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        PDCA循環(huán)在微電子器件設(shè)計(jì)實(shí)踐課程中的應(yīng)用

        2018-04-16 07:11:12大連東軟信息學(xué)院電子工程系孫曉東宋文斌
        電子世界 2018年16期
        關(guān)鍵詞:微電子器件計(jì)劃

        大連東軟信息學(xué)院電子工程系 孫曉東 宋文斌 宗 楊 王 莉

        0 引言

        2017年工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心發(fā)布的《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(2016-2017)》介紹,集成電路融合了電子信息、物理、化學(xué)、材料自動(dòng)工程等40多種科學(xué)技術(shù)及工程領(lǐng)域,集成電路人才,特別是高端人才需要具備綜合知識(shí)背景。目前需要70萬(wàn)人投入到該產(chǎn)業(yè)中來(lái),人才的不足導(dǎo)致我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新緩慢。一方面各大高校加強(qiáng)微電子科學(xué)與工程專業(yè)的人才培養(yǎng),今年3月發(fā)布的《2017年度普通高等學(xué)校本科專業(yè)備案和審批結(jié)果的通知》顯示,有6所高校增加了微電子工程專業(yè),其中包括同濟(jì)大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、河南理工大學(xué)、湖南理工學(xué)院、河南師范大學(xué)、重慶郵電大學(xué)移通學(xué)院。另一方面,傳統(tǒng)的人才培養(yǎng)模式也暴露出自身的問(wèn)題。學(xué)生僅僅掌握理論知識(shí),實(shí)踐能力薄弱,自主學(xué)習(xí)意識(shí)欠缺,創(chuàng)新性不夠,同企業(yè)人才需求相差較大。

        本文在微電子器件設(shè)計(jì)實(shí)踐課程中引入企業(yè)的質(zhì)量管理PDCA((Plan-Do-Check-Act)循環(huán),將企業(yè)管理模式引入正常教學(xué),旨在提高學(xué)生自主思考、改進(jìn)和創(chuàng)新等意識(shí)。

        1 教學(xué)現(xiàn)狀分析

        傳統(tǒng)的課堂教學(xué)模式是一種以老師為中心、書本為中心和課堂為中心的教學(xué)模式。這種教學(xué)模式往往會(huì)形成了老師單向灌輸、學(xué)生被動(dòng)接受的局面,可以看出傳統(tǒng)教學(xué)模式的缺陷是作為認(rèn)知主體的學(xué)生在整個(gè)教學(xué)過(guò)程中都始終處于被動(dòng)地接受知識(shí)的地位,學(xué)生學(xué)習(xí)的主動(dòng)性被忽視,甚至被壓抑。很顯然,這與微電子領(lǐng)域?qū)θ瞬排囵B(yǎng)的要求是不相符合的,這種模式擔(dān)負(fù)不了培養(yǎng)高素質(zhì)的創(chuàng)造性人才的重?fù)?dān),因此,改變傳統(tǒng)教學(xué)模式,建立適應(yīng)企業(yè)需求的課堂模式勢(shì)在必行。

        2 PDCA應(yīng)用

        PDCA循環(huán)的含義是將質(zhì)量管理分為四個(gè)階段,即計(jì)劃(plan)、執(zhí)行(do)、檢查(check)、處理(action)。在質(zhì)量管理活動(dòng)中,要求把各項(xiàng)工作按照計(jì)劃制定、計(jì)劃實(shí)施、檢查實(shí)施效果,然后將成功的納入標(biāo)準(zhǔn),不成功的留待下一循環(huán)去解決的工作方法,這是質(zhì)量管理的基本方法,也是企業(yè)管理各項(xiàng)工作的一般規(guī)律。將該管理方法應(yīng)用到微電子實(shí)踐課程中將有助于學(xué)生自主推動(dòng)實(shí)踐項(xiàng)目,提高實(shí)踐能力。

