邱靜君

（無錫華潤矽科微電子有限公司，無錫214000）

解決集成電路漏電和中點(diǎn)電位異常的實(shí)例分析

邱靜君

（無錫華潤矽科微電子有限公司，無錫214000）

集成電路(IC)制造中，某些工藝的異常會使得相關(guān)的擴(kuò)散區(qū)域產(chǎn)生缺陷，導(dǎo)致IC芯片性能異常，圓片中測低良。一款雙極功放集成電路芯片,由于NPN管發(fā)射區(qū)缺陷，引起IC芯片漏電和輸出端中點(diǎn)電位異常，導(dǎo)致中測低良。從電路原理出發(fā)，分析如何建立中點(diǎn)電位，推導(dǎo)中點(diǎn)電位與器件參數(shù)的關(guān)系。結(jié)合IC芯片漏電，分析了相關(guān)器件參數(shù)跟工藝的關(guān)系，通過對失效管芯進(jìn)行解剖腐蝕，定位到管芯失效的原因是NPN管的發(fā)射區(qū)存在缺陷。通過將發(fā)射區(qū)磷SOD工藝改變?yōu)榱咨殡x子注入工藝，改善了工藝缺陷，解決了該產(chǎn)品的性能異常和中測低良率。

集成電路；漏電；中點(diǎn)電位；發(fā)射區(qū)；缺陷；磷；砷；原子半徑

1 引言

IC圓片試驗(yàn)中，會遇到芯片性能異常和圓片中測低良現(xiàn)象。某個雙通道功率放大集成電路[1]在試制前期，中測良率不穩(wěn)定，低良嚴(yán)重時中測批良率僅55%左右。中測失效現(xiàn)象主要表現(xiàn)為芯片漏電和輸出端中點(diǎn)電位異常。為解決問題，對異常原因進(jìn)行了分析，找出失效機(jī)理，并通過工藝改進(jìn)得以解決。

2 中測失效現(xiàn)象描述、分析及改進(jìn)試驗(yàn)

2.1 中測失效現(xiàn)象

該款I(lǐng)C為雙通道功率放大IC，前期中測良率在55%至90%間波動。對中測采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)失效項主要是漏電偏大和輸出端中點(diǎn)電位（簡稱中點(diǎn)或中點(diǎn)電位）隨機(jī)變高或變低失效。表1是中測良率高、中、低典型批次的失效統(tǒng)計，可見如果去除了上述兩項失效，則中測良率達(dá)到90%以上。

表1 中測良率高、中、低典型批次的中測情況

對不良品集中區(qū)域，隨機(jī)連續(xù)測試10個管芯，以雙通道中的通道1（對應(yīng)PIN2）為例，9V電源下中點(diǎn)電位數(shù)據(jù)如表2（單位：V），波動明顯。9V下理論中點(diǎn)4.5V，10個管芯3個超規(guī)范失效。

表2 連續(xù)10個管芯的中點(diǎn)測試數(shù)據(jù)

何種原因引起漏電和中點(diǎn)異常呢？需要分析中點(diǎn)跟器件參數(shù)的關(guān)系，以及芯片漏電、相關(guān)器件參數(shù)跟工藝的關(guān)系。先從中點(diǎn)的建立開始分析，以通道1輸出端PIN2的電位V2為例。

圖1 中點(diǎn)形成原理圖

2.2 雙通道功放電路的中點(diǎn)設(shè)置

該款I(lǐng)C中點(diǎn)形成原理圖如圖1，電路正常工作時，R18、R20、T22、T23 首先導(dǎo)通，然后通過 R21、T84(正常工作時T84不導(dǎo)通，其電流忽略)給T19、T20、T21提供基極電流。以Vcc=9V為例，仿真計算推導(dǎo)輸出端PIN2電位V2與器件參數(shù)（NPN管的Hfe-npn、Vbe-npn）的關(guān)系。

T19給偏置模塊供電，IcT19≈407.8uA。T20給消“POP”聲模塊供電，IcT20≈358.0uA。IcT21=（V9－VbeT21－VbeT27）/（R32+R33）≈265.1uA。IcT19、IcT20、IcT21數(shù)值為仿真計算數(shù)據(jù)。T19、T20、T21的基極電流之和Ib=(IcT19+IcT20+IcT21)/Hfe-npn≈1030.9μA/Hfe-npn。Hfe-npn表示 NPN 管 T19、T20、T21的放大，IcT19、IcT20、IcT21 分別表示 T19、T20、T21 的集電極電流，VbeT21、VbeT27 分別表示 T21、T27 的 be結(jié)正向壓降，V9是SVR端PIN9的電位。

