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        電動(dòng)汽車SiC MOSFET風(fēng)冷逆變器的散熱器設(shè)計(jì)

        2018-06-01 03:33:29賈曉宇胡長生徐德鴻
        電源學(xué)報(bào) 2018年3期
        關(guān)鍵詞:溝槽設(shè)計(jì)

        劉 超,賈曉宇,胡長生,陳 敏,徐德鴻

        (浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院,杭州 310027)

        驅(qū)動(dòng)逆變器是電動(dòng)汽車中的核心部件,是影響電動(dòng)汽車安全性、可靠性和動(dòng)力性能的重要因素[1],此外電動(dòng)汽車對(duì)驅(qū)動(dòng)逆變器的功率密度有較高的要求。為改善逆變器的運(yùn)行工況以及提升逆變器的功率密度,散熱設(shè)計(jì)變得越來越重要。目前電動(dòng)汽車中電機(jī)控制器常見的冷卻方式為液體冷卻,該方式具有較好的散熱性能,其缺點(diǎn)主要在于系統(tǒng)組成復(fù)雜,而強(qiáng)迫風(fēng)冷散熱方式實(shí)現(xiàn)簡單且成本較低,在實(shí)際工程中具有一定的應(yīng)用[1]。文獻(xiàn)[2]開展了功率變換器用風(fēng)冷散熱器熱阻的理論分析;文獻(xiàn)[3]分析了風(fēng)扇的選擇、散熱器的幾何參數(shù)對(duì)散熱器熱阻和體積的影響;文獻(xiàn)[4-5]指出,采用SiC器件代替Si IGBT可以減小散熱器的體積。

        本文以20 kW電動(dòng)汽車SiC MOSFET風(fēng)冷逆變器為對(duì)象,分析了散熱器熱阻與散熱器幾何尺寸的關(guān)系,對(duì)散熱器風(fēng)扇個(gè)數(shù)、散熱溝槽數(shù)、肋片厚度以及散熱器的溝槽長度進(jìn)行設(shè)計(jì),并分別采用熱仿真和實(shí)驗(yàn)對(duì)理論設(shè)計(jì)進(jìn)行比對(duì)。

        1 散熱器理論熱阻分析

        本文以20 kW電動(dòng)汽車風(fēng)冷逆變器為研究目標(biāo),基于逆變器和散熱器的熱阻模型,分析散熱器熱阻與幾何尺寸的關(guān)系,并對(duì)散熱器進(jìn)行設(shè)計(jì)。

        1.1 逆變器熱阻模型

        圖1所示是本文所選擇的20 kW電動(dòng)汽車SiC MOSFET逆變器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖中,Vdc為母線電壓,C為母線電容,iA,iB和iC為三相輸出電流。

        圖2為三相逆變器熱阻模型。以逆變器A相為例,圖中,PS1、PS4為A相上管S1和下管S4的損耗,TJ,S1、TJ,S4指 S1和 S4的芯片結(jié)溫,Rth,S1,JC、Rth,S4,JC為 S1和S4結(jié)到殼的熱阻,Rth,g為導(dǎo)熱硅脂熱阻,TC,S1、TC,S4為S1和S4的殼溫;逆變器B相、C相與A相類似。Rth,S_a為散熱器到環(huán)境熱阻,THS和Ta分別為散熱器表面溫度和環(huán)境溫度。

        圖1 逆變器主電路拓?fù)銯ig.1 Topology of inverter’s main circuit

        圖2 三相逆變器熱阻模型Fig.2 Thermal resistance model of three-phase inverter

        基于上述熱阻模型,可以得到

        求解式(1)可以得到散熱器熱阻為

        SiC MOSFET功率器件選擇分立器件C2M0025120D(1 200 V/60 A)。在最大功率輸出點(diǎn)(Vdc=400 V,相電壓有效值VA=135 V,相電流有效值IA=45 A,基波頻率f0=250 Hz,開關(guān)頻率fs=20 kHz),根據(jù)損耗分析[6,7]可計(jì)算出圖1每個(gè)單管的損耗 PSi(i=1,2,…,6)為46.7 W,三相總損耗為280.2 W。

