章 鷗 甘小虎 魏猷剛 黃 雯 胡 靜 閻慶九

（江蘇省南京市蔬菜科學(xué)研究所，江蘇 南京 210042）

西瓜栽培通常采用嫁接方式預(yù)防土壤連作障礙，西瓜嫁接后還可提高植株抗性，加快根系生長(zhǎng)，增強(qiáng)根系的吸收能力，增強(qiáng)植株長(zhǎng)勢(shì)。西瓜嫁接苗成活期間需覆蓋塑料薄膜加強(qiáng)保溫保濕，但由于薄膜透光率低，環(huán)境濕度大，嫁接苗易徒長(zhǎng)，秧苗長(zhǎng)勢(shì)弱，定植后緩苗時(shí)間長(zhǎng)，且在運(yùn)輸途中極易被壓折。

溫度是影響植物生長(zhǎng)的主要環(huán)境因子，已有文獻(xiàn)報(bào)道育苗期間高溫是導(dǎo)致黃瓜幼苗下胚軸徒長(zhǎng)的主要原因，而低溫下黃瓜幼苗葉片光合速率下降，幼苗的生產(chǎn)量顯著降低[1～3]。合理調(diào)控溫度是培育西瓜嫁接苗成功的關(guān)鍵。目前關(guān)于夜溫影響西瓜嫁接苗生長(zhǎng)的報(bào)道皆為整個(gè)育苗期同一個(gè)夜溫[4～6]，本試驗(yàn)研究了西瓜嫁接苗的不同育苗階段采用不同夜溫對(duì)幼苗生長(zhǎng)的影響，旨在了解西瓜嫁接苗徒長(zhǎng)與夜溫的關(guān)系，為西瓜嫁接苗的規(guī)?；a(chǎn)提供科學(xué)依據(jù)。

1 材料與方法

1.1 試驗(yàn)材料

供試西瓜品種為蘇蜜8號(hào)，砧木為小葉葫蘆。

1.2 試驗(yàn)方法

試驗(yàn)設(shè)在南京市蔬菜科學(xué)研究所。2017年1月4日砧木播種，1月19日采用頂端插接法嫁接（該方法操作簡(jiǎn)單快捷，接穗與砧木結(jié)合緊密，嫁接苗成活率高，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于西瓜嫁接育苗中），3月8日出苗。將西瓜嫁接苗育苗期分為3個(gè)階段：第一階段為砧木播種至嫁接時(shí)，夜間溫度分別設(shè)置8℃、10℃、11℃、13℃；第二階段為嫁接后至幼苗長(zhǎng)至二葉一心時(shí)，夜間溫度分別設(shè)置15℃、16℃、17℃、18℃；第三階段為幼苗二葉一心至成苗，夜間溫度分別設(shè)置14℃、15℃、16℃、17℃。共12個(gè)處理，重復(fù)3次，試驗(yàn)期間各處理日間溫度均保持一致。在第一、二階段結(jié)束后，根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果選擇綜合性狀最優(yōu)的處理進(jìn)行第三階段試驗(yàn)。

1.3 調(diào)查統(tǒng)計(jì)方法

分別于每個(gè)階段試驗(yàn)結(jié)束時(shí)，即嫁接時(shí)（1月19日）、二葉一心期（2月24日）以及成苗期（3月8日）測(cè)量植株高度、植株高度絕對(duì)生長(zhǎng)速率（高度的絕對(duì)生長(zhǎng)量/時(shí)間）、接穗下胚軸絕對(duì)生長(zhǎng)速率（下胚軸長(zhǎng)度的絕對(duì)生長(zhǎng)量/時(shí)間）、植株粗度、總?cè)~面積和葉綠素含量。數(shù)據(jù)分析采用SAS軟件的ANOVA過程處理，顯著性檢驗(yàn)采用鄧肯式新復(fù)極差法。

2 結(jié)果與分析

2.1 育苗期第一階段不同夜溫對(duì)西瓜砧木生長(zhǎng)的影響

由表1可知，隨著夜間溫度的升高，砧木的植株高度和絕對(duì)生長(zhǎng)速率不斷提高，8℃、10℃、11℃處理株高分別為3.33 cm、3.82 cm、4.07 cm，生長(zhǎng)速率分別為0.222 cm/d、0.255 cm/d、0.271 cm/d，分別較13℃處理低41.6%、33.0%、28.6%，差異顯著；植株粗度隨著夜溫的升高呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢(shì)，10℃處理植株的粗度最粗（2.70 mm），顯著粗于11℃和13℃處理，8℃和10℃處理植株粗度差異不顯著；各處理的葉綠素含量也呈現(xiàn)出先升高后降低的趨勢(shì)，11℃處理葉綠素含量最高（47.51 mg/L）。

