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        基于ATE的ADSP測(cè)試

        2018-06-25 12:40:18武乾文奚留華張凱虹
        電子與封裝 2018年6期
        關(guān)鍵詞:信號(hào)系統(tǒng)

        武乾文,奚留華,張凱虹

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,江蘇無錫 214035)

        1 引言

        ADSP就是高級(jí)信號(hào)處理器[1-2]。美國(guó)模擬器件公司 (ADI)繼ADSP-TS101后在2003年推出新一代Tiger-SHARC處理器ADSP-TS201。此處理器片內(nèi)集成更大容量的存儲(chǔ)器,性價(jià)比高,兼有ASIC、FPGA的信號(hào)處理性能以及指令集處理器的可編程性和靈活性,適用于性能要求高、存儲(chǔ)量大的信號(hào)處理以及圖像應(yīng)用,如雷達(dá)與聲納、無線基站、圖像處理以及工業(yè)儀器等領(lǐng)域。

        ADSP的應(yīng)用廣泛,其在生產(chǎn)、應(yīng)用等各個(gè)階段都要進(jìn)行測(cè)試以確保產(chǎn)品質(zhì)量以及研制出符合系統(tǒng)要求的電路,尤其應(yīng)用于軍工設(shè)備的ADSP,為控制質(zhì)量,保障裝備可靠性,集成電路檢測(cè)、篩選至關(guān)重要[3-6]。但ADSP屬于大規(guī)模集成電路,其內(nèi)部集成度高、模塊復(fù)雜,外部引腳數(shù)量大,其功能測(cè)試具有一定的難度。

        2 測(cè)試儀器和電路

        G150測(cè)試機(jī)具有精度高、操作方便等特點(diǎn),適于對(duì)ADSP-TS201S電路的測(cè)試。該系統(tǒng)測(cè)試頻率30 MHz,測(cè)試通道數(shù)達(dá)512個(gè),測(cè)試向量深度可達(dá)1M。

        3 功能測(cè)試

        3.1 ADSP功能原理

        TS201在TS101結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做了進(jìn)一步改進(jìn)。其改進(jìn)結(jié)構(gòu)如圖1所示,TS201S可分成DSP核以及I/O接口,通過4條總線傳輸數(shù)據(jù)、地址及控制信號(hào)。

        DSP包含程序控制器、地址產(chǎn)生器及雙運(yùn)算模塊。程序控制器能提供可中斷的編程模式,可以支持匯編語(yǔ)言C/C++編程以及10指令周期流水;IAB能預(yù)存5條指令;BTB能夠減小分支跳轉(zhuǎn)延遲。地址產(chǎn)生器包括2個(gè)IALU,能支持立即尋址以及間接尋址;支持位反序以及環(huán)形緩沖尋址,方便對(duì)數(shù)字信號(hào)處理特殊運(yùn)算。雙運(yùn)算模塊能獨(dú)立工作實(shí)現(xiàn)SIMD引擎,每個(gè)周期運(yùn)算模塊能執(zhí)行2條運(yùn)算指令。

        圖1 ADSP-TS201S電路原理圖

        I/O接口包含內(nèi)部存儲(chǔ)器、外部設(shè)備接口、DMA控制器、鏈路口以及JTAG口。內(nèi)部存儲(chǔ)器為24 Mb DRAM。TS201S及TS101S采用0.13 μm CMOS工藝制造,TS201S的存儲(chǔ)器容量為TS101S的4倍,其性能比TS101提高了很多。外部設(shè)備接口包含主機(jī)接口、多處理器接口、SDRAM接口以及EPROM接口。14個(gè)DMA通道無需干預(yù)可完成設(shè)備的數(shù)據(jù)交換;完成了雙向鏈路口應(yīng)用低壓差分信號(hào)(LVDS)鏈路口技術(shù),達(dá)到4 Gbps數(shù)據(jù)吞吐量。IEEE1149.1兼容JTAG接口,可用于片上仿真。

        TS201S支持32位及40位浮點(diǎn)運(yùn)算和8、16、32和64位定點(diǎn)運(yùn)算。每周執(zhí)行4條指令,在600 MHz時(shí)鐘頻率下能夠達(dá)到48億次/s乘法運(yùn)算(GMACS)以及36億次 /s浮點(diǎn)運(yùn)算(GFLOPS)速度[7]。

        3.2 ADSP功能碼編寫

        應(yīng)用ATE對(duì)ADSP-TS201S功能碼測(cè)試格式為二進(jìn)制格式。ADSP-TS201S電路共有512個(gè)管腳,其中265個(gè)是INPUT、OUTPUT及INPUT/OUTPUT管腳,由于芯片管腳數(shù)多,為了驗(yàn)證其功能,先要啟動(dòng)芯片。選擇系統(tǒng)時(shí)鐘管腳及復(fù)位管腳分別輸入信號(hào),觀察芯片輸出管腳的情況。如圖2所示,ADSP-TS201處理器的系統(tǒng)時(shí)鐘有4種,分別是系統(tǒng)時(shí)鐘(SCLK)、內(nèi)核時(shí)鐘(CCLK)、外設(shè)總線時(shí)鐘(SOCCLK)以及鏈路口輸出時(shí)鐘(LxCLKOUT)。