        假定結(jié)到殼的熱阻Rth,Si,JC=0.27℃/W,導(dǎo)熱硅脂熱阻Rth,g=0.4℃/W,環(huán)境溫度Ta=65℃,要求結(jié)溫TJ,Si≤115℃,則根據(jù)式(2)可得散熱器熱阻需要滿足以下條件

        1.2 散熱器熱阻模型

        本文所討論的風(fēng)冷散熱器幾何結(jié)構(gòu)如圖3所示,其中:a為風(fēng)扇厚度,b為散熱器寬度,c為肋片高度,L為散熱器溝槽長度,d為散熱基板厚度,t為肋片厚度,s為溝槽寬度,n為散熱器溝槽數(shù)。

        圖3 散熱器幾何結(jié)構(gòu)Fig.3 Geometric structure of heat sink

        定義:k為散熱器肋片的占空比;dh為散熱器溝槽的水力直徑;Rem為流過溝槽空氣的平均雷諾數(shù),分別表示為

        式中:ε 為空氣的運(yùn)動(dòng)粘度,ε=2.1×10-5m2/s;V 為通過風(fēng)扇的風(fēng)量。當(dāng)Rem<2 300時(shí),空氣的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)為層流;否則為湍流。對(duì)于圖3給定形狀的散熱器肋片,氣流通過散熱器溝槽的壓降[2]可表示為

        式中,ρ為空氣的密度,ρ=0.99 kg/m3。根據(jù)文獻(xiàn)[3]選擇散熱風(fēng)扇的方法,選擇型號(hào)為San Ace 40的直流風(fēng)扇,圖4所示為所選風(fēng)扇尺寸,其厚度a為28 mm,寬度b為40 mm,高度c為40 mm。

        圖5為散熱風(fēng)扇特性曲線,圖中虛線是數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的風(fēng)扇壓強(qiáng)差與流量的特性曲線,實(shí)線為6階多項(xiàng)式擬合該特性曲線,其表達(dá)式為

        式中,Δpfan(V)為風(fēng)扇出風(fēng)口與進(jìn)風(fēng)口壓強(qiáng)差。

        根據(jù)氣流通過風(fēng)扇后的壓力上升抵消氣流在散熱器溝槽中的壓力下降,可以得到風(fēng)扇壓力平衡條件[2]為

        由于風(fēng)扇產(chǎn)生的氣流通過圖3所示散熱器時(shí),只能從溝槽中流過,氣流流過的面積為Scross=kbc,因此風(fēng)扇產(chǎn)生的壓強(qiáng)也需要乘以系數(shù)k[2]。根據(jù)式(7)可以計(jì)算出此型號(hào)風(fēng)扇工作時(shí)的流量V。

        圖6為散熱器從基板到空氣的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型。其中,Rth,a和Rth,A為單個(gè)溝槽基板和肋片到空氣的對(duì)流熱阻,Rth,d和Rth,FIN為單個(gè)溝槽基板和肋片自身傳導(dǎo)熱阻[2],其表達(dá)式分別為

        式中:AHS為散熱基板的面積;λHS為散熱器的熱導(dǎo)率,λHS=210 W/mK;h為對(duì)流傳熱系數(shù),表示為

        式中:λair為空氣的熱導(dǎo)率,λair=0.03 W/mK;Num為平均努賽爾數(shù),其計(jì)算公式[2,8]為

        圖4 散熱風(fēng)扇結(jié)構(gòu)Fig.4 Structure of cooling fan

        圖5 散熱風(fēng)扇特性曲線Fig.5 Characteristic curve of cooling fan

        式中:Pr為空氣的普朗特?cái)?shù),Pr=0.71;X=L/(dhRemPr)。

        另外,由于流體吸收了上游肋片的熱量,位于流動(dòng)下游的肋片周圍流體溫度會(huì)升高,從而引入了一個(gè)額外熱阻,稱之為熱量熱阻Rth,c,其表達(dá)式為

