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        基于溫差發(fā)電供能的無(wú)源無(wú)線測(cè)溫系統(tǒng)的設(shè)計(jì)*

        2017-12-18 05:28:40陳前張國(guó)鋼劉競(jìng)存耿英三王建華
        電測(cè)與儀表 2017年17期
        關(guān)鍵詞:鉑電阻電力設(shè)備測(cè)溫

        陳前,張國(guó)鋼,劉競(jìng)存,耿英三,王建華

        (西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安710049)

        0 引 言

        電力設(shè)備是高壓輸配電系統(tǒng)中的重要組成部分,其健康狀況關(guān)系著供電的安全和穩(wěn)定。長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載運(yùn)行或者載流量過(guò)大引起局部溫度過(guò)高是電力設(shè)備故障的主要原因之一。電力設(shè)備局部溫度過(guò)高輕者影響設(shè)備的使用壽命,嚴(yán)重時(shí)會(huì)引發(fā)設(shè)備故障,引起停電事故,甚至造成電力系統(tǒng)的崩潰和癱瘓,從而造成嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。因此,溫度監(jiān)測(cè)已成為高壓電力設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)中的一項(xiàng)重要內(nèi)容。

        在電力設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)中,溫度測(cè)量方法可以分為接觸式和非接觸式的測(cè)量方法,非接觸式測(cè)量方法有紅外測(cè)溫法[1]、光纖光柵測(cè)溫法[2-3]、聲表面波測(cè)溫法[4]等,接觸式測(cè)溫方法主要有熱電偶測(cè)溫法、鉑電阻測(cè)溫法等。紅外測(cè)溫法雖然無(wú)絕緣問(wèn)題,但其輸出與探頭到目標(biāo)的距離有關(guān),易受周圍環(huán)境溫度的干擾;光纖光柵測(cè)溫法需要穩(wěn)定可靠的激光光源,成本較高;聲表面波測(cè)溫法中傳感器需要接收激勵(lì)信號(hào),其測(cè)量的精度受到被測(cè)物體位移的影響;熱電偶測(cè)溫法精度較低且易受腐蝕;鉑電阻測(cè)溫法精度高,不易受環(huán)境條件影響。由于電力設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中通常承載高壓或者通過(guò)大電流,因此采用鉑電阻測(cè)溫法,需要解決數(shù)據(jù)傳輸和供能問(wèn)題。

        利用能量收集和轉(zhuǎn)換技術(shù)從設(shè)備工作現(xiàn)場(chǎng)獲得傳感器所需的電能成為研究熱點(diǎn)。在高壓電力設(shè)備中有三種雜散的能量可以利用:以振動(dòng)形式存在的機(jī)械能、設(shè)備發(fā)出/泄露出的電磁能量以及由于設(shè)備發(fā)熱而與環(huán)境間的溫差[5]。感應(yīng)取電法[6-8]可以收集電磁能量,但在高電壓應(yīng)用場(chǎng)合時(shí),其天線結(jié)構(gòu)由于絕緣問(wèn)題而變得復(fù)雜。太陽(yáng)能供電方式[7]雖然無(wú)電磁屏蔽問(wèn)題,但其受物理?xiàng)l件影響較大,在使用中受到限制。溫差發(fā)電是一種新的供能方式,具有體積小、重量輕,免維護(hù),使用壽命長(zhǎng),節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。文章基于溫差發(fā)電原理,設(shè)計(jì)了一套適用于高壓電力設(shè)備的測(cè)溫系統(tǒng),采用鉑電阻分壓法進(jìn)行溫度測(cè)量,并通過(guò)紅外方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。

        1 溫差發(fā)電基本原理

        塞貝克效應(yīng)是一種熱電效應(yīng),該效應(yīng)是1823年德國(guó)科學(xué)家塞貝克(Seebeck)發(fā)現(xiàn)的。在一個(gè)閉合回路中,有兩種不同材料的導(dǎo)體,當(dāng)導(dǎo)體兩頭的溫度不同時(shí),電路中會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)[8],該電動(dòng)勢(shì)被稱為溫差電動(dòng)勢(shì),而該效應(yīng)被稱為塞貝克效應(yīng)[9]。半導(dǎo)體溫差發(fā)電片是基于塞貝克效應(yīng)[10],如圖1所示。