本階段試驗(yàn)的目的是根據(jù)嫁接操作要求選擇合適的砧木。植株粗壯有利于培育壯苗，植株高度過低不利于嫁接操作，因此，本試驗(yàn)中植株粗度最粗、高度次高的砧木苗最佳，即夜間溫度保持10℃為本階段理想夜溫。

表1 育苗期第一階段各處理西瓜砧木的植物學(xué)性狀

2.2 育苗期第二階段不同夜溫對(duì)西瓜嫁接苗植株生長(zhǎng)的影響

由表2可知，育苗期第二階段，西瓜嫁接苗的植株粗度和總?cè)~面積隨著夜間溫度升高呈現(xiàn)先升高后降低趨勢(shì)，其他指標(biāo)均隨著溫度的升高而升高。18℃處理西瓜嫁接苗的植株高度和高度絕對(duì)生長(zhǎng)速率最高，分別為11.43 cm和0.204 cm/d，較15℃、16℃、17℃處理分別高22.8%和39.7%、14.3%和23.6%、2.7%和4.1%，與15℃、16℃處理差異顯著，可認(rèn)定其有徒長(zhǎng)趨勢(shì)；15℃處理嫁接苗的高度和粗度均最小，秧苗長(zhǎng)勢(shì)較弱。處理間嫁接苗的下胚軸長(zhǎng)度和下胚軸絕對(duì)生長(zhǎng)速率差異不顯著。17℃處理嫁接苗的植株粗度達(dá)6.13 mm，最為粗壯，較15℃、16℃、18℃處理分別粗10.5%、5.1%和6.8%，顯著高于15℃和18℃處理，與16℃處理差異不顯著。同時(shí)，17℃處理的植株總?cè)~面積最大，但與其他各處理差異不顯著。

綜合分析，17℃處理西瓜嫁接苗的粗度最粗、葉面積最大，16℃處理這兩項(xiàng)指標(biāo)略差，但與17℃處理差異不顯著，故本階段夜間溫度控制在16～17℃較為理想?？紤]到能耗等因素，本階段夜溫控制在17℃最為理想。

表2 育苗期第二階段各處理西瓜嫁接苗的植物學(xué)性狀

2.3 育苗期第三階段不同夜溫對(duì)西瓜嫁接苗植株生長(zhǎng)的影響

由表3可知，育苗期第三階段西瓜嫁接苗的植株生長(zhǎng)速率普遍高于第二階段，隨著夜間溫度的升高，西瓜嫁接苗的植株高度和高度絕對(duì)生長(zhǎng)速率呈現(xiàn)先升高后下降的趨勢(shì)，其中17℃處理植株生長(zhǎng)速度最為緩慢，至出苗時(shí)植株高度僅為12.01 cm，較14℃、15℃和16℃處理分別矮7.0%、14.9%和11.4%，生長(zhǎng)速率僅為0.168 cm/d，較14℃、15℃和16℃處理低30.6%、51.0%和43.2%。夜間溫度越高，植株生長(zhǎng)越粗壯，葉面積越大，17℃處理植株最為粗壯、葉面積最大，但與其他處理差異不顯著。17℃處理西瓜嫁接苗的葉綠素含量也是最高的，說明該處理植株較為健壯。

從壯苗的角度考慮，本階段需培育植株較粗較矮的秧苗，因此本階段夜間溫度宜控制在17℃。

表3 育苗期第三階段各處理西瓜嫁接苗的植物學(xué)性狀

3 結(jié)論與討論

國外文獻(xiàn)報(bào)道，光照、溫度、水分等環(huán)境因子可通過改變植物激素水平影響下胚軸伸長(zhǎng)[7～8]；Went研究表明，在光下26℃左右及暗處17～19℃植物莖的伸長(zhǎng)速率最快[9]；國內(nèi)學(xué)者研究表明，隨著溫度的降低，幼苗葉片氣孔開度減小，葉綠素含量降低，從而導(dǎo)致光合速率下降，光合產(chǎn)物積累減少，幼苗生長(zhǎng)緩慢[2，10～12]。本試驗(yàn)的研究結(jié)果與前人研究結(jié)果相似，育苗期第一階段和第二階段夜溫越低，植株生長(zhǎng)速率越低，但本研究認(rèn)為在西瓜嫁接苗長(zhǎng)有二葉一心后，夜間溫度略高有利于形成壯苗。

試驗(yàn)結(jié)果表明，西瓜嫁接苗培育期間需分階段調(diào)控溫度。第一階段，從砧木播種至嫁接，夜溫控制在10℃為宜；第二階段，嫁接后至幼苗二葉一心，夜溫宜控制在16℃；第三階段，幼苗二葉一心至出苗，夜溫控制在17℃為宜。

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