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        不穩(wěn)定因子對振蕩器性能影響分析

        2018-04-24 05:01:00王簫揚張富春王敏敏張雄韋強
        無線互聯(lián)科技 2018年4期

        王簫揚 張富春 王敏敏 張雄 韋強

        摘 要:針對射頻識別系統(tǒng)對電路低功耗、體積小的要求,為降低振蕩器的復(fù)雜度,文章對有源器件的穩(wěn)定性做了深入研究,對終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)進行分析。提出了一種新的低復(fù)雜度振蕩器設(shè)計方法:通過改變不穩(wěn)定因子來改變振蕩器的性能。

        關(guān)鍵詞:振蕩器;相位噪聲;不穩(wěn)定因子

        國外UHF RFID發(fā)展迅速,例如Alien公司的Higgs3和Impinj公司的Monxa2。這兩款射頻識別芯片均支持EPC GEN2標準,分別工作于頻段902.75~927.25 MHz和860~960 MHz。最近幾年,伴隨著射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID)技術(shù)的發(fā)展,振蕩器的研究設(shè)計制造不斷受到重視,使用在發(fā)射電路的振蕩器也在不斷成熟,寬帶振蕩器技術(shù)不斷更新。盡管產(chǎn)品已經(jīng)不斷多元化,但目前全頻段的振蕩器設(shè)計仍有待發(fā)展,RFID技術(shù)專利主要還是集中在外國,特別是美國、歐洲等國家[1]。目前伴隨著我國電子通信事業(yè)的不斷發(fā)展及對振蕩器的需求,亟待研究出既滿足我國射頻標準,又兼顧各國標準的全頻段振蕩器產(chǎn)品[2-3]。

        在射頻識別系統(tǒng)中,振蕩器的研究還有待提高,因為研究人員需要綜合考慮相互矛盾的工作頻段及電路低復(fù)雜度的兩個首要問題。因此,本文通過終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)與阻抗對負載網(wǎng)絡(luò)及終端匹配網(wǎng)絡(luò)的電路結(jié)構(gòu)、相位噪聲等性能參數(shù)的影響來為實現(xiàn)設(shè)計射頻振蕩器提出新思路。

        1 振蕩器基本原理

        振蕩器是一種常見的信號源生成器,在射頻系統(tǒng)中占有重要地位,其工作原理就是把直流功率轉(zhuǎn)化成為射頻系統(tǒng)中所需要的射頻功率, 并在中心頻率處產(chǎn)生振蕩信號。當電路工作在射頻頻段時,電壓電流特性不再符合傳統(tǒng)低頻電路的特性,它將隨頻率的變化而變化,這時需要跳出低頻電路理論的基礎(chǔ),跳變到射頻傳輸線電路中,使用傳輸線理論來進行電路設(shè)計[4-7]。

        2 終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)分析

        2.1 終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)幅值影響

        在Smith圓圖上,當相位確定后,也就意味著在無數(shù)個等反射系數(shù)圓上有著相同的相角,因此,終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)GT的取值應(yīng)該在一條直線上。在Smith圓圖中,GT的取值位置離圓心越遠,等反射系數(shù)圓的半徑越大,即GT幅值越大。本文中取相角為20°畫出等相位線,沿等相位線選3個樣點值,其終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)分別為ΓT1=0.5∠20,ΓT2=0.6∠20,ΓT3=0.7∠20,如圖1所示。

        當終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)分別取ΓT1,ΓT2,ΓT3時,輸入反射系數(shù)ΓIN分別為1.44∠160.08,1.61∠158.63,1.98∠156.46,可見,終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)幅值越大,輸入反射系數(shù)越大。

        2.2 終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)相位影響

        本文研究GT在等反射圓上取不同相位對輸入反射系數(shù)ΓIN及振蕩器的影響時,取終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)幅值|GT|=0.6。若令終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)為ΓT=0.6∠θ:

        在Smith圓圖上畫出反射系數(shù)模值|GT|=0.6的等反射系數(shù)圓,在等反射系數(shù)圓上標出6個樣點值,如圖2所示。其中6個樣點值的反射系數(shù)分別為ΓT1=0.6∠10,ΓT2=0.6∠20,ΓT3=0.6∠30,ΓT4=0.6∠40,ΓT5=0.6∠50和ΓT6=0.6∠60。

        利用選取的6個樣點值ΓT1~ΓT6設(shè)計晶體管振蕩器并仿真得到結(jié)果,如圖3所示。

        圖3描繪了振蕩器的振蕩頻率與輸出功率變化曲線,其中振蕩頻率依次為1.656 GHz,1.55 GHz,1.49 GHz,1.553 GHz,1.612 GHz,1.73 GHz,頻率先減小后增大,頻率變化范圍是1.49~1.73 GHz(240 MHz),頻率變化度達到15%,在θ=30°時,振蕩頻率最低。輸出功率依次為12.14 dBm,12.152 dBm,9.247 dBm,11.919 dBm,11.918 dBm,9.918 dBm,輸出功率變化呈現(xiàn)隨機性,在q=20°時取得最大值12.152 dBm。

        經(jīng)過研究GT的相位對輸入反射系數(shù)ΓIN及振蕩器性能的影響,發(fā)現(xiàn)在S22與GT的相位差最小時可以得到最佳的GIN、最大輸出功率和最小的相位噪聲。

        3 結(jié)語

        本文考慮到射頻識別系統(tǒng)中電路低功耗、體積小的要求,重點解決電路的低復(fù)雜度問題,重點研究了終端網(wǎng)絡(luò)反射系數(shù)與阻抗對負載網(wǎng)絡(luò)及終端匹配網(wǎng)絡(luò)的振蕩頻率、輸出功率和相位噪聲等性能參數(shù)的影響。經(jīng)過研究GT的相位對輸入反射系數(shù)GIN及振蕩器性能的影響,發(fā)現(xiàn)在S22與GT的相位差最小時可以得到最佳的GIN、最大輸出功率和最小的相位噪聲。

        [參考文獻]

        [1]潘杰,楊海鋼,楊立吾.一種寬帶正交振蕩器中子頻帶的精確設(shè)計方法[J].固體電子學(xué)研究與進展,2010(2):204-207.

        [2]熊俊俏,夏敏.900MHz壓控振蕩器設(shè)計[J].電訊技術(shù),2010(6):66-70.

        [3]DENG Z,NIKNEJAD A M.A 4-port-inductor-based VCO coupling method for phase noise reduction[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2011(8):1772-1781.

        [4]黃玉蘭.基于ADS的射頻低噪聲放大器設(shè)計與仿真[J].西安郵電大學(xué)學(xué)報,2010(3):26-29.

        [5]康東,石喜勤,李勇鵬,等.射頻識別(RFID)核心技術(shù)與典型應(yīng)用開發(fā)案例[M].北京:人民郵電出版社,2008.

        [6]黃玉蘭.ISM頻段射頻放大的小信號分析[J].電訊技術(shù),2010(3):59-63.

        [7]劉國棟.2.42 GHz寬帶低相噪LC壓控振蕩器的設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2012(1):51-53.

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