V9、Ib滿足以下等式：

等式可變?yōu)椋?/p>

則

T27、T29 面積比 4:2，R33、R49 電阻值比 100:200，T27、T29、R33、R49 組成一個比例為 2:1 的鏡像電流源[2]，滿足 IcT27：IcT29=2:1

通道1中點(diǎn)PIN2電位V2由IcT29在R5上的壓降加上參考電位Vref形成（Vref恒定，仿真計算值0.703V，電流I=0.8uA忽略）：

式2表明中點(diǎn)電位V2受NPN管放大Hfe-npn和正向壓降Vbe-npn影響。

該款 IC，Hfe-npn 規(guī)范 80～200，典型值 120，在Hfe-npn規(guī)范內(nèi)V2跟Hfe-npn變化的關(guān)系如表3?？梢钥吹剑贖fe-npn規(guī)范內(nèi)，V2的變化范圍在0.2V之內(nèi)（－0.109～0.087）。變化曲線如圖2

表3 中點(diǎn)電位跟Hfe-npn的關(guān)系

圖2 中點(diǎn)電位跟Hfe-npn關(guān)系

NPN管的BE結(jié)正向壓降跟結(jié)電流的關(guān)系△Vbe-npn=60(mV)logI2/I1，I1、I2表示流過be結(jié)上的電流。假設(shè)I2/I1=10，即電流增加10倍，△Vbe-npn變化60mV?？梢娨欢ǚ秶鷥?nèi)的電流變化對Vbe-npn影響很小，因此正常的Vbe-npn波動幾乎不影響中點(diǎn)電位的高低。

2.3 對引起中點(diǎn)電位異常和漏電的分析

在式（2）中代入 Hfe-npn=120，VbeT22=VbeT23=VbeT21=VbeT27=0.74V（模型數(shù)據(jù)），得 V2=4.502V，設(shè)計的中點(diǎn)正好是Vcc的中心值。圓片測試結(jié)果，良品管芯V2也基本分布在4.5V附近。

何種原因?qū)е铝藞A片中很多管芯漏電和中點(diǎn)異常呢？從式2可以看到，中點(diǎn)異常應(yīng)該跟某個原因?qū)е翹PN管的Hfe-npn、Vbe-npn參數(shù)畸變有關(guān)，結(jié)合圓片中很多管芯漏電失效，分析認(rèn)為可能跟工藝缺陷相關(guān)。于是，對失效管芯進(jìn)行了表面腐蝕分析[3]，確認(rèn)發(fā)射區(qū)存在大量“火柴棍”式缺陷[4]，如圖3：

這種“火柴棍”式缺陷是生產(chǎn)過程中引入的二次缺陷（或稱工藝誘生缺陷），也稱為熱氧化層錯OSF[5]。眾所周知，缺陷的存在會使載流子遷移率[6]下降，使PN結(jié)反向漏電流增加，造成器件漏電、反向軟擊穿等。發(fā)射區(qū)缺陷會使得NPN管的Hfe-npn、Vbe-npn發(fā)生畸變。這種缺陷隨機(jī)發(fā)生，導(dǎo)致該款I(lǐng)C漏電以及中點(diǎn)電位隨機(jī)變大或變小，致使管芯失效，圓片良率下降。

圖3 發(fā)射區(qū)“火柴棍”式缺陷

2.4 發(fā)射區(qū)缺陷的機(jī)理分析和改善發(fā)射區(qū)缺陷的試驗(yàn)

氧化層錯OSF的形成機(jī)理有多種解釋，但大多數(shù)學(xué)者認(rèn)為是無位錯硅單晶中的間隙原子聚集成弗蘭克位錯環(huán)，在熱氧化過程中弗蘭克位錯環(huán)向Si-SiO2界面發(fā)射空位，形成了熱氧化缺陷。該產(chǎn)品工藝采用外加工產(chǎn)線的標(biāo)準(zhǔn)工藝，發(fā)射區(qū)采用SOD磷擴(kuò)散，只有磷沒有砷。查閱相關(guān)資料，硅原子半徑[7]0.117nm，磷原子半徑0.110nm。由于磷原子和本征硅原子的半徑差異，存在間隙原子，當(dāng)間隙原子達(dá)到臨界值時，便凝聚成弗蘭克位錯環(huán)[8]。要消除這種缺陷，解決方法之一是在發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散的同時摻入砷原子。砷原子半徑0.118nm，跟硅原子半徑接近且略大于硅原子半徑，摻入砷原子可以緩解磷原子和本征硅原子間由于原子半徑不匹配而產(chǎn)生的失配。將發(fā)射區(qū)SOD磷擴(kuò)散工藝改為發(fā)射區(qū)離子注入工藝（同時注入磷和砷）進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果，發(fā)射區(qū)缺陷消失，圓片中測良率達(dá)到90%以上。

圖4、圖5是發(fā)射區(qū)SOD磷擴(kuò)散芯