羅金華,倪 偉
( 1.攀枝花學院攀西科技創(chuàng)新中心,四川 攀枝花 617000; 2.中國工程物理研究院化工材料研究所,四川 成都 610200 )
單質硅具有高比容量(4 200 mAh/g)、低嵌脫鋰電位的特點,作為高能量密度鋰離子電池用負極材料,具有良好的應用前景[1-2]。單質硅的缺點是在充放電過程中會因巨大的體積變化加速粉化,產(chǎn)生與集流體接觸的問題,導致容量衰減迅速[3]。通過降低硅顆粒尺寸(如制備線性一維納米材料或納米粒子),用碳材料或其他基體包覆、分散或多孔化的手段,增加負極材料的電導性、緩沖空間或比表面積,能改善電化學嵌脫鋰性能[4]。通過原位化學反應生成含緩沖層的方法制備硅/碳納米復合材料,是一種緩解體積變化影響并改善負極材料循環(huán)穩(wěn)定性的策略[5]。目前,水熱反應或碳熱還原法的制備工藝比較復雜,電導性也有待提升[6]。
本文作者通過原位化學氣相沉積(CVD)一步法,在納米硅粒子表面形成多孔碳包覆和網(wǎng)絡導電結構的三維納米硅/多孔碳復合材料,采用SEM、透射電子顯微鏡(TEM)、熱重分析(TGA)和XRD分析對材料結構進行研究,并對電化學嵌脫鋰性能進行分析。
將0.5 g納米硅粉(Aldrich公司,≥98%)松散平鋪于瓷舟底部,放入程序控溫石英管式爐中,通入氮氣排盡空氣,再以20 ℃/min的速率升溫至500 ℃,通入乙炔/氮氣混合氣(體積比1∶9),保溫2 h。自然冷卻至室溫后,取出瓷舟,將樣品用瑪瑙碾缽研磨,備用。
用JSM-6700F場發(fā)射掃描電子顯微鏡(日本產(chǎn))和JEM-2010透射電子顯微鏡(TEM,日本產(chǎn))分析硅/碳復合材料的微觀形貌結構,樣品未噴金,直接觀察。用Bruker D8 Advance X射線衍射儀(德國產(chǎn))分析硅/碳復合材料的物相組成,CuKα,λ=0.154 06 nm,管壓40 kV、管流40 mA,步長0.02 °,掃描速度5 (°)/min。用PerkinElmer Diamond熱重分析儀(美國產(chǎn))測定硅/碳復合材料中的碳含量。
將0.40 g硅/碳復合材料、0.05 g乙炔黑(瑞士產(chǎn),99%)和0.05 g聚偏氟乙烯(PVDF,美國產(chǎn),≥99.5%)混合,加入1 ml N-甲基吡咯烷酮(NMP,成都產(chǎn),AR),過夜攪拌混勻。將得到的粘稠漿料均勻涂覆在9 μm厚的銅箔(合肥產(chǎn),≥99.8%)上,在60 ℃下鼓風烘干后,在120 ℃下真空(<133 Pa)過夜干燥,再裁切成直徑12 mm的圓形電極片,待用。
在氬氣氣氛手套箱[w(H2O)<10-4%、w(O2)<10-4%]中組裝CR2032型扣式電池,以金屬鋰片(合肥產(chǎn),99.9%)為對電極和參考電極,1 mol/L LiPF6/EC+DEC(體積比1∶1,合肥產(chǎn),AR)為電解液,Celgard 2400膜(美國產(chǎn))為隔膜。
在CT 2001A電池測試系統(tǒng)(武漢產(chǎn))上進行電化學性能測試,以200 mA/g恒流充放電,電壓為1.00~0.01 V。
圖1為納米硅粉的微觀形貌圖和結構示意圖。
圖1 納米硅粉的SEM、TEM圖和離散態(tài)結構示意圖
Fig.1 SEM and transmission electron microscopy(TEM) photographs of Si nanopowder and the illustration of dispersed state of Si particles
從圖1可知,納米硅顆粒的尺寸基本在100 nm以下,且顆粒間無化學粘接,處于分散狀態(tài)。選用這種納米化硅粉,可最大限度地抑制反復嵌脫鋰過程中的絕對體積變化,縮短擴散路徑,提高離子擴散效率。通過原位表面化學氣相沉積得到的多孔導電層,可增加電導率,提升電子傳導效率,有利于載流子的傳輸。
圖2為硅/碳復合材料的微觀形貌圖及結構示意圖。
圖2 納米硅粉的SEM圖,硅/碳復合材料的SEM、TEM圖以及硅/碳顆粒的示意圖
Fig.2 SEM photograph of Si nanopowder,SEM and TEM photographs for Si@C composite and the illustration of interconnected state of Si@C particles
從圖2可知,經(jīng)過原位CVD沉積碳后,多孔碳包覆層的厚度約為20 nm,同時,該多孔導電包覆殼層將納米硅顆粒連接起來,形成三維導電網(wǎng)絡結構。乙炔氣體與硅表面接觸,反應后沉積出熱力學穩(wěn)定的碳相。由于CVD動力學及沉積機理比較復雜,各個沉積微區(qū)也存在一定的差異,說明更契合“粘滯小滴機理”,即乙炔分子先在納米硅表面斷鍵形成自由基;經(jīng)氣相成核和脫氫/聚合反應,生成芳香化合物并聚集成粘滯小滴;再經(jīng)浸潤、熔融縮合生成稠環(huán)芳族大分子,進一步脫氫,最終形成熱解碳。沉積時生成黏度低的小滴,附著到硅表面,容并后,形成各向同性體(ISO)組織。由于溫度和催化界面的影響,主要形成多孔無定形碳層,有利于Li+和電解液的擴散遷移[7]。這種原位多孔碳包覆和三維組裝,使硅顆粒間的接觸緊密程度較高。與其他介質分散的硅/碳復合材料相比,具有更高的導電性和更大的電解液界面接觸面積,并具有更大的緩沖空間,有利于載流子的高速傳遞;同時抑制體積變化效應,總體上有助于提升電極材料的循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能。
