趙鶴然,康錫娥,馬艷艷

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，遼寧沈陽(yáng)110000）

提高器件熱阻仿真值與測(cè)試結(jié)果契合度的方法

趙鶴然,康錫娥,馬艷艷

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，遼寧沈陽(yáng)110000）

隨著集成電路小型化、集成化、大功率化的迅猛發(fā)展，電子封裝的熱阻參數(shù)越來(lái)越得到用戶(hù)和封裝、測(cè)試工程師的關(guān)注。特別是大功率MOS器件，熱管理問(wèn)題直接影響其可靠性。針對(duì)一款金屬封裝電路，采用ANSYS 17.0數(shù)值模擬的方法，對(duì)外殼熱阻進(jìn)行了仿真分析，得到RTH(J-C)和RTH(J-A)的理論值。通過(guò)對(duì)比熱阻測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果的差異，對(duì)仿真模型和仿真方法進(jìn)行了修正，得到了提高仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果契合度的方法。通過(guò)進(jìn)一步研究，給出了芯片制造、封裝工藝中的各個(gè)元素對(duì)熱阻的影響。

熱阻；流片和封裝；數(shù)值模擬；功率器件；方法優(yōu)化

1 引言

計(jì)算機(jī)仿真模擬在國(guó)內(nèi)封裝設(shè)計(jì)中主要應(yīng)用在工程實(shí)踐和學(xué)術(shù)研究?jī)蓚€(gè)領(lǐng)域。工程實(shí)踐關(guān)心的是設(shè)計(jì)成本，周期，工藝控制能力及仿真結(jié)果能否滿(mǎn)足需求。學(xué)術(shù)研究則更深入的探究機(jī)理，尋求算法創(chuàng)新，他們對(duì)求解精度有更高的要求。隨著IC技術(shù)的發(fā)展，工程實(shí)踐和學(xué)術(shù)研究相結(jié)合的模式需求日益迫切[1-2]。在大功率MOS器件領(lǐng)域，電路熱性能已不僅僅局限于封裝工藝本身，而逐漸發(fā)展成芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝工藝控制共同影響，電路熱阻仿真對(duì)計(jì)算量和模型細(xì)節(jié)的要求都達(dá)到了新的高度[3-4]。

根據(jù)GJB7400對(duì)電路外殼設(shè)計(jì)的要求，研究所承接的項(xiàng)目，在設(shè)計(jì)定型初期就需要給出較為準(zhǔn)確的外殼熱阻參數(shù)。越來(lái)越多的軟件使用者，需要在求解精度和計(jì)算效率之間尋求平衡，探索最優(yōu)的仿真方法，在保證結(jié)果可信度的前提下，最大限度的提高電路外殼熱阻仿真效率。

2 模型建立

2.1 基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件的熱網(wǎng)絡(luò)模型

對(duì)于單一芯片的封裝結(jié)構(gòu)，熱阻RTH計(jì)算方法比較成熟，通過(guò)選取不同的參考點(diǎn)，可以得到RTH(J-C)、RTH(J-B)和 RTH(J-A)，如公式 1 所示：

其中，RTH為熱阻值，單位為℃/W；TJ和TR分別為PN結(jié)和參考點(diǎn)的穩(wěn)態(tài)溫度，單位為℃；P1和P0分別為測(cè)量試驗(yàn)結(jié)束和開(kāi)始穩(wěn)態(tài)下芯片發(fā)熱功率（后者一般取0W），單位為W；ΔT/ΔP為熱流模型中溫升與發(fā)熱功率的比值。

從IC封裝的角度出發(fā)，RTH(J-C)節(jié)-殼熱阻主要由外殼和互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)決定，最能直觀表征產(chǎn)品的散熱能力[5]。GJB548B方法1012對(duì)外殼熱阻測(cè)量點(diǎn)也有相應(yīng)的規(guī)定，對(duì)于正向貼裝芯片的電路，較為關(guān)注TC（Bottom）；而JEDEC標(biāo)準(zhǔn)關(guān)注的側(cè)重點(diǎn)是外殼與散熱片相連的一側(cè)，有時(shí)可能是TC（Top）。在實(shí)際應(yīng)用中，很難不破壞密封結(jié)構(gòu)直接測(cè)量到芯片結(jié)溫，目前，電—熱結(jié)溫測(cè)試方法成為了較為可行且有實(shí)際意義的封裝熱阻標(biāo)定方法。結(jié)合本例中的MOS器件，其熱阻網(wǎng)絡(luò)如圖1所示：

