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        Cu/FePt/MgO多層體系的結構和磁性研究

        2018-03-21 09:27:04韓小翠
        電腦知識與技術 2018年3期
        關鍵詞:密度泛函理論晶體結構磁性

        韓小翠

        摘要:采用密度泛函理論(DFT)在廣義梯度近似(GGA)下的平面波贗勢方法,研究了Cu/FePt/MgO體系的晶體結構和磁性。通過幾何優(yōu)化得到了多層體系的晶格常數(shù)、電子和自旋分布以及磁矩的大小。分析了界面處Fe原子、O原子和Cu原子的雜化情況,發(fā)現(xiàn)Fe-O相互作用比Fe-Cu相互作用更強。

        關鍵詞:Cu/FePt/MgO多層體系;密度泛函理論;晶體結構;磁性

        中圖分類號:TB3 文獻標識碼:A 文章編號:1009-3044(2018)03-0242-01

        隨著現(xiàn)代信息技術的迅猛發(fā)展,特別是大數(shù)據(jù)、云存儲等新概念的興起,業(yè)界對高密度、大容量的磁記錄器件的需求越來越強烈,超高密度磁記錄存儲材料的研究成為目前人們孜孜不倦的探求課題。在眾多磁記錄存儲材料介質(zhì)中,L10有序面心四方(fct)結構的FePt二元合金薄膜材料具有高達7×107 ergs/cm3的單軸磁各向異性能(MAE)和高矯頑力,這使它 在高密度磁存儲介質(zhì)材料方面有著廣闊的應用前景[1]。

        實驗上已經(jīng)得出,MgO對于 FePt(001)薄膜的形成很有利,它可以提供面外各向異性從而減小面內(nèi)變體。為增強FePt薄膜的磁各向異性能,前人進行了大量的研究,發(fā)現(xiàn)在FePt/MgO結構上蓋帽能實現(xiàn)MAE的明顯增強。所以在本文中,我們主要對Cu/FePt/MgO多層體系層間距、磁矩和界面雜化情況進行計算和分析。

        1 計算方法

        在計算過程中,我們采用了3層MgO、9層L10-FePt和5層Cu(001),其結構如圖1所示,面內(nèi)晶格常數(shù)固定為,其中a=3.89?為FePt塊體的面內(nèi)晶格常數(shù)。所有計算采用基于密度泛函理論(DFT)的VASP軟件包,在基于廣義梯度近似(GGA)的PBE交換能泛函的基礎上進行。計算采取三步進行,即結構優(yōu)化、靜態(tài)計算和SOC非自洽計算,其中k點為 10×10×1 ,截斷能為500eV,能量收斂標準為10-6 eV。

        2 計算結果與分析

        表1列出了計算Cu/FePt/MgO體系得到的層間距、原子自旋磁矩和軌道磁矩值,其中Fe1表示FePt/MgO界面處Fe原子,F(xiàn)e2和Cu1分別表示Cu/FePt界面處的Fe原子和Cu原子。從表中可以看出FePt/MgO界面處Fe-O間長為2.319?,比Cu/FePt界面處Fe-Cu鍵長大0.576?,F(xiàn)ePt中間層間距在1.89?左右。FePt/MgO界面處Fe原子自旋磁矩和軌道磁矩分別為0.187和0.031,Cu/FePt界面處Fe原子自旋磁矩和軌道磁矩分別為3.275和0.07,而中間FePt層Fe原子的自旋磁矩和軌道磁矩分別為3.284和0.074,這與已有的理論值相符[2]。從以上數(shù)據(jù)可以得出,由于FePt/MgO界面和Cu/FePt界面的存在,F(xiàn)e-O和Fe-Cu存在雜化作用,導致界面處Fe原子d電子重排,使其自旋磁矩和軌道磁矩發(fā)生變化。

        為進一步探究Cu/FePt/MgO體系界面處原子雜化情況,我們給出了界面處各原子的態(tài)密度圖,如圖2所示。其中,藍色陰影和紅色實線分別表示FePt/MgO界面處O原子與Fe原子的態(tài)密度,并記為Fe1,黑色實線與粉紅色實線分別表示Cu/FePt界面處Fe原子和Cu原子的態(tài)密度,分別記為Fe2和Cu1。從圖中我們可以看出FePt/MgO界面處Fe1原子和O原子重合較多,而Cu/FePt界面處Fe2原子和Cu1原子的重合部分較少,說明Fe-O雜化較強而Fe-Cu雜化較弱,這與Wanjiao Zhu 等人給出的結論相符[3]。

        3 結論

        我們采用密度泛函理論(DFT)計算了Cu/FePt/MgO多層體系,并得到了其晶格結構、自旋磁矩、軌道磁矩和態(tài)密度等,發(fā)現(xiàn)FePt/MgO界面處Fe原子與O原子雜化較強,而Cu/FePt界面處Fe原子和Cu原子雜化較弱,所以Fe-O相互作用比Fe-Cu間的相互作用更強。目前,已經(jīng)有研究表明,在非鐵磁/鐵磁結構中可以通過外加電場的方法來調(diào)控異質(zhì)結的磁性,因此,可以通過給Cu/FePt/MgO結構外加電場來調(diào)控多層膜的磁性,這也許可以被用來設計新的功能自旋電子設備。

        參考文獻:

        [1] Cuadrado R, Chantrell R W. Interface magnetic moments enhancement of FePt?L10 /MgO(001):An ab initio, study[J]. Phys.rev.b, 2014, 89(9):106-112.

        [2] Géranton G, Freimuth F, Blügel S, et al. Spin-orbit torques in L10?FePt / Pt, thin films driven by electrical and thermal currents[J]. Phys.rev.b, 2015, 91(1).

        [3] Zhu W, Ding H C, Gong S J, et al. First-principles studies of the magnetic anisotropy of the Cu/FePt/MgO system[J]. Journal of Physics Condensed Matter An Institute of Physics Journal, 2013, 25(39):396001.

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