        式中,cP,air為空氣的熱容,cP,air=1 010 J/kg·K。

        根據(jù)圖6的散熱器熱阻模型,對(duì)于有m個(gè)風(fēng)扇的散熱器(每個(gè)風(fēng)扇對(duì)應(yīng)的散熱溝槽數(shù)為n),可以得到圖7所示的散熱器熱阻等效結(jié)構(gòu)。則散熱器總熱阻可寫成

        圖6 散熱器熱阻模型Fig.6 Thermal resistance model of heat sink

        圖7 散熱器熱阻等效結(jié)構(gòu)Fig.7 Equivalent structure of heat sink’s thermal resistance

        2 散熱器設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        2.1 散熱器理論設(shè)計(jì)

        由式(4)~式(12)的散熱器熱阻理論推導(dǎo)可知,對(duì)于結(jié)構(gòu)如圖3所示的散熱器,當(dāng)風(fēng)扇型號(hào)確定后,散熱器的熱阻與風(fēng)扇個(gè)數(shù)m、單個(gè)風(fēng)扇對(duì)應(yīng)的散熱器溝槽數(shù)n、散熱器肋片占空比k以及散熱器的溝槽長度L有關(guān),各個(gè)參數(shù)取值不同,會(huì)影響散熱器熱阻和散熱系統(tǒng)的體積。參數(shù)的選取首先應(yīng)保證散熱器的熱阻滿足式(3)的約束條件,另外,SiC MOSFET功率器件的擺放位置已經(jīng)確定,要保證散熱器表面能夠容納SiC MOSFET功率器件,需要求散熱器的長度L大于140 mm,寬度W大于95 mm(即風(fēng)扇個(gè)數(shù)m最小為3),從而散熱系統(tǒng)的體積設(shè)計(jì)問題可以表示為

        式中:W為散熱器寬度;H為散熱器高度;VCS為所求散熱系統(tǒng)的體積。

        利用Matlab軟件求解上述問題:讓4個(gè)參數(shù)m、n、k、L在一定范圍內(nèi)變化,其中,m取值范圍為3~10,n 取值范圍為 1~15,k 取值范圍為 0.05~0.95,L取值范圍為140~400 mm,采用“枚舉法”計(jì)算出此范圍內(nèi)每一組參數(shù)對(duì)應(yīng)的散熱器熱阻Rth,S_a和散熱系統(tǒng)體積VCS,得到滿足散熱器熱阻約束條件下,使得VCS最小的4個(gè)參數(shù)取值。

        圖8為散熱器設(shè)計(jì)的算法流程,通過4個(gè)嵌套的循環(huán)語句,計(jì)算每組參數(shù)對(duì)應(yīng)的Rth,S_a與VCS。其中,最內(nèi)層循環(huán)語句是由風(fēng)扇風(fēng)量V在一定范圍內(nèi)變化來間接計(jì)算出對(duì)應(yīng)的溝槽長度L,主要是因?yàn)樯崞鳠嶙璧挠?jì)算需要得知風(fēng)扇風(fēng)量V,若是在m、n、k、L 參數(shù)確定的情況下,根據(jù)式(5)~式(7)求取此時(shí)對(duì)應(yīng)的風(fēng)扇風(fēng)量,可知需求解高階方程,算法運(yùn)行時(shí)間較長,而由圖5可得此型號(hào)風(fēng)扇的風(fēng)量V工作范圍為0~0.014 m3/s,讓V在此范圍內(nèi)變化,求取對(duì)應(yīng)的L,進(jìn)而求取對(duì)應(yīng)的Rth,S_a與VCS,從而不需要求解高階方程,有效地縮短了算法的運(yùn)行時(shí)間。由式(5)~式(7)可知,溝槽長度 L 可計(jì)算為