圖1 器件熱阻網(wǎng)絡(luò)模型

2.2 封裝模型建立

以TO-3封裝結(jié)構(gòu)為模型，有一顆MOSFET芯片，采用不導(dǎo)電膠和引線鍵合的方式與外殼互連，熱阻的測(cè)試和仿真均使用電路專(zhuān)用夾具，幾何模型如圖2所示。

圖2 封裝的幾何模型

環(huán)境溫度取室溫25℃。模型的總網(wǎng)格數(shù)為573萬(wàn)（網(wǎng)格數(shù)增加到876萬(wàn)，計(jì)算值變化量在1%以下）。模型的主要材料和參數(shù)如表1所示：

表1 主要材料和參數(shù)

3 仿真方法的修正和優(yōu)化

3.1 基于封裝工藝的精細(xì)化建模

以往有限元仿真計(jì)算常常使用簡(jiǎn)化模型。隨著軟件的更新?lián)Q代和服務(wù)器求解能力的提升，研究人員發(fā)現(xiàn)，模型的細(xì)節(jié)對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響很大，不應(yīng)直接忽略。在此基礎(chǔ)上，需要根據(jù)封裝工藝的具體情況，進(jìn)行精細(xì)化建模。

例如對(duì)于多引線鍵合的電路，Wire_Bond在計(jì)算中被忽略后，得到的計(jì)算結(jié)果誤差就很大了[6]。在分析一個(gè)問(wèn)題時(shí)，需要綜合考慮理想精度、工作量、設(shè)計(jì)成本以及計(jì)算機(jī)硬件條件，從而在計(jì)算效率和精度之間確定一個(gè)平衡點(diǎn)。

3.2 基于芯片加工工藝的精細(xì)化建模

熱阻模型應(yīng)充分考慮芯片選型和制造工藝，不能泛泛按照整體熱源來(lái)處理。以圖3中MOSFET為例，源、漏極導(dǎo)通后，電流通過(guò)芯片橫向的區(qū)域，可以等效為芯片發(fā)熱的熱源。硅基晶圓在生長(zhǎng)氧化層之后，SiO2熱導(dǎo)率比Si小的多[7]。同時(shí)，由于氧化層很薄，熱源位置實(shí)際很靠近芯片上表面。熱阻測(cè)試時(shí)，熱量是經(jīng)過(guò)芯片內(nèi)部傳導(dǎo)到芯片外邊界的，直接忽略芯片內(nèi)部材料差異會(huì)對(duì)計(jì)算結(jié)果會(huì)產(chǎn)生很大影響。將熱源分塊建模，可以有效解決上述問(wèn)題。

圖3 芯片加工工藝對(duì)熱源條件的影響

3.3 基于形貌分析儀的3D尺寸測(cè)量

實(shí)際生產(chǎn)中，工程師將實(shí)體模型轉(zhuǎn)化為有限元模型的過(guò)程往往會(huì)丟失很多有用的信息。特別是模型關(guān)鍵部位的尺寸，若是誤差較大，必然導(dǎo)致結(jié)果失真。借助立體顯微鏡對(duì)封裝后的半成品電路進(jìn)行3D觀察，可以找回遺失的必要信息，是實(shí)現(xiàn)精細(xì)化建模的有效輔助手段。圖4為使用Olympus公司DSX形貌分析儀實(shí)現(xiàn)的3D成像和尺寸測(cè)量示例：

圖4 封裝結(jié)構(gòu)尺寸的3D測(cè)量

3.4 基于精密組裝中心的產(chǎn)品一致性控制

從某種意義上說(shuō)，測(cè)試是產(chǎn)品性能的抽樣評(píng)價(jià)，仿真是對(duì)產(chǎn)品的普遍性能的評(píng)估。而產(chǎn)品一致性就是連接普遍性和抽樣樣品的紐帶。只有保證了一致性，才能確保抽樣測(cè)試結(jié)果對(duì)批量產(chǎn)品的代表性，進(jìn)而通過(guò)仿真完成產(chǎn)品性能的預(yù)評(píng)估。

多項(xiàng)研究表明，Die_Attach是影響封裝熱阻的最關(guān)鍵因素之一，主要體現(xiàn)在粘接層空洞率、厚度和固化效果的控制上[8]。使用T-6000精密組裝中心，在固晶過(guò)程中應(yīng)用圖像分析手段，可以實(shí)現(xiàn)芯片精確對(duì)準(zhǔn)，保證高精度著片。同時(shí)，控制聚合物（焊料）用量、固化壓力以及固化溫度，是提高Die_Attach一致性，降低焊料熱阻的有效手段。