        圖1 塞貝克效應(yīng)Fig.1 Seebeck effect

        用P和N型半導(dǎo)體組成的電偶,通過(guò)一端電極連接負(fù)載,構(gòu)成閉合回路。P型半導(dǎo)體材料是富空穴材料,N型半導(dǎo)體材料是富電子材料,一端相連形成PN結(jié)置于高溫,另一端置于低溫,則由于熱激發(fā)作用,P型和N型半導(dǎo)體材料高溫端的空穴和電子濃度高于低溫端,因此在這種濃度梯度的驅(qū)動(dòng)下,空穴和電子就開(kāi)始向低溫端擴(kuò)散,從而形成電動(dòng)勢(shì)。

        回路中產(chǎn)生的溫差電動(dòng)勢(shì)為[11]:

        式中α為半導(dǎo)體材料的塞貝克系數(shù)。

        此電動(dòng)勢(shì)分別加到溫差發(fā)電片內(nèi)阻r和負(fù)載電阻RL上,在負(fù)載電阻上的壓降即為輸出電壓,則輸出電壓Uo、輸出電流I和輸出功率Po分別為:

        對(duì)于一個(gè)溫差發(fā)電片,其內(nèi)部是由多對(duì)上述的PN結(jié)串聯(lián)而成,其中α和r是由材料的特性決定的。因此,提高輸出功率的關(guān)鍵是提高其兩端的溫差。

        2 高壓側(cè)供電方案設(shè)計(jì)

        電力系統(tǒng)中溫度測(cè)量傳感器一般安裝在電力設(shè)備的高壓側(cè),其供電和數(shù)據(jù)傳輸受到絕緣隔離要求的限制,成為設(shè)計(jì)的難題。文中采用溫差發(fā)電原理,設(shè)計(jì)了一套無(wú)需外部電源的高壓側(cè)供電方案。

        2.1 溫差發(fā)電片的選擇和熱阻計(jì)算

        實(shí)驗(yàn)方案中采用TEP1-142T300型溫差發(fā)電片,其材料為Bi2Te3,內(nèi)阻3Ω,導(dǎo)熱系數(shù)1.5 W/m·K。溫差發(fā)電片的輸出功率與發(fā)電片熱端與冷端的溫差有關(guān)。溫差越大,發(fā)電片輸出的功率越高,而發(fā)電片兩端面的溫差與多個(gè)因素相關(guān):熱端面熱源溫度、冷端面散熱器的散熱功率、環(huán)境溫度等。提高散熱功率是提高輸出功率的有效方法,實(shí)驗(yàn)中采用的鋁散熱器結(jié)構(gòu)如圖2所示,接觸面涂覆導(dǎo)熱硅脂。系統(tǒng)熱量傳導(dǎo)過(guò)程為:熱量從被測(cè)對(duì)象的發(fā)熱表面通過(guò)溫差發(fā)電片,流向與溫差發(fā)電片相接觸的鋁散熱器,散熱器通過(guò)自然對(duì)流作用向周圍空氣傳熱。

        圖2 散熱器結(jié)構(gòu)模型Fig.2 Model of heat sink

        溫差發(fā)電片的熱阻為:

        散熱器的熱阻:

        式中L=40 mm;b=1 mm;h=11 mm;n=13。散熱器的其他參數(shù)如表1所示。

        散熱器與空氣的熱阻:

        在散熱器和溫差發(fā)電片的總熱阻:

        表1 散熱器散熱參數(shù)Tab.1 Heat dissipation parameters

        2.2 電源模塊的硬件結(jié)構(gòu)