        圖8 散熱器設(shè)計(jì)算法流程Fig.8 Flow chart of heat sink design algorithm

        圖9反映了在尋找參數(shù)的過程中,當(dāng)4個(gè)參數(shù)取不同值時(shí)每一組參數(shù)對(duì)應(yīng)的Rth,S_a與VCS的關(guān)系。從圖中可知,虛線左半平面每個(gè)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的4個(gè)參數(shù)取值,均滿足散熱器熱阻的設(shè)計(jì)要求,其中圓圈圈出的點(diǎn)使得散熱系統(tǒng)的體積最小,該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的4個(gè)參數(shù)分別為:m=3,n=15,k=0.55,L=150 mm, 即 4個(gè)參數(shù)在上述范圍內(nèi)變化并使得散熱系統(tǒng)體積最小的解。

        本文實(shí)驗(yàn)所用的散熱器4個(gè)參數(shù)分別為:m=3,n=13,k=0.6,L=160 mm,與上述結(jié)果十分接近,散熱系統(tǒng)的體積為VCS=1.02 L。而由式(12)可以計(jì)算出此散熱器理論熱阻為0.066℃/W,滿足設(shè)計(jì)要求。圖10為散熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。

        圖9 不同參數(shù)下Rth,S_a與VCS的關(guān)系Fig.9 Relationship between Rth,S_aand VCSwith different parameters

        圖10 散熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)Fig.10 Structure of cooling system

        2.2 熱仿真結(jié)果

        借助熱分析軟件Icepak建立散熱系統(tǒng)仿真模型,熱仿真所用的散熱器幾何參數(shù)與圖10一致,利用軟件中的熱源模擬逆變器每個(gè)SiC MOSFET器件的損耗。圖11為散熱器的熱仿真溫度場穩(wěn)態(tài)分布,其中,環(huán)境溫度Ta為65℃,每個(gè)熱源損耗設(shè)為46.7 W,熱源總損耗Ploss為280.2 W。根據(jù)圖11可知,散熱器表面最大溫度為85.10℃。以最大溫度作為THS計(jì)算熱阻,則可以得到散熱器熱阻仿真結(jié)果為

        表1為圖11中每個(gè)熱源中心點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的散熱器表面仿真溫度,此散熱器的理論熱阻為0.066℃/W。當(dāng)Ta為65℃、Ploss為280.2 W 時(shí),代入式(15)可得,散熱器表面理論溫度THS為83.49℃。而表1中最大溫度為85.03℃,最小溫度為80.51℃。由此可知,各個(gè)熱源中心點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的散熱器表面溫度與理論計(jì)算結(jié)果比較接近,驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的合理性。

        圖11 散熱器溫度分布(Ta=65℃,Ploss=280.2 W)Fig.11 Temperature distribution of heat sink(Ta=65℃,Ploss=280.2 W)

        表1 散熱器表面不同位置的仿真溫度Tab.1 Simulated temperatures at different positions of heat sink surface

        2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        圖12為電動(dòng)汽車風(fēng)冷逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。采用J型熱電偶和溫度數(shù)據(jù)采集儀Keysight 34972A檢測散熱器表面多個(gè)位置的溫度,其溫度測試點(diǎn)的位置如圖13所示,以6個(gè)測試點(diǎn)。其中溫度最高的測試點(diǎn)來計(jì)算散熱器熱阻。為了保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性,逆變器工作在不同的條件下(逆變器負(fù)載采用RL負(fù)載,R=3.3 Ω,L=250 μH),通過功率分析儀 Yokogawa WT1800檢測不同工作點(diǎn)的逆變器輸入功率P與逆變器效率η,從而計(jì)算出功率器件總損耗Ploss。分別在工作點(diǎn) 1(P=7.26 kW,η=98.60%,Ploss=101.6 W,fs=20 kHz,f0=250 Hz)、工作點(diǎn) 2 (P=14.91 kW,η=98.67%,Ploss=198.3 W,fs=20 kHz,f0=250 Hz)和工作點(diǎn)3(P=15.10 kW,η=98.02%,Ploss=299.0 W,fs=50 kHz,f0=250 Hz)的條件下進(jìn)行溫升實(shí)驗(yàn)并計(jì)算熱阻。

