孫永剛,孔慧華,張海嬌
(中北大學(xué) 信息探測(cè)與處理山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 太原 030051)
隨著X射線CT成像技術(shù)的發(fā)展日益成熟, CT成像技術(shù)在國(guó)民生活各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。目前CT成像的研究主要針對(duì)傳統(tǒng)單能CT和多能譜CT。傳統(tǒng)單能CT容易出現(xiàn)射束硬化現(xiàn)象,且圖像質(zhì)量不高,因此多能CT應(yīng)用而生。多能CT成像的仿真模擬成本高昂,利用計(jì)算機(jī)搭建平臺(tái)模擬CT成像是一種更好的方法。陳平等[1]使用計(jì)算機(jī)平臺(tái)對(duì)能譜進(jìn)行濾波實(shí)現(xiàn)了CT成像的仿真。楊曉飛等[2]在計(jì)算機(jī)平臺(tái)上構(gòu)建雙層探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了對(duì)雙能CT的模擬。但這些模擬只是針對(duì)雙能傳統(tǒng)CT探測(cè)器,無(wú)法同時(shí)獲得多能譜下的投影。多層閃爍探測(cè)器可以探測(cè)到X射線中每一個(gè)光子的能量并判斷其所屬能量區(qū)間,進(jìn)而對(duì)在不同能譜下的光子進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理,并生成投影圖像。該探測(cè)器與傳統(tǒng)CT探測(cè)器的區(qū)別在于其能同時(shí)判斷出所屬能量區(qū)間的光子數(shù),繼而得到每個(gè)能量段下的投影圖像,比傳統(tǒng)探測(cè)器效率更高且投影效果更好。本文所搭建的蒙特卡羅模擬仿真平臺(tái)利用Geant4及GATE數(shù)據(jù)包來(lái)模擬CT成像過(guò)程。
CT成像系統(tǒng)主要包括X 射線源、掃描模體、X射線探測(cè)器、計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)等,其主要部分X射線探測(cè)器有線陣探測(cè)器和面陣探測(cè)器。平臺(tái)搭建時(shí)需分別對(duì)射線源、模體及探測(cè)器進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)計(jì),以最大程度地完成對(duì)系統(tǒng)的模擬。根據(jù)上述原理,構(gòu)建出的錐束CT系統(tǒng)模型如圖1所示。
蒙特卡羅模擬平臺(tái)所使用的Geant4是模擬粒子穿過(guò)物體的物理過(guò)程的一個(gè)數(shù)據(jù)包,它包含了X射線穿過(guò)物體時(shí)所有可能發(fā)生的物理現(xiàn)象。因此,相對(duì)其他模擬方法,Geant4數(shù)據(jù)包能更真實(shí)有效地進(jìn)行CT模擬仿真。
本文主要在Windows系統(tǒng)上使用Cygwin虛擬環(huán)境軟件安裝Geant4模擬仿真數(shù)據(jù)包。Cygwin是Red Hat公司開(kāi)發(fā)的Linux虛擬平臺(tái)軟件,可在Windows平臺(tái)上運(yùn)行Linux系統(tǒng)和搭建好的蒙特卡羅模擬平臺(tái)。在安裝時(shí)需要Clhep以及VC++2010對(duì)Geant4數(shù)據(jù)包進(jìn)行環(huán)境變量的設(shè)置,并在安裝完成后運(yùn)行數(shù)據(jù)包自帶的實(shí)例來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)包是否安裝完成[3]。
圖2 GATE結(jié)構(gòu)
在Geant4數(shù)據(jù)包安裝完成后,需安裝CT掃描模擬軟件GATE以及數(shù)據(jù)處理軟件ROOT,對(duì)Geant4模擬得出的能譜數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析并生成投影文件。同時(shí),在GATE軟件中定義入射光子數(shù)(即光子強(qiáng)度I)模擬在一定能譜下的CT投影過(guò)程。
