage sag) [J]. 現(xiàn)代電力(Modern Electric Power)，2011，28(5)：90-94.

[10] GB/Z 32880.1-2016，電能質(zhì)量經(jīng)濟(jì)性評估 - 第1部分：電力用戶的經(jīng)濟(jì)性評估方法(Ecomomic evaluation of power quality - Part 1: Economic evaluation method for the end-users) [S].

[11] 劉陽，肖先勇，劉旭娜，等(Liu Yang，Xiao Xianyong，Liu Xuna，et al.). 考慮用戶定量需求的優(yōu)質(zhì)電力園區(qū)DVR優(yōu)化配置(Optimal configuration of DVR in premium power park considering customers’ quantitative demand) [J].電網(wǎng)技術(shù)(Power System Technology)，2015，39(3)：823-828.

[12] CIGRE/CIRED/UIE Joint Working Group C4.110. Voltage dip immunity of equipment and installations [R]. Paris, France：CIGRE, 2010.

[13] 李春海，李華強(qiáng)，劉勃江(Li Chunhai，Li Huaqiang，Liu Bojiang). 基于過程免疫不確定性的工業(yè)用戶電壓暫降經(jīng)濟(jì)損失風(fēng)險評估(Risk assessment based on process immunity uncertainty for industrial customers’ financial losses due to voltage sags) [J]. 電力自動化設(shè)備(Electric Power Automation Equipment)，2016， 36(12)：136-142.

[14] 陳程(Chen Cheng). 液晶屏成盒后電測與亮點(diǎn)檢出機(jī)理研究(Research on voltage test and highlight after cell process of TFT-LCD) [D].上海：復(fù)旦大學(xué)(Shanghai: Fudan University), 2011.

[15] Yasir M, Kazemi S, Lehtonen M, et al. A novel approach for assessing the impacts of voltage sag events on customer operations [A]. IEEE Electric Power Quality and Supply Reliability Conference[C]. 2012. 1-5.