        圖14表示工作點(diǎn)1情況下功率分析儀的測量結(jié)果;即此工作條件下的逆變器輸入功率P和效率η。

        圖12 SiC MOSFET逆變器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)Fig.12 Experimental platform of the SiC MOSFET inverter

        圖13 散熱器溫度測試點(diǎn)Fig.13 Temperature test points of heat sink

        圖14 逆變器損耗測量(工作點(diǎn)1)Fig.14 Loss measurement of inverter(at operating point 1)

        圖15表示在工作點(diǎn)3(Ta=21℃)的條件下,6個(gè)溫度測試點(diǎn)的溫升曲線。從圖中可以看到,當(dāng)溫度穩(wěn)定后,6個(gè)溫度檢測點(diǎn)中T1的溫升是最高的;另外,在工作點(diǎn)1和2,同樣是T1點(diǎn)溫升最高。使用T1點(diǎn)穩(wěn)定后的溫度作為散熱器表面溫度THs,將數(shù)據(jù)代入式(15),即可計(jì)算出散熱器的熱阻。

        圖16表示環(huán)境溫度Ta為21℃時(shí),在3個(gè)工作點(diǎn) (總損耗Ploss分別為101.6 W,198.3 W,299.0 W)的條件下,散熱器T1溫度測試點(diǎn)的溫升實(shí)驗(yàn)結(jié)果。根據(jù)溫升和式(15),在3種不同損耗條件下計(jì)算散熱器熱阻,結(jié)果如表2所示。

        根據(jù)熱仿真結(jié)果可知,散熱器熱阻仿真值為0.072℃/W;根據(jù)式(12),可以得到實(shí)驗(yàn)所用散熱器(設(shè)計(jì)的 4 個(gè)參數(shù)分別為 m=3,n=13,k=0.6,L=160 mm)的理論熱阻值為0.066℃/W。表3是散熱器的理論熱阻、仿真熱阻以及實(shí)驗(yàn)熱阻的結(jié)果對(duì)比,結(jié)果表明,三者比較接近,誤差均在15%以內(nèi),從而驗(yàn)證了散熱器理論設(shè)計(jì)的合理性。

        圖15 工作點(diǎn)3各測試點(diǎn)的溫升(Ta=21℃)Fig.15 Temperature rise at different test points of operating point 3(Ta=21 ℃)

        圖16 不同損耗下測試點(diǎn)T1溫升(Ta=21℃)Fig.16 Temperature rise of T1at different power losses(Ta=21℃)

        表2 不同損耗下熱阻實(shí)驗(yàn)結(jié)果Tab.2 Experimental result of thermal resistance at different power losses

        表3 散熱器理論、仿真和實(shí)驗(yàn)熱阻對(duì)比Tab.3 Comparison among theoretical,simulation and experimental values of heat sink’s thermal resistance(℃/W)

        3 結(jié)語

        本文討論了電動(dòng)汽車SiC MOSFET強(qiáng)迫風(fēng)冷逆變器的散熱器設(shè)計(jì)。首先通過逆變器和散熱器的熱阻模型,得到散熱器熱阻與其幾何參數(shù)的關(guān)系,然后對(duì)散熱器的4個(gè)幾何參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),在滿足逆變器散熱需求的前提下,求解約束條件下使得散熱系統(tǒng)體積最小的4個(gè)參數(shù)的取值。熱仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)的散熱器熱阻與理論計(jì)算熱阻總體符合,誤差小于15%。

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