GATE是模擬CT成像的軟件,其結(jié)構(gòu)包含用戶層、應(yīng)用層、核心層及Geant4數(shù)據(jù)包。在用戶層可以將Gean4模擬得出的能譜編譯成mac數(shù)據(jù)文件,通過(guò)設(shè)置射線源、模體及探測(cè)器模擬投影過(guò)程,GATE結(jié)構(gòu)如圖2所示。
ROOT是對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析的軟件包,利用ROOT可以對(duì)Geant4生成的能譜數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,得到可輸入到GATE的能譜文件。在Cygwin中安裝GATE軟件包,在設(shè)置好環(huán)境變量后,再安裝ROOT數(shù)據(jù)處理軟件。
在利用Geant4模擬X射線粒子穿過(guò)物體時(shí),首先需要在Geant4程序中設(shè)置相關(guān)參數(shù):在Primary Generator Action文件中定義入射粒子的種類(lèi)、入射能量以及入射方向;然后在Detector Messenger文件中根據(jù)所需要模擬的物體材料及形狀進(jìn)行定義[4];最后在Stepping Action文件中編寫(xiě)輸出文件,從而得到能譜數(shù)據(jù),輸入到basic文件中,至此完成粒子在Geant4平臺(tái)上的參數(shù)設(shè)置。在此過(guò)程中,可以在Event Action中加入所需的物理反應(yīng)過(guò)程,比如康普頓散射、瑞利散射及X射線的衰減,因而相比其他模擬仿真手段,Geant4模擬仿真能更加客觀、真實(shí)地模擬對(duì)X射線的探測(cè)過(guò)程。
利用Geant4得到basic文件后,需要用ROOT數(shù)據(jù)分析軟件對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析統(tǒng)計(jì),得到在一定的入射管電壓下的能譜數(shù)據(jù)Source.mac文件,在該文件中設(shè)置點(diǎn)源的位置及對(duì)應(yīng)入射電壓下的能譜數(shù)據(jù)。在GATE中,可設(shè)置γ光子、正負(fù)電子等相關(guān)粒子,包括一些放射性核素的衰變時(shí)間、放射粒子的放射過(guò)程。電磁過(guò)程用來(lái)模擬粒子間的電磁相互作用。λ稱(chēng)為粒子作用的路徑長(zhǎng)度,由式(1)表示。
(1)
其中σ(Zi,E)表示射線所穿過(guò)含有原子i材料的橫截面。
Geant4支持的粒子分布主要有線性分布、均勻分布、高斯分布以及用戶自定義的柱狀分布。在GATE中通過(guò)設(shè)置軸向及徑向夾角來(lái)定義二維和三維的發(fā)射粒子源。對(duì)于X放射源集合形狀的定義,GATE提供的射線源分布類(lèi)型有“Point”“Plant”“Volume”“Surface”等,每一種分布類(lèi)型又包含不同的放射源幾何體類(lèi)型。這里為了便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì),一般采用的粒子分布為高斯分布,高斯模型為
(2)
Phantom.mac可以對(duì)掃描物體進(jìn)行設(shè)置,設(shè)置的參數(shù)包含物體的材料、大小、形狀以及放置的坐標(biāo)。對(duì)于物體材料的設(shè)置,可以在GATE提供的材料定義模塊Material.xml中定義,由物質(zhì)的密度、原子數(shù)來(lái)定義需要的材料。在GATE平臺(tái)可以設(shè)置長(zhǎng)方體(box)、球體(sphere)、圓柱體(cylinder)等幾種不同的模體形狀。如果想在一個(gè)模體中設(shè)置其他不同的模體,定義復(fù)雜的幾何結(jié)構(gòu),可在GATE中通過(guò)設(shè)置母體與子體的繼承關(guān)系來(lái)實(shí)現(xiàn)。這里設(shè)置一個(gè)母體為整個(gè)平臺(tái)(world)的圓柱體,并設(shè)置填充材料、幾何體大小及位置。類(lèi)似地,可以繼續(xù)以圓柱體為母體設(shè)置其子體,方法與之前相同。這樣就完成了對(duì)CT系統(tǒng)中模體的設(shè)置。通常在GATE平臺(tái)上,模體在模擬的過(guò)程會(huì)自動(dòng)圍繞中心軸旋轉(zhuǎn),也可設(shè)置模體靜止不動(dòng),讓點(diǎn)源圍繞模體自動(dòng)旋轉(zhuǎn),從而得到投影數(shù)據(jù)。通過(guò)在Acquisition.mac文件中設(shè)置每次旋轉(zhuǎn)的時(shí)間間隔以及總時(shí)間決定旋轉(zhuǎn)次數(shù),即投影數(shù)據(jù)文件的個(gè)數(shù)。最后,在Output.mac文件中設(shè)定輸出投影文件的數(shù)據(jù)格式,再利用Matlab程序?qū)Φ玫降耐队皵?shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從而得到投影圖像。