        2.1 Plan計(jì)劃

        計(jì)劃階段,主要是分析現(xiàn)狀,發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。強(qiáng)調(diào)的是對(duì)現(xiàn)狀的把握和發(fā)現(xiàn)問(wèn)題的意識(shí)、能力,發(fā)現(xiàn)問(wèn)題是解決問(wèn)題的第一步,是分析問(wèn)題的條件。其中課題是切入點(diǎn),明確主題后需要設(shè)定一個(gè)活動(dòng)目標(biāo),也就是規(guī)定活動(dòng)所要做到的內(nèi)容和達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。目標(biāo)可以是定性+定量化的,能夠用數(shù)量來(lái)表示的指標(biāo)要盡可能量化,不能用數(shù)量來(lái)表示的指標(biāo)也要明確。目標(biāo)是用來(lái)衡量實(shí)驗(yàn)效果的指標(biāo),所以設(shè)定應(yīng)該有依據(jù),要通過(guò)充分的現(xiàn)狀調(diào)查和比較來(lái)獲得。接著需要找出各種方案并確定最佳方案,區(qū)分主因和次因是最有效解決問(wèn)題的關(guān)鍵。有了好的方案,其中的細(xì)節(jié)也不能忽視,計(jì)劃的內(nèi)容如何完成好,需要將方案步驟具體化,逐一制定對(duì)策,明確回答出方案中的"5W1H"即:為什么制定該措施(Why)、達(dá)到什么目標(biāo)(What)、在何處執(zhí)行(Where)、由誰(shuí)負(fù)責(zé)完成(Who)、什么時(shí)間完成(When)、如何完成(How)。使用過(guò)程決策程序圖或流程圖,方案的具體實(shí)施步驟將會(huì)得到分解。

        在微電子實(shí)踐項(xiàng)目中,項(xiàng)目只給出需求,即要求學(xué)生設(shè)計(jì)一款VDMOS(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體:Vertically Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)器件。學(xué)生分組組成團(tuán)隊(duì)之后,首先需要進(jìn)行大量的調(diào)研,了解什么是VDMOS器件,該器件的結(jié)構(gòu),工作原理,性能指標(biāo)及市場(chǎng)需求等信息。然后根據(jù)調(diào)研結(jié)果,制定VDMOS器件性能指標(biāo),再根據(jù)制定指標(biāo)進(jìn)行任務(wù)細(xì)化,采取任務(wù)分解方式,制定WBS(Work Break-down System),將任務(wù)細(xì)化,細(xì)化到每個(gè)人每天需要完成的任務(wù),制定每個(gè)任務(wù)完成的時(shí)間點(diǎn),便于后續(xù)項(xiàng)目的跟蹤和管理。

        2.2 Do實(shí)施

        實(shí)施階段按照預(yù)定的計(jì)劃、標(biāo)準(zhǔn),根據(jù)已知的內(nèi)外部信息,設(shè)計(jì)出具體的行動(dòng)方法、方案,進(jìn)行布局。再根據(jù)設(shè)計(jì)方案和布局,進(jìn)行具體操作,努力實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)的過(guò)程。

        在這個(gè)階段,學(xué)生需要根據(jù)計(jì)劃階段制定的WBS來(lái)進(jìn)行具體實(shí)施。在本次實(shí)踐項(xiàng)目中,學(xué)生首先要根據(jù)計(jì)劃中的VDMOS性能指標(biāo),根據(jù)VDMOS原理來(lái)進(jìn)行器件的參數(shù)設(shè)計(jì),參數(shù)設(shè)計(jì)后需要設(shè)計(jì)出工藝流程圖,接下來(lái)利用TCAD軟件進(jìn)行VDMOS器件的工藝仿真,工藝仿真中涉及到半導(dǎo)體工藝中的氧化、離子注入、擴(kuò)散、刻蝕等工藝。工藝完成制備出VDMOS器件后,繼續(xù)用TCAD軟件進(jìn)行器件的性能仿真。

        2.3 Check檢查

        檢查階段確認(rèn)實(shí)施方案是否達(dá)到了目標(biāo)。方案是否有效、目標(biāo)是否完成,需要進(jìn)行效果檢查后才能得出結(jié)論。將采取的對(duì)策進(jìn)行確認(rèn)后,對(duì)采集到的證據(jù)進(jìn)行總結(jié)分析,把完成情況同目標(biāo)值進(jìn)行比較,看是否達(dá)到了預(yù)定的目標(biāo)。如果沒(méi)有出現(xiàn)預(yù)期的結(jié)果時(shí),應(yīng)該確認(rèn)是否嚴(yán)格按照計(jì)劃實(shí)施對(duì)策,如果是,就意味著對(duì)策失敗,那就要重新進(jìn)行最佳方案的確定。

