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        基于STM 32的GaAs放大器控制系統(tǒng)設(shè)計

        2018-04-24 07:54:44堯長青華偉何委林魏義鎮(zhèn)
        現(xiàn)代計算機(jī) 2018年7期
        關(guān)鍵詞:低電平斷電控制電路

        堯長青,華偉,何委林,魏義鎮(zhèn)

        (1.四川大學(xué)電子信息學(xué)院,成都610065;2.中國人民解放軍78111部隊,成都610084)

        0 引言

        微波輻照在酯化、氧化、取代、加成、縮合、聚合等化學(xué)反應(yīng)[1],在諸如肺癌A549細(xì)胞的凋亡[2],L-02人肝細(xì)胞和IAR20鼠肝細(xì)胞的增殖[3]等細(xì)胞生長有明顯影響。常用的磁控管和固態(tài)功率微波裝置中,磁控管微波功率源存在功率變化非線性和不易實現(xiàn)功率在線調(diào)整、測試等問題,以壓控振蕩器(Voltage Controlled Os?cillator,VCO)、多級放大器等器件構(gòu)建的固態(tài)微波源可提供穩(wěn)定的頻率,功率在線調(diào)整。其中,噪聲低、增益高的砷化鎵場效應(yīng)晶體管(Gallium Arsenide Field Ef?fect Transistor,GaAs FET)常用于設(shè)計低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關(guān)等[4]。然而,砷化鎵半導(dǎo)體器件要求在供電時,須先有VGS再有VDS,斷電時,須先斷開VDS再斷開VGS,否則GaAs功率放大器將被燒毀[5]。本文參照文獻(xiàn)[6]的電路設(shè)計,給出了一種按指定順序提供電壓的控制電路確保GaAs FET放大器的安全,并控制放大器在連續(xù)波、脈沖波狀態(tài)下工作的電路設(shè)計方案。根據(jù)推動功率放大器GaAs晶體管的需求,采用STM32F系列芯片對放大器的工作狀態(tài)進(jìn)行控制。測試結(jié)果表明,采用電路和算法相結(jié)合的控制方法,可以有效檢測上電故障,達(dá)到保障上電和控制放大器工作狀態(tài)的作用。

        1 電路結(jié)構(gòu)

        本文設(shè)計的GaAs放大器控制系統(tǒng)主要由硬件和軟件兩部分構(gòu)成,硬件電路主要是控制電路和采用Cortex-M3內(nèi)核的STM32微控制器[7],軟件部分主要負(fù)責(zé)控制放大器工作狀態(tài)、打開或關(guān)閉控制電路。總體結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,-5V電源直接給放大器供電,但是+12V電源通過控制電路給放大器供電;控制電路為一常斷開關(guān),在接收到STM32的+3.3V控制電壓后閉合,+12V電壓給放大器供電,放大器開始工作。STM32必須滿足兩個條件才給出控制電壓:一是給放大器供電的-5V電壓必須存在,二是接到可以給出控制電壓的命令,二者缺一不可。

        圖1 GaAs放大器控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

        2 硬件設(shè)計

        MOSFET(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的電壓控制晶體管,適合做開關(guān)[8]。不同型號的GaAs功率放大器需要的電流從零點幾A到數(shù)A不等,考慮到通用型和富余度,本文選用能承受電流、功率適合的IXTP26P20PMOSFET管,其ID為-26A,適用于裝置中驅(qū)動微波射頻功率放大器;三極管選用實驗室常用、性能穩(wěn)定的MMBT2222A。

        設(shè)計的上電順序控制電路如圖2所示,其輸出端子X1向放大器提供+12V電源,X2接直流電源+12V,X3為STM32的控制電壓輸出端,可以提供+3.3V電壓,X4為+5V電壓,X5接-5V電壓。其工作原理為當(dāng)X3處電壓為0V(低電平)或者X5處電壓為-5V時,VT2不導(dǎo)通,Q1不工作,X1處電壓為0V;當(dāng)X3處電壓為+3.3V且X5處為-5V時,VT1、VT2導(dǎo)通,Q1開始工作,X1處輸出電壓從低電平提高為+12V。STM32通過提供+3.3V電壓控制GaAs FET+12V電壓的上電和斷電。當(dāng)需要連續(xù)波時,X3處持續(xù)加載+3.3V且X5處持續(xù)加載-5V;當(dāng)需要脈沖時,X5處持續(xù)加載-5V,X3處由STM32給出脈沖信號,通過控制信號的時間長短來確定脈沖信號的周期和占空比。圖3給出了設(shè)計電路的PCB圖。

        圖2 控制電路原理圖

        電路仿真波形和RIGOLDS2202示波器顯示的實測5Hz、占空比50%控制波形的比較,如圖4所示,當(dāng)端口X3、X4均為高電平時,X1輸出高電平;當(dāng)X3為高電平、X4為低電平或者X3為低電平、X4為高電平時,X1輸出低電平,電路的性能滿足上電和斷電順序要求。

        圖3 控制電路PCB圖

        圖4 電路仿真波形和實測波形圖

        在放大電路加電順序正確的前提下,輸入2.45GHz、19.80dBm的連續(xù)波,經(jīng)過GaAs功率放大器,再經(jīng)30dB衰減器接入DSA1030A頻譜分析儀測試其輸出功率為2.53dBm,如圖5所示。放大器輸出的信號實際功率32.53dBm,工作正常。

        利用如圖6左邊框圖的電路,測試當(dāng)GaAs放大器脈沖工作特性。STM32輸出重復(fù)頻率為10KHz占空比為20%的控制信號,連續(xù)波輸入的2.45GHz信號,在經(jīng)過放大器后,下變頻到10 MHz的波形,在RIGOL DS2202示波器上得到的測試波形,如圖6所示,說明設(shè)計的控制電路可以提供脈沖放大作用。