        電源模塊由超低電壓型升壓轉(zhuǎn)換芯片LTC3108及其外圍元件組成。如圖3所示,LTC3108利用外部的電容C1、變壓器T的初級(jí)線圈和在SW端的內(nèi)部耗盡型N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)形成一個(gè)諧振振蕩器,超低電壓經(jīng)諧振振蕩器,直流電壓變?yōu)榻涣麟妷?,再?jīng)變壓器T升壓后,由芯片內(nèi)部整流器整流,輸出穩(wěn)定的電壓。該電壓通過(guò)VOUT端向后級(jí)電路供電,當(dāng)收集能量充足時(shí),通過(guò)VSTORE端對(duì)儲(chǔ)能電容器充電,VSTORE的充電電壓可以達(dá)到5 V。儲(chǔ)能電容器在發(fā)電功率不足時(shí),通過(guò)VSTORE端給后級(jí)電路供電[12]。通過(guò)PGD端可以監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的供電電壓,當(dāng)VOUT端電壓大于設(shè)定電壓的92.5%時(shí),PGD端輸出高電平;當(dāng)電壓降落超過(guò)9%時(shí),PGD端輸出低電平。

        圖3 電源模塊Fig.3 Powermodule

        單片發(fā)電片的開(kāi)路電壓,與溫差成正比,即:

        實(shí)測(cè)開(kāi)路電壓的擬合結(jié)果:α≈47.30 mV/℃,發(fā)電片內(nèi)阻r=3Ω,等效負(fù)載電阻RL=4Ω,η=38%,考慮充電損耗,實(shí)際的發(fā)電功率為:

        以此發(fā)電功率對(duì)一個(gè)470μF的電容充電,不考慮電容的泄露電流和其他損耗,充電電壓從0~3.3 V,所需的時(shí)間約為:

        假設(shè)以此電容器為后級(jí)電路供電,后級(jí)電路消耗的電流I=10 mA,電容器的電壓降至3 V時(shí)后級(jí)的電路停止工作,則可以維持工作的時(shí)間為:

        也就是維持工作的時(shí)間為13.46 ms,所以后級(jí)電路需要采用間歇式的工作方式,否則在低壓差時(shí),無(wú)法維持正常的工作電壓。

        3 系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)

        由于高壓電力設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中承載高電壓,所以將測(cè)溫系統(tǒng)分為高壓側(cè)和低壓側(cè),高壓側(cè)是發(fā)送端,低壓側(cè)是接收端和上位機(jī)。高壓發(fā)送端放置在高壓電力設(shè)備的測(cè)溫點(diǎn),接收端放置在一定距離遠(yuǎn)的低壓安全位置,發(fā)送端采集的數(shù)據(jù)通過(guò)紅外發(fā)射電路發(fā)送,接收端接收數(shù)據(jù),計(jì)算對(duì)應(yīng)的溫度,然后經(jīng)過(guò)RS485總線向上位機(jī)發(fā)送溫度數(shù)據(jù)。

        3.1 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)

        (1)發(fā)送端

        如圖4所示,發(fā)送端由控制器、測(cè)溫電路、紅外數(shù)據(jù)發(fā)送電路等部分組成。由于在測(cè)溫系統(tǒng)的供電系統(tǒng)為溫差發(fā)電,所以對(duì)控制器的要求:(1)低啟動(dòng)電壓;(2)低功耗運(yùn)行;(3)具有高精度 ADC模塊。本設(shè)計(jì)選用了某公司的MSP430F149專為低功耗應(yīng)用場(chǎng)合而設(shè)計(jì),該芯片可以在低至1.8 V的電壓下工作,具有LMP0-LMP4共五種低功耗工作模式。正?;顒?dòng)模式下,在2.2 V供電電壓,1 MHz運(yùn)行頻率下,芯片僅消耗280μA;最低功耗運(yùn)行模式下,只有32.768 kHz低頻晶振為單片機(jī)提供外部時(shí)鐘信號(hào),其他模塊進(jìn)入休眠狀態(tài),電流消耗僅1.6μA。

        圖4 發(fā)送端硬件結(jié)構(gòu)Fig.4 Hardware structure of sending terminal

        測(cè)溫模塊電路如圖5所示,通過(guò)基準(zhǔn)二極管產(chǎn)生基準(zhǔn)源為鉑電阻和基準(zhǔn)精密電阻Rref供電。

        圖5 測(cè)溫電路Fig.5 Temperature measuring circuit

        采用PT1000的鉑電阻,在溫度范圍是0~200℃時(shí),電阻范圍為1 000.00Ω~1 758.56Ω。為了提高溫度測(cè)量的精度,則鉑電阻上的電壓的變化范圍應(yīng)達(dá)到最大,鉑電阻上的電壓的變化范圍為:

        電壓變化的比例為:

        考慮到鉑電阻、參考電阻的溫漂、標(biāo)稱值等誤差以及穩(wěn)壓二極管的精度,以及ADC的誤差,輸出電壓的相對(duì)誤差為:

        鉑電阻和參考電阻的相對(duì)誤差 αRt/Rt、αRref/Rref為0.04%和0.01%;穩(wěn)壓二極管的電壓誤差αLM385為120μV;ADC的相對(duì)量化誤差σQE為2-13;ADC內(nèi)部參考電壓精度 αADref/VADref為 2-11。

        代入式(16),得Uo的相對(duì)誤差為:

        在控制器內(nèi)部計(jì)算鉑電阻阻值,其相對(duì)誤差為:

        鉑電阻與溫度值的對(duì)應(yīng)關(guān)系為:

        在0℃≤t≤600℃條件下,A=3.908 02×10-3,B=-5.801 95×10-7,C=-4.273 51×10-12。

        則溫度值的最大誤差為:

        從降低系統(tǒng)功耗的角度出發(fā),采用間歇式的供電方式。采用IO口的輸出電壓為測(cè)溫電路供電,在需要AD轉(zhuǎn)換時(shí),IO口輸出高電平,然后對(duì)Uo進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換,進(jìn)而得到電壓值和電阻值;在完成AD轉(zhuǎn)換后,單片機(jī)進(jìn)入休眠前,使IO口輸出低電平,由于休眠的時(shí)間遠(yuǎn)多于AD轉(zhuǎn)換的時(shí)間,所以這種間歇式的供電方式能夠大大降低測(cè)溫電路的功耗。

        利用限流電阻R1來(lái)限制測(cè)溫支路的總電流,可進(jìn)一步降低了測(cè)溫過(guò)程的功耗。穩(wěn)壓二極管采用低功耗穩(wěn)壓二極管LM385-2.5,其工作電流范圍從20 μA到20 mA。R1的阻值過(guò)大時(shí),有可能使穩(wěn)壓二極管無(wú)法正常工作。所以,當(dāng)Rt最小時(shí),鉑電阻上的電流最大。設(shè)置當(dāng)供電電壓u>3 V時(shí),系統(tǒng)開(kāi)始正常工作,也就是LTC3108芯片的PGD端為高電平時(shí),系統(tǒng)開(kāi)始正常工作,否則進(jìn)入休眠狀態(tài)。

        紅外發(fā)射電路主要完成將傳輸電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)的工作。在該電路中,從單片機(jī)的I/O口中發(fā)送出的已調(diào)制的數(shù)據(jù)脈沖,通過(guò)驅(qū)動(dòng)三極管使紅外發(fā)光管點(diǎn)亮,向外發(fā)送紅外光信號(hào)。

        (2)接收端

        紅外接收電路是將接收到的光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)[13]。選用型號(hào)為HS0038B的紅外接收頭。器件內(nèi)集成了帶通濾波器,采用集電極開(kāi)路輸出。紅外接收頭將接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電脈沖信號(hào),并解調(diào)為數(shù)據(jù)信號(hào),送入控制器中。在接收端數(shù)據(jù)通過(guò)RS485串行通訊接口經(jīng)線纜傳輸?shù)缴衔粰C(jī)。

        3.2 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)

        高壓側(cè)發(fā)送端系統(tǒng)的軟件主要實(shí)現(xiàn)溫度的測(cè)量和數(shù)據(jù)的發(fā)送等功能,以最低功耗的方式運(yùn)行。由于溫度的變化較為緩慢,采用間歇式測(cè)量。

        (1)主程序

        在上電之后,首先初始化系統(tǒng)時(shí)鐘、外部端口、和定時(shí)器,然后打開(kāi)定時(shí)器中斷,進(jìn)入低功耗LPM3模式。在該模式下,控制器可以被外部中斷喚醒。在實(shí)驗(yàn)中,設(shè)置定時(shí)器中斷的時(shí)間間隔為5 s,即控制器每5 s被喚醒一次。