圖3為硅/碳復合材料的XRD圖。
圖3 硅/碳復合材料的XRD圖
從圖3可知,硅/碳復合材料有明顯的單質硅衍射峰,在28.24 °、47.07 °和55.93 °出現(xiàn)的3個強峰,說明單質硅具有較好的結晶性。多孔碳層并未顯示出明顯的石墨化衍射峰,僅在25 °附近有較寬的微弱衍射峰,說明氣體碳源在高溫熱解過程中生成的是無定形碳[8]。這種非晶碳往往有更好的孔道結構。
可通過熱重分析,研究復合材料的熱穩(wěn)定性,并分析組成比例。納米硅粉和硅/碳復合材料的TGA曲線見圖4。
圖4 納米硅粉和硅/碳復合材料在空氣氣氛中的TGA曲線
Fig.4 Thermogravimetric analysis(TGA) curves of Si nano powder and Si@C composite in air atmosphere
從圖4可知,納米硅粉在空氣氣氛中從約400 ℃開始緩慢氧化,到700 ℃以上已顯著氧化,導致樣品增重。通過質量增加的幅度,可分析氧化程度,即SiOx中x的值。碳/硅復合材料樣品在約550~700 ℃急速失重,失重率為59.6%,納米硅組分在該溫度范圍質量變化不大,因此復合材料的失重主要對應于多孔碳層的氧化。通過相關計算可知,該硅/碳復合材料中硅的質量百分數(shù)約為40%。
硅/碳復合材料的恒流充放電曲線見圖5。
圖5 硅/碳復合材料的恒流充放電曲線
從圖5可知,復合材料中活性成分的首次放電比容量為3 701 mAh/g,首次充電比容量為2 473 mAh/g,庫侖效率為66.8%。較低的首次庫侖效率,是活性材料表面固體電解質相界面(SEI)膜的形成造成的。從第2次循環(huán)開始,充放電比容量漸趨穩(wěn)定,表明該結構有利于緩解硅與鋰合金化反應的巨大體積變化,也有利于保持活性材料與集流體的穩(wěn)定接觸,從而保持穩(wěn)定的電極結構。
硅/碳復合材料的循環(huán)性能見圖6。
圖6 硅/碳復合材料的循環(huán)性能及庫侖效率
Fig.6 Cycle performance and coulombic efficiency of Si@C composite
從圖6可知,復合材料中活性成分的首次放電比容量為3 701 mAh/g,首次庫侖效率對應為66.8%。第25次循環(huán)的放電、充電比容量分別為2 332 mAh/g和2 278 mAh/g,對應的庫侖效率為97.7%;第100次循環(huán)的放電、充電比容量分別為1 282 mAh/g和1 270 mAh/g,對應庫侖效率達99.0%。對比之前報道的傳統(tǒng)硅粉或納米硅粉,該復合材料的循環(huán)性能有較大的改善[9],如純納米硅粉組裝的電極以200 mA/g在0.01~1.00 V循環(huán)25次,比容量迅速衰減至300 mAh/g以下[4],而經(jīng)本工藝處理后,容量保持率得到提升。這是由于該納米復合材料中多孔碳對納米硅粉的包覆和粘接,減少了硅體積變化對電極表面生成的SEI膜的重復破壞,降低了不可逆容量損失;同時,該多孔包覆殼層阻止了納米硅活性材料的團聚和粉化,有利于電極結構穩(wěn)定。TEM分析可知,循環(huán)后納米硅表面的碳層基本保持穩(wěn)定,但有部分破損,與硅材料在嵌脫鋰過程中體積變化較大有關。多孔碳層的引入有利于保持納米硅形貌的穩(wěn)定性,抑制團聚現(xiàn)象,也有利于載流子的傳輸,總體上有利于電極材料結構和性能的優(yōu)化。此外,納米硅顆粒的組裝和多孔碳的包覆殼層,使電極中的硅活性成分之間能保持良好的導電通路。該復合三維導電網(wǎng)絡結構的設計,有利于同時針對硅負極體積效應大和導電性差兩方面進行結構性優(yōu)化,從而有利于載流子傳輸和電極結構協(xié)同效應的發(fā)揮。
本文作者通過一步原位化學氣相沉積法制備了三維網(wǎng)絡結構的納米硅/多孔碳復合材料。復合材料中的納米硅活性成分均勻的分布在三維多孔導電骨架當中。該三維硅碳復合材料具有較好的可逆鋰存儲性能,第100次200 mA/g循環(huán)(0.01~1.00 V),硅負極的比容量為1 270 mAh/g。相比單純硅負極材料,該納米復合材料顯示出了更好的循環(huán)穩(wěn)定性。研究證明:該多孔三維導電網(wǎng)絡的構建對合金化材料負極的體積緩沖、載流子傳輸效率和電極穩(wěn)定性都有結構性的提升。引入空心結構的設計將會使得核殼結構性能更加穩(wěn)定,但會使工藝復雜成本提升。
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