        圖5 連續(xù)RF信號經(jīng)過GaAs功率放大器前后的頻譜

        圖6 脈沖調(diào)制的RF信號的波形

        3 軟件設(shè)計

        STM32控制上電與斷電電路的工作流程如下:當(dāng)設(shè)備總電源開關(guān)打開時,-5V電壓加載到GaAs放大器的柵極(Gate)。當(dāng)控制程序參數(shù)初始化設(shè)置完畢,檢測-5V電壓存在,延時0.5s后提供+3.3V控制電壓,上電控制電路MOSFET導(dǎo)通,向GaAs放大器提供+12V電壓。當(dāng)總電源開關(guān)關(guān)閉時,STM32芯片及其輸出的控制電壓立即中斷,放大器的漏極+12V電壓(Drain)斷開;放大器的柵極并聯(lián)了一個大電容,總電源斷電后,電容提供-5V電壓,直至電能耗盡;當(dāng)需要人為中斷工作時,由STM32中斷控制電壓,放大器的+12V電壓首先中斷,放大器停止工作。STM32通過+3.3V電壓控制了放大器+12V電壓的開和關(guān),實現(xiàn)了放大器上電、斷電順序的控制。

        當(dāng)需要連續(xù)波時,控制電路持續(xù)為放大器供電;當(dāng)需要脈沖時,STM32通過控制PWM輸出脈沖寬度和占空比,控制+12V電壓的通斷,從而實現(xiàn)控制GaAs放大器脈沖放大的作用。

        放大器可工作于連續(xù)放大、脈沖放大、先連續(xù)波再脈沖波輸出、先脈沖波再連續(xù)波輸出等模式。連續(xù)放大模式如圖7所示,首先選擇連續(xù)波模式,設(shè)置連續(xù)放大工作時長Tc,延時0.5秒后,STM32立即給出+3.3V控制電壓,放大器開始工作。當(dāng)計數(shù)器時間與設(shè)置的工作時間Tc相等時,STM32 PWM波輸出低電平,放大器停止工作。

        脈沖放大模式的控制流程如圖8所示,首先選擇脈沖放大模式,設(shè)置脈沖工作時長Tp,設(shè)置脈沖放大的周期 Tt(Tt<Tp)、占空比 a(0<a<1),在一個周期 Tt內(nèi),STM32先給出Tt*a時間的+3.3V控制電壓,再給出Tt*(1-a)時間的0V電壓,累計工作時長Tp。

        先連續(xù)放大后脈沖放大模式工作流程如圖9所示,首先設(shè)置總工作時長Tz,再設(shè)置連續(xù)波工作時長Tc(0<Tc<Tz),爾后設(shè)置脈沖波的工作時長 Tp、周期 Tt(2Tt<(Tz-Tc))、占空比 a(a<1),STM32 分別輸出 Tc時間的控制電壓,再給出Tp時間的脈沖控制電壓。先脈沖波后連續(xù)波模式工作流程如圖10所示,工作流程與圖9類似,參數(shù)設(shè)置完后,STM32先給出Tp時長的脈沖控制電壓,再給出Tc時長的持續(xù)控制電壓。

        4 結(jié)語

        本文設(shè)計的由電路和STM32組成的控制系統(tǒng),與文獻(xiàn)[6]相比增加了軟件檢測功能,通過GaAs射頻功率放大器上電、斷電順序的控制和上電時間的控制,實現(xiàn)了脈沖、連續(xù)放大功能。放大器可工作于連續(xù)放大、脈沖放大、先連續(xù)放大后脈沖放大、先脈沖放大后連續(xù)放大等四種模式,能檢測-5V的Vgs是否存在,確保放大器安全工作。通過實測表明系統(tǒng)監(jiān)測能力強(qiáng)、穩(wěn)定性高,方便與其他電路集成,具有較好的普適性。

        圖7 連續(xù)波模式工作流程圖

        圖8 脈沖波模式工作流程圖

        圖9 先連續(xù)波后脈沖波模式工作流程圖

        圖10 先脈沖波后連續(xù)波模式工作流程圖

        參考文獻(xiàn):

        [1]何應(yīng)欽.微波促進(jìn)有機(jī)合成與研究[J].廣東化工,2011,38(3):232-233.

        [2]劉曉冬,徐冶,王曉軍,等.微波輻射非熱效應(yīng)對A549細(xì)胞損傷反應(yīng)的研究[J].中外醫(yī)療,2013,32(6):21-23.

        [3]裴劍,黃欣,陳樹德,等.高功率脈沖微波細(xì)胞生物效應(yīng)中脈沖個數(shù)與效應(yīng)的關(guān)系研究[J].輻射防護(hù),2012,32(1):1-7.

        [4]張利飛.微波固態(tài)功率放大器的研制[D].杭州電子科技大學(xué),2010.

        [5]張旭明.衛(wèi)星廣播電視地球站固態(tài)高功率放大器性能分析[J].廣播電視信息,2017(4):76-77.

        [6]王建躍,耿亮,徐小帆.一種GaN功率放大器的電源時序控制和調(diào)制電路,CN 204761400U[P].2015.

        [7]王曉龍,穆春陽,張盼盼,等.基于STM32的智能筆筒設(shè)計[J].電子科技,2015,28(8):43-46.

        [8]鄭潔,串禾.MOSFET開關(guān)的驅(qū)動[J].電力電子技術(shù),1998(1):92-94.

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