在Geant4模擬X射線穿過(guò)物體的過(guò)程中,會(huì)發(fā)生康普頓散射、瑞利散射及X射線衰減等物理現(xiàn)象。由光電效應(yīng)可知,電子在原子中的束縛能只相當(dāng)于紫外光子的能量,比X光子的能量小得多。因此,康普頓效應(yīng)可看作X光子與自由電子的散射,電子在散射前靜止,其散射公式如下:
Δλ=λ-λ0=λe(1-cosθ)
(3)
(4)
式(3)稱(chēng)為康普頓方程,Δλ稱(chēng)為康普頓位移。式(4)稱(chēng)為電子的康普頓波長(zhǎng)[5]。
對(duì)于閃爍探測(cè)器的材料,一般采用碘化鈉(NaI)、硅酸釓(GSO)和碘化銫(CSI)來(lái)區(qū)分光子所屬的能量區(qū)間。針對(duì)探測(cè)器厚度的選擇,可根據(jù)楊曉飛等的結(jié)論:在設(shè)定每個(gè)晶體單元的厚度為1.5 mm時(shí),探測(cè)器的探測(cè)效率最高。除了探測(cè)器厚度及材料外,還需要確定探測(cè)器的晶體設(shè)置對(duì)圖像的影響。首先設(shè)定所需的晶體探測(cè)器;然后利用Geant4模擬計(jì)數(shù)器對(duì)探測(cè)器接收到的光子數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì);最后按照GATE所支持的3種格式進(jìn)行輸出,分別為ROOT、ASCII及RAW投影數(shù)據(jù)。在設(shè)定好所截取的閾值T1、T2后,Geant4會(huì)記錄在截取的能量范圍內(nèi)探測(cè)器所接收到的光子數(shù),一個(gè)光子數(shù)對(duì)應(yīng)一個(gè)事件,即光子從射線源穿過(guò)物體到達(dá)探測(cè)器的過(guò)程,最終輸出模擬數(shù)據(jù)并記錄在Singles.data的二進(jìn)制文件里。所有在模擬過(guò)程中產(chǎn)生的粒子記錄在Hits.data的文件里。因此,可根據(jù)所截取的能量段計(jì)算光子的強(qiáng)度及投影值:I(T1,T2)和P(T1,T2)。對(duì)每個(gè)事件都要調(diào)用輸出管理器,即使衰變的粒子沒(méi)有到達(dá)探測(cè)器。這里還需要注意的是,由于粒子的衰變受事件的隨機(jī)特性支配,所以處理過(guò)的衰變粒子的數(shù)量可能與預(yù)期的數(shù)字有輕微的不同,表示為:
N=A×Δt
(5)
其中:A表示記錄到的粒子數(shù);Δt表示衰變時(shí)間[6]。
對(duì)于多層閃爍探測(cè)器來(lái)說(shuō),當(dāng)探測(cè)器吸收光子時(shí),將產(chǎn)生一個(gè)光譜,它的電壓與能量沉積成正比。所得到的光譜包含多個(gè)能量通道,探測(cè)器所能截取的能譜范圍為截取閾值。當(dāng)接受的光譜能量高于閾值時(shí),將記錄下一個(gè)光子數(shù)。這樣可以得到每個(gè)能量通道上所對(duì)應(yīng)的光子數(shù),設(shè)定多個(gè)能量閾值即可得到多個(gè)能譜下的光子數(shù)。對(duì)于給定一個(gè)能量閾值T1,探測(cè)器所接收到的光子強(qiáng)度為
(6)
其中:E∈[0,∞)表示能量;I0(E)表示從X射線源發(fā)射的光子強(qiáng)度;D(E)表示探測(cè)器的探測(cè)效率;I(T1)表示探測(cè)器接收到的光子強(qiáng)度;l表示射線路徑;μ(E,l)表示在能量E下的衰減系數(shù)。