        圖2 ADSP-TS201處理系統(tǒng)時(shí)鐘

        其系統(tǒng)時(shí)鐘為外部總線口提供時(shí)鐘,作為外部總線信號(hào)AC規(guī)范參考。內(nèi)核時(shí)鐘為內(nèi)核、內(nèi)部總線、存儲(chǔ)器、鏈路口來提供時(shí)鐘,其指令執(zhí)行速度為CCLK。CCLK=SCLK×SCLKRATx,如表 1所示,SCLKRATx的取值范圍為4~12。

        外設(shè)置總線時(shí)鐘,即為SOC總線工作的頻率,為1/2×CCLK。鏈路口輸出的時(shí)鐘為CCLK/CR,其CR是LCTx速度設(shè)置位,取值范圍是1~4。

        系統(tǒng)時(shí)鐘輸入管腳分別為SCLK、SCLKRAT2、SCLKRAT1、SCLKRAT0等管腳。根據(jù)對(duì)外部總線速度以及CCLK、指令的執(zhí)行速度考慮,測(cè)試本芯片時(shí)SCLK取30 M,應(yīng)用于設(shè)置PLL時(shí)鐘的倍率N值是由3個(gè)外接引腳SCLKRAT2-0來決定的,3個(gè)外接引腳連接了撥扭開關(guān),可以隨時(shí)調(diào)整倍頻系數(shù)的大小,系數(shù)默認(rèn)狀態(tài)取5,核時(shí)鐘由SCLK倍頻產(chǎn)生,核時(shí)鐘CCLK=N×SCLK=150 M。

        表1 ADSP-TS201時(shí)鐘速率

        復(fù)位輸入管腳是RSTIN管腳。ADSP-TS201S有3個(gè)引腳決定了復(fù)位電路,分別是RST-IN、RST-OUT以及POR-IN。RST-IN是復(fù)位輸入,是復(fù)位引腳,其作用是設(shè)置DSP為確定狀態(tài),使得程序進(jìn)入空閑狀態(tài),再根據(jù)復(fù)位操作的類型,RST-IN在指定時(shí)間確認(rèn)。RST-OUT是復(fù)位輸出,是RST-IN的同步延遲,說明DSP復(fù)位已經(jīng)完成了。PORIN是DRAM電源復(fù)位設(shè)置。

        除此以外,電源管腳分別是VDD_IO、VDD_DRAM、VDD_A、VDD 等,如表 2 所示,VDD 為內(nèi)核邏輯電源、VDD_A為模擬電源、VDD_IO為外部I/O電源、VDRAM為DRAM電源。

        表2 ADSP-TS201處理系統(tǒng)電源

        參考電壓管腳分別為SCLK_VREF、VREF。參考電壓定義輸入緩沖閾值點(diǎn),對(duì)輸入引腳及時(shí)鐘輸入信號(hào)設(shè)置電壓。在測(cè)試過程中,分別設(shè)置SCLK_VREF、VREF管腳為1.2 V。

        如上所述,加電及輸入時(shí)鐘、復(fù)位信號(hào)后,得到如圖3的運(yùn)行結(jié)果,所有地址位都顯示H(高電平),芯片并沒有啟動(dòng)工作,分析其原因,可能是因?yàn)槟承┕苣_未加入信號(hào),導(dǎo)致啟動(dòng)失敗。

        經(jīng)分析,芯片未加入中斷信號(hào),在重置之后對(duì)于啟動(dòng)操作,ADSP-TS201S有 4種引導(dǎo)選擇:(1)EPROM 引導(dǎo);(2)外圍設(shè)備引導(dǎo);(3)鏈路口引導(dǎo);(4)無引導(dǎo)模式,如表3所示,一個(gè)IRQ3-0的中斷信號(hào)輸入,存儲(chǔ)器啟動(dòng)地址選擇。

        圖3 ADSP-TS201S未啟動(dòng)狀態(tài)

        選擇無引導(dǎo)模式,當(dāng)輸入一個(gè)中斷信號(hào),ADSP-TS201S啟動(dòng)存儲(chǔ)器。

        表3 無引導(dǎo)模式啟動(dòng)存儲(chǔ)器地址

        ADSP-TS201S處理器在理想狀態(tài)總是跳出重置,等待一個(gè)中斷信號(hào)的輸入。在輸入一個(gè)IRQ3-0的中斷信號(hào)后,ADSP-TS201S仍然沒有出現(xiàn)存儲(chǔ)器地址的疊加狀態(tài),直到循環(huán)了60萬次以后,芯片啟動(dòng),存儲(chǔ)器地址開始疊加。經(jīng)分析,芯片反應(yīng)過慢可能是某個(gè)控制管腳未輸入信號(hào)導(dǎo)致的。