3.5 網(wǎng)格無(wú)關(guān)性驗(yàn)證

有限元求解的方法，網(wǎng)格劃分的越密集，求解的結(jié)果越接近實(shí)際值。不過(guò)，即使網(wǎng)格再密，數(shù)量也是有限的。這時(shí)，需要做網(wǎng)格無(wú)關(guān)性驗(yàn)證。對(duì)網(wǎng)格進(jìn)行加密后（特別是保證邊界層網(wǎng)格質(zhì)量），如果得到的結(jié)果與加密之前的結(jié)果差別在工程師認(rèn)可的范圍內(nèi)，即可認(rèn)為當(dāng)前網(wǎng)格劃分與計(jì)算結(jié)果無(wú)關(guān)，這是有限元分析的前提。

3.6 求解模型對(duì)結(jié)果的影響

一般認(rèn)為，在較低溫升下，熱輻射對(duì)熱源散熱的影響并不明顯。但實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，熱量確實(shí)越過(guò)了芯片與測(cè)量點(diǎn)之間的空氣，直接輻射到測(cè)量介質(zhì)上。通過(guò)測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果的對(duì)比可以看出，不考慮輻射的情況下，仿真結(jié)果通常比測(cè)試結(jié)果高。因此，為了修正仿真結(jié)果，需要反復(fù)修正模型的輻射系數(shù)。同時(shí)，也應(yīng)盡量選取較高的求解方程階數(shù)。

3.7 規(guī)范測(cè)試流程減小測(cè)試誤差

實(shí)測(cè)值是評(píng)定仿真準(zhǔn)確性的標(biāo)準(zhǔn)，但任何測(cè)試都存在誤差。尤其是封裝熱阻的測(cè)試，受人員、環(huán)境、設(shè)備等因素影響較大[9]。參考點(diǎn)的定位、環(huán)境介質(zhì)和固定熱偶的導(dǎo)熱膠材質(zhì)等，都是影響測(cè)量準(zhǔn)確性的關(guān)鍵因素，建議由專(zhuān)業(yè)測(cè)試工程師多次測(cè)量求平均值。

4 仿真結(jié)果及分析

4.1 求解方法與結(jié)果對(duì)比

對(duì)于BGA、PGA和一些標(biāo)準(zhǔn)引線框架形式的封裝，使用Cadence公式的SIP和PowerDC模塊可快速實(shí)現(xiàn)熱阻參數(shù)的提取。TO管殼結(jié)構(gòu)較為特殊，可采用ANSYS完成封裝熱阻的仿真。一般塑封和灌封器件可以按照傳熱學(xué)，可先求解出氣體和固體介質(zhì)之間的熱對(duì)流系數(shù)，使用steady-state Thermal模塊按熱傳導(dǎo)的理論計(jì)算；對(duì)于儲(chǔ)能焊和平行縫焊的器件，由于管殼內(nèi)存在氣體介質(zhì)，也可考慮對(duì)流和輻射。

以一款所內(nèi)封裝的電路為例，按照2.1-2.7提出的方法，對(duì)仿真和測(cè)試過(guò)程進(jìn)行了雙向優(yōu)化，熱分布云圖如圖5所示。仿真過(guò)程首先建立了簡(jiǎn)化的基礎(chǔ)模型，然后做了網(wǎng)格的優(yōu)化，在此基礎(chǔ)上又進(jìn)行了精細(xì)化建模，最后完成求解方法的優(yōu)化，由此得到了四個(gè)對(duì)比模型。圖6是RTH（J-C）的仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果對(duì)比，圖7是RTH（J-A）測(cè)的仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果對(duì)比：

圖5 封裝熱阻模型的熱分布情況

圖6 RTH（J-C）仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比

由結(jié)果可以看出，RTH（J-C）對(duì)于模型精度的依賴(lài)較高，優(yōu)化模型可以大幅提高仿真值與測(cè)試結(jié)果的契合度。這是因?yàn)椋Y(jié)、殼之間的溫度傳播以熱傳導(dǎo)為主，其熱阻值的主要決定因素是封裝材料和封裝工藝，精細(xì)化建?？梢猿浞帜M出芯片到外殼參考點(diǎn)的各個(gè)熱通路的熱分布情況，計(jì)算準(zhǔn)確度也就大大提高了。同時(shí)，RTH（J-A）的仿真值準(zhǔn)確度主要取決于網(wǎng)格和算法。這是因?yàn)?，RTH(J-A)的主要計(jì)算量集中在封裝外殼和環(huán)境氣體之間，也就是說(shuō)，固體外邊界條件，特別是對(duì)流換熱系數(shù)，是計(jì)算的重點(diǎn)。邊界網(wǎng)格質(zhì)量、氣體模型和求解方程的階數(shù)是直接影響RTH(J-A)計(jì)算準(zhǔn)確度的關(guān)鍵因素。