        在檢查階段,學(xué)生需要檢查VDMOS器件的性能仿真結(jié)果。比如學(xué)生計(jì)劃設(shè)計(jì)的VDMOS器件是耐高壓,擊穿電壓達(dá)到600V,但是器件仿真出的結(jié)果只有300V,可見(jiàn)該仿真結(jié)果沒(méi)有達(dá)到預(yù)定的目標(biāo)。

        2.4 Act處置

        處置階段主要進(jìn)行問(wèn)題總結(jié),處理遺留問(wèn)題。所有問(wèn)題不可能在一個(gè)PDCA循環(huán)中全部解決,遺留的問(wèn)題會(huì)自動(dòng)轉(zhuǎn)進(jìn)下一個(gè)PDCA循環(huán),如此,周而復(fù)始,螺旋上升。

        在處置階段,需要全體成員根據(jù)檢查階段的結(jié)果進(jìn)行分析。在上述例子中,實(shí)際仿真出的擊穿電壓僅有300V同預(yù)計(jì)的600V有較大偏差,項(xiàng)目組成員需要從參數(shù)設(shè)計(jì),工藝流程,工藝仿真,器件仿真等幾個(gè)方面入手,分析每一步的實(shí)施過(guò)程,找出問(wèn)題出現(xiàn)的原因。

        在該例子中出現(xiàn)擊穿電壓偏差的原因有可能是在參數(shù)計(jì)算的時(shí)候就出現(xiàn)了問(wèn)題,這種問(wèn)題將直接導(dǎo)致?lián)舸╇妷翰环弦?。也有可能是工藝流程設(shè)計(jì)的時(shí)候不正確,也有可能在工藝仿真的時(shí)候出現(xiàn)的問(wèn)題,導(dǎo)致流程單中的工藝步驟沒(méi)有被正確的模擬,還有可能就是器件仿真的時(shí)候沒(méi)有進(jìn)行正確的仿真。這幾個(gè)階段都要一個(gè)一個(gè)確認(rèn),直到找到影響擊穿電壓出現(xiàn)偏差的原因。

        學(xué)生在找出問(wèn)題發(fā)生原因后需要進(jìn)一步分析發(fā)生這樣問(wèn)題的原因,進(jìn)行整理并列出解決辦法,以便于在下一個(gè)PDCA循環(huán)中進(jìn)行實(shí)施。對(duì)于解決方案效果不顯著的或者實(shí)施過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題,再進(jìn)行總結(jié),直至最終器件的性能滿足設(shè)計(jì)的目標(biāo),該項(xiàng)目能夠順利完成。

        3 效果分析

        通過(guò)在微電子器件設(shè)計(jì)實(shí)踐課程中引入PDCA循環(huán)管理,按照企業(yè)流程進(jìn)行項(xiàng)目的管理,通過(guò)制定計(jì)劃,實(shí)施,測(cè)試,分析這四個(gè)階段,學(xué)生都需要積極參與到項(xiàng)目中,學(xué)生自主參與項(xiàng)目的積極性增強(qiáng)。在計(jì)劃中積極調(diào)研項(xiàng)目,制定計(jì)劃。實(shí)施階段能夠按照計(jì)劃推進(jìn)各自的工作。檢查和處置階段,進(jìn)行問(wèn)題的分析,使學(xué)生的思想方法和工作步驟更加條理化、系統(tǒng)化、圖像化和科學(xué)化。

        4 結(jié)論

        本文在微電子器件設(shè)計(jì)實(shí)踐課程中引入了企業(yè)中的PDCA循環(huán)管理流程,學(xué)生自主設(shè)計(jì)并完成VDMOS器件。將企業(yè)管理流程引入傳統(tǒng)的教學(xué)中,提高學(xué)生學(xué)習(xí)能動(dòng)性,這將有助于減少學(xué)生同企業(yè)人才需求的差距。該教學(xué)方式目前在微電子器件設(shè)計(jì)實(shí)踐課程中取得良好的效果,將會(huì)被推廣到微電子其他實(shí)踐課程中。

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