        (2)定時(shí)器中斷子程序

        在定時(shí)器中斷子程序中,先判斷系統(tǒng)的電壓是否滿足要求,即判斷LTC3108芯片的PGD引腳電平。若是高電平,則說(shuō)明電壓充足,進(jìn)入數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)發(fā)送的操作,若是低電平,則進(jìn)入休眠,系統(tǒng)繼續(xù)充電,等待下一次定時(shí)器中斷。

        (3)溫度測(cè)量程序

        溫度測(cè)量程序主要是進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換。ADC設(shè)置成單通道多次采樣,打開(kāi)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。每完成一次采樣,系統(tǒng)讀取一次采樣值。當(dāng)進(jìn)行10次采樣后,關(guān)閉內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源和ADC,以節(jié)省功耗。

        (4)數(shù)據(jù)發(fā)送

        在完成數(shù)據(jù)采集之后,采用去極值濾波和均值濾波的方法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波處理。上述兩種濾波方法可以有效地降低噪聲干擾。

        低壓側(cè)程序的主要功能是將接收的數(shù)據(jù)計(jì)算得到對(duì)應(yīng)的溫度值,并將溫度值通過(guò)串行485接口發(fā)送到上位機(jī)。鉑電阻的電阻值為:

        由鉑電阻的阻值計(jì)算對(duì)應(yīng)的溫度值,通常純軟件的非線性矯正法有逐次逼近法、查表法等。為了降低計(jì)算量和獲得較高的精度,文中采用查表法。

        4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

        根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,設(shè)計(jì)和搭建了圖6所示的溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。在母排表面貼上發(fā)熱板作為熱源,模擬發(fā)熱點(diǎn)。發(fā)熱板的前級(jí)接調(diào)壓器,控制發(fā)熱板的輸入電壓,從而控制發(fā)熱功率。

        圖6 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)Fig.6 Experiment platform

        (1)溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn)

        如圖7為實(shí)驗(yàn)?zāi)概诺臏囟茸兓€,環(huán)境溫度25℃,發(fā)熱功率約30 W。啟動(dòng)時(shí),母排的表面溫度為28℃。溫度數(shù)據(jù)每5 s接收一次,上位機(jī)對(duì)溫度數(shù)據(jù)處理后存儲(chǔ)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量,接收距離可以達(dá)到5 m,接收范圍為10°,數(shù)據(jù)收發(fā)準(zhǔn)確。

        圖7 母排的溫度曲線Fig.7 Temperature variation curve of bus bar

        (2)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間

        調(diào)節(jié)變壓器變比,模擬不同情況下異常發(fā)熱,記錄從開(kāi)始通電到接收到第一個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的時(shí)間差,溫差為發(fā)熱板表面同環(huán)境溫度的差值。結(jié)果表明,發(fā)熱功率越大,溫差越大,系統(tǒng)的啟動(dòng)時(shí)間越短。即使之前儲(chǔ)能電容中電能已經(jīng)消耗殆盡,通過(guò)重新收集能量,系統(tǒng)能夠在較短的時(shí)間內(nèi)啟動(dòng),啟動(dòng)時(shí)間曲線如圖8所示。

        圖8 系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間曲線Fig.8 Starting time curve of system

        5 結(jié)束語(yǔ)

        設(shè)計(jì)了一種用于高壓電力設(shè)備的測(cè)溫系統(tǒng),以溫差發(fā)電為系統(tǒng)供能,鉑電阻作為溫度敏感元件,通過(guò)紅外方式傳輸溫度測(cè)量數(shù)據(jù),在接收端通過(guò)串行接口將數(shù)據(jù)傳輸?shù)竭h(yuǎn)端上位機(jī)。紅外信號(hào)傳輸距離可以達(dá)到5 m,角度范圍為10°。系統(tǒng)采用間歇式的工作方式,在休眠時(shí)控制器運(yùn)行在最低功耗模式下,自動(dòng)監(jiān)測(cè)供電電壓?jiǎn)?dòng)測(cè)溫。進(jìn)行了溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn),獲得系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間和發(fā)熱功率的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該系統(tǒng)測(cè)溫模塊無(wú)需額外的供電措施和傳輸線路,能夠在設(shè)備異常發(fā)熱時(shí)快速啟動(dòng)測(cè)溫和報(bào)警,滿足了電力設(shè)備溫升監(jiān)測(cè)的需求。

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