圖7 RTH(J-A)仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比

4.2 精細(xì)化建模對(duì)仿真結(jié)果的影響

精細(xì)化建模的目的，就是使仿真計(jì)算的有限元模型與實(shí)際器件的芯片制造、封裝工藝高度一致。為了探討精細(xì)化建模對(duì)對(duì)仿真結(jié)果的影響，我們以熱載荷加載位置、固晶材料、焊接空洞、Die_Attach厚度、Wire_Bond模型、關(guān)鍵材料選型等條件為變量，分別進(jìn)行仿真，得到的結(jié)果與初始模型的仿真結(jié)果相比較，給出了精細(xì)化建模中各個(gè)元素對(duì)仿真模擬值影響的大小，對(duì)比結(jié)果如表2。

表2 模型中各個(gè)元素對(duì)RTH(J-C)和RTH(J-A)的影響Tab.2 Effect of refined modeling to simulation results

由模型01可以看出，對(duì)于引線數(shù)量很少的電路，Wire_Bond模型對(duì) RTH（J-C）和 RTH（J-A）的影響均微乎其微。從模型00-04看出，芯片加工工藝（熱源的位置）和封裝工藝（焊料情況）對(duì)RTH（J-C）的仿真結(jié)果影響很大。因此，用于計(jì)算熱阻參數(shù)的有限元模型應(yīng)能夠充分體現(xiàn)出芯片真實(shí)發(fā)熱情況，這是保證仿真、測(cè)試結(jié)果的匹配的前提。從模型05-06看出，焊料空洞率的波動(dòng)對(duì)RTH(J-C)的仿真和測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生了很大的干擾。提高產(chǎn)品的一致性，將產(chǎn)品空洞率控制在5%以?xún)?nèi)，能有效提高仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果的契合度。另外，外殼材料，固晶材料對(duì)RTH（J-C）和RTH（J-A）都有很大影響。綜上，精細(xì)化建模提高對(duì)RTH（J-C）的模擬準(zhǔn)確度起到關(guān)鍵作用。

5 結(jié)束語(yǔ)

利用ANSYS旗下的有限元軟件，以TO-3管殼為模型，討論提高熱阻仿真值與測(cè)試值契合度的方法，指出了精細(xì)化建模和求解方法優(yōu)化對(duì)提高RTH(J-C)模擬準(zhǔn)確度起到了關(guān)鍵的作用；同時(shí)，指出了提高網(wǎng)格質(zhì)量和提高求解算法的精度可以增加RTH(J-A)仿真值的準(zhǔn)確度。

通過(guò)對(duì)精細(xì)化建模的進(jìn)一步對(duì)比分析，給出了基于芯片制造、封裝工藝的各個(gè)元素對(duì)于熱阻值的影響，發(fā)現(xiàn)芯片制造、固晶條件和材料選型都會(huì)很大程度的干擾RTH（J-C）的仿真準(zhǔn)確性。

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Methods to Fix Simulation Value and Measurement Results of Thermal Resistance of Electronic Device Package

Zhao Heran，Kang Xi'e，Ma Yanyan
（The 47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shenyang 110032,China）

With the development of integrated circuits,devices become miniaturized,integrated and high-power,IC packaging and testing engineers are increasingly concerned about the heat resistance of electronic devices.Especially high-power MOS devices,thermal management directly affects the reliability of the product.For a metal casing circuit,using numerical simulation method to analyze the thermal resistance of case,obtained theoretical value of RTH (J-C)and RTH (J-A)Compared the difference between the thermal resistance test and simulation results,improved simulation models and methods,fixed the simulation and test results.Studied the influence on the thermal resistance of chip manufacture and package technology.The results showed that chip manufacturing and packaging technology have a great impact on both resistance test and simulation.

heat resistance;package technology;numerical simulation;high-power devices;method optimization

10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.008

TN302

A

1002-2279-（2017）05-0027-05

趙鶴然（1986—），男，遼寧省沈陽(yáng)市人，工程師，碩士研究生，主研方向：電子封裝設(shè)計(jì)及失效分析。