        當(dāng)輸入BM及BMS等管腳信號(hào),ADSP-TS201S啟動(dòng)迅速,地址開始自動(dòng)疊加,如圖4所示。

        圖4 ADSP-TS201S啟動(dòng)狀態(tài)

        由圖4所示,同組地址數(shù)為12個(gè),此時(shí)SCLKRAT2-0的輸入數(shù)據(jù)為011,當(dāng)其輸入不同信號(hào)時(shí),同組地址數(shù)不同。以輸入數(shù)據(jù)110為例,如圖5所示,0地址的地址數(shù)為99個(gè),當(dāng)經(jīng)過66個(gè)地址變化,同組地址的個(gè)數(shù)穩(wěn)定為18個(gè)。

        圖5 地址數(shù)隨地址的變化

        4 ADSP直流參數(shù)測(cè)試

        直流參數(shù)測(cè)試包括開/短路測(cè)試(O/S)、輸出高/低電平測(cè)試(VOH/VOL)、輸入高/低電流測(cè)試(IIH/IIL)、輸入漏電流測(cè)試(ILI/ILO)、電源電流測(cè)試(ICC)等等。

        5 ADSP交流參數(shù)測(cè)試

        交流參數(shù)測(cè)試是測(cè)量器件晶體管轉(zhuǎn)換的時(shí)序關(guān)系,目的是保證器件在正確的時(shí)間發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)換。如圖6、圖7所示,ADSP-TS201S交流參數(shù)包括核心時(shí)鐘循環(huán)時(shí)間tCCLK、系統(tǒng)時(shí)鐘循環(huán)時(shí)間tSCLK、系統(tǒng)時(shí)鐘循環(huán)高電平時(shí)間tSCLKH、系統(tǒng)時(shí)鐘循環(huán)低電平時(shí)間tSCLKL、系統(tǒng)時(shí)鐘轉(zhuǎn)換時(shí)間下降沿tSCLKF、系統(tǒng)時(shí)鐘轉(zhuǎn)換時(shí)間上升沿tSCLKR、系統(tǒng)時(shí)鐘抖動(dòng)容忍度tSCLKJ。

        圖6 參考時(shí)鐘——系統(tǒng)時(shí)鐘循環(huán)時(shí)間

        測(cè)試時(shí)鐘循環(huán)時(shí)間tTCK、測(cè)試時(shí)鐘循環(huán)高電平時(shí)間tTCKH、測(cè)試時(shí)鐘低電平時(shí)間tTCKL,見圖7。

        圖7 參考時(shí)鐘——測(cè)試時(shí)鐘循環(huán)時(shí)間

        由于各交流參數(shù)的測(cè)試原理和測(cè)試方法基本相同,僅以測(cè)試TSCLKR為例來說明交流參數(shù)的測(cè)試過程。在常溫下,把被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng),電源電壓調(diào)到規(guī)定的電壓值,其余輸入端施加規(guī)定的電平。測(cè)量系統(tǒng)時(shí)鐘從0變到1上升沿時(shí)間tSCLKR,通過搜索的方式獲得其值,功能碼如圖8所示。

        圖8 tSCLKR測(cè)試的功能碼

        6 測(cè)試方法與標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證

        參考SRAM測(cè)試的直流參數(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),在規(guī)范測(cè)試條件下的測(cè)試值在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi),驗(yàn)證了測(cè)試方法的正確性,如表4所示。

        7 結(jié)論

        文章簡(jiǎn)要介紹了ADSP的重要組成部分,提出了一種ATE對(duì)ADSP測(cè)試的方法。主要介紹了電路的功能測(cè)試及交流參數(shù)測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)。通過Ultra Edit軟件編輯生成測(cè)試碼,導(dǎo)入測(cè)試儀器,對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行地址疊加操作,以檢查其功能。與此同時(shí),結(jié)合部分功能碼,在ATE軟件中設(shè)置相關(guān)參數(shù),測(cè)試了ADSP的交流參數(shù)。

        [1]孫潔朋,魏建民,閆華,等.一種FPGA芯片中DSP模塊的內(nèi)建自測(cè)試方法[J].電子與封裝,2017,17(10):9-12.

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        [4]謝正光.集成電路測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)研究與探討[J].微電子學(xué),2004,34(3):246-253.

        表4 測(cè)試實(shí)際值與規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比驗(yàn)證

        [5]畢威.簡(jiǎn)述 IC 測(cè)試的意義和作用[J].微處理機(jī),2017,(1):6-12.

        [6]俞建峰,陳翔,楊雪瑛.我國(guó)集成電路測(cè)試技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展策略[J].中國(guó)測(cè)試,2009,35(3):1-5.

        [7]龐娜,劉書明,徐平.ADSP-TS201S芯片的功能和應(yīng)用[J].國(guó)外電子元器件,2005,(1):48-51.

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