當(dāng)設(shè)定2個(gè)能量閾值0 (7) 與傳統(tǒng)CT相同,利用對(duì)數(shù)運(yùn)算可以近似表示能量在T1 (8) 利用單個(gè)板狀探測(cè)器一次模擬得到的是一段能譜下的投影結(jié)果,而多層閃爍探測(cè)器區(qū)別于傳統(tǒng)探測(cè)器,可以同時(shí)得到多個(gè)能譜段下的投影數(shù)據(jù),因此探測(cè)效率大幅提高。多層閃爍探測(cè)器需要多個(gè)不同材料的板狀晶體探測(cè)器來(lái)同時(shí)截取多個(gè)能譜,以此實(shí)現(xiàn)對(duì)多能的模擬。由于模擬所需的時(shí)間及其他條件較多,所以這里構(gòu)建3層閃爍探測(cè)器為模擬對(duì)象,每層探測(cè)器分別由像素相同的3種晶體材料組成,利用晶體在不同條件下對(duì)能譜的識(shí)別來(lái)同時(shí)獲得多能譜下的CT投影。 圖3 模擬實(shí)驗(yàn)參數(shù) 點(diǎn)源是一個(gè)可發(fā)射光子數(shù)為15×106bq的X射線源。所掃描的模體是一個(gè)充滿水的圓柱體,其內(nèi)部放置了兩個(gè)材料為硅(Si)和硫(S)且半徑均為1 mm的小球。模型的物距和像距都是150 mm,可繞中軸線逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)次數(shù)由每次旋轉(zhuǎn)的時(shí)間和所選取的最大旋轉(zhuǎn)角度決定,一般是1 s旋轉(zhuǎn)1°。模擬仿真模型及模體橫截面如圖3所示。模體中的具體參數(shù)如表1所示。 由于構(gòu)成閃爍探測(cè)器的晶體材料、種類(lèi)及厚度對(duì)探測(cè)器截取能譜會(huì)有影響,因此需要對(duì)多層閃爍探測(cè)器驗(yàn)證所能截取的能譜范圍。首先確定所選單個(gè)晶體單元的形狀及晶體探測(cè)面積大小,這里的晶體探測(cè)面積可理解為晶體單元接收光子的面積。根據(jù)劉延等的研究理論,設(shè)定探測(cè)器是一個(gè)包含256×256個(gè)單元的板狀探測(cè)器,晶體探測(cè)面積的大小以及形狀都會(huì)影響探測(cè)器對(duì)光子的探測(cè)效率,所以每個(gè)探測(cè)單元的表面積不宜過(guò)大,以獲得更高的探測(cè)效率。在蒙特卡羅平臺(tái)設(shè)置由厚度為1.5 mm且探測(cè)面積均相同的正方體、圓柱和三棱柱探測(cè)晶體所組成的單層板狀探測(cè)器,分別模擬3種形狀的晶體對(duì)光子的探測(cè)效率,以此確定晶體的形狀[7]。探測(cè)效率如表2所示。 表1 模體中設(shè)置的參數(shù) 表2 不同形狀下的晶體探測(cè)效率 對(duì)比蒙特卡羅模擬結(jié)果可以看出:正方形晶體的探測(cè)效率比其他形狀的晶體探測(cè)效率要高,由此確定探測(cè)器的晶體單元為1.5 mm×1.5 mm×1.5 mm的正方形晶體。 之后即可驗(yàn)證由NaI、GSO及CSI晶體構(gòu)成的探測(cè)器對(duì)能譜的識(shí)別范圍。利用蒙特卡羅模擬平臺(tái)分別模擬由3種大小為1.5 mm×1.5 mm×1.5 mm的正方體晶體材料所構(gòu)成的單層閃爍探測(cè)器,其像素為256×256。分別做出3個(gè)單層探測(cè)器的能譜圖像,并對(duì)結(jié)果進(jìn)行高斯擬合,結(jié)果如圖4所示。 在對(duì)3個(gè)能譜圖像進(jìn)行擬合后可得出探測(cè)器的探測(cè)效率會(huì)在其中一段能譜范圍內(nèi)達(dá)到最高,從而確定探測(cè)器可識(shí)別的能譜范圍[8]。以NaI晶體組成的探測(cè)器所能識(shí)別的能譜范圍大致為20~50 keV,GSO晶體探測(cè)器的能譜識(shí)別范圍為60~90 keV,CSI晶體探測(cè)器的能譜識(shí)別范圍為90~120 keV。 圖4 單層探測(cè)器能譜圖像 由于探測(cè)器所需的參數(shù)已知,因此多層閃爍探測(cè)器設(shè)計(jì)時(shí)在原NaI晶體探測(cè)器的基礎(chǔ)上再增加2個(gè)不同晶體材料的探測(cè)器,分別為GSO晶體和CSI晶體。3個(gè)探測(cè)器像素保持一致,都是由256×256個(gè)厚度為1.5 mm的探測(cè)單元組成,選取的管電壓在125 kV以下、入射光子數(shù)為15×106bq[9-10]。為了便于分析統(tǒng)計(jì),物體旋轉(zhuǎn)360°度獲取360個(gè)投影數(shù)據(jù),選取投影角度為10°時(shí)的投影數(shù)據(jù)。根據(jù)之前驗(yàn)證的探測(cè)器能譜識(shí)別的范圍,設(shè)定截取能譜分別是20~50 keV、60~90 keV及90~120 keV,像素為256×256。得到的投影結(jié)果如圖5所示。 圖5 截取能譜20~50 keV、60~90 keV及90~120 keV時(shí)的投影 通過(guò)圖5可以看出:利用多層閃爍探測(cè)器同時(shí)得到了多個(gè)能譜下的投影圖,截取能量過(guò)高或者過(guò)低都會(huì)影響投影。能譜范圍在60~90 keV時(shí)探測(cè)器對(duì)光子吸收效率最高,所以對(duì)物質(zhì)的識(shí)別效果最好。入射光子在不同材料中的衰減系數(shù)不同,因而在投影不同區(qū)域的對(duì)比度差別較大[11-12]。 為了驗(yàn)證平臺(tái)對(duì)多能譜CT成像的模擬效果,本文利用傳統(tǒng)單能CT在相同點(diǎn)源和入射能量下,對(duì)相同模體做出單能譜下的投影,并對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,具體結(jié)果如圖6所示。 圖6 單能譜下的投影模擬結(jié)果 可以看出,在使用3層閃爍探測(cè)器時(shí)截取的多能譜投影的效果遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)單能閃爍探測(cè)器得到的投影效果。傳統(tǒng)單能譜的投影比多能譜噪聲大,物質(zhì)間的成像差異較小,不利于對(duì)物質(zhì)的識(shí)別。因此,在蒙特卡羅模擬平臺(tái)上的模擬結(jié)果與實(shí)際情況吻合,結(jié)果可靠,可以對(duì)多能CT進(jìn)行準(zhǔn)確的模擬實(shí)驗(yàn)。 這里截取投影圖第69行的切片圖像,并利用FBP算法重建圖像做出相應(yīng)灰度圖像。可以看出:重建的結(jié)果符合之前的模擬,驗(yàn)證了實(shí)驗(yàn)的合理性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖7所示。 圖7 實(shí)驗(yàn)結(jié)果 在利用蒙特卡羅平臺(tái)模擬CT成像的過(guò)程中,構(gòu)建多層閃爍探測(cè)器同時(shí)截取到多個(gè)能譜所獲得的投影圖相對(duì)單個(gè)能譜下的圖像噪聲要小,而且對(duì)于物質(zhì)的識(shí)別效果也更加顯著[13-15]。從投影圖可以看出:不同物質(zhì)對(duì)光子的吸收是不同的,對(duì)光子吸收較多的物質(zhì)在投影圖上亮度較高,反之則較暗。 在Linux系統(tǒng)下搭建蒙特卡羅模擬仿真平臺(tái)。在確定好模體的形狀、材料后,通過(guò)對(duì)多層閃爍探測(cè)器的晶體探測(cè)面積、晶體形狀以及能譜截取參數(shù)的確定,完成對(duì)多能譜CT模擬的準(zhǔn)備工作。并在平臺(tái)上編寫(xiě)相關(guān)的模擬程序,模擬出相關(guān)圖像,驗(yàn)證了在蒙特卡羅模擬平臺(tái)的可用性。 通過(guò)在GATE中設(shè)置多層閃爍探測(cè)器,同時(shí)模擬出在多個(gè)能譜下的投影圖像,并利用FBP算法重建切片圖像和灰度圖像進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明:多能譜下的投影對(duì)物體的識(shí)別效果更好,實(shí)現(xiàn)了在蒙特卡羅仿真平臺(tái)上對(duì)多能譜CT成像過(guò)程的模擬。 參考文獻(xiàn): [1]郭蓉,潘晉孝,陳平,等.X射線譜的Geant4模擬及其濾波效應(yīng)研究[J].核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù),2015,35(8):767-769. 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2.1 多層探測(cè)器對(duì)多能CT的模擬
2.2 模擬實(shí)驗(yàn)的射線源及模體的相關(guān)參數(shù)
2.3 探測(cè)器對(duì)能譜的截取范圍
2.4 模擬實(shí)驗(yàn)
2.5 與傳統(tǒng)單能CT的對(duì)比試驗(yàn)
2.6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證
3 結(jié)束語(yǔ)
重慶理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué))2018年3期
——基于深證A股數(shù)據(jù)經(jīng)驗(yàn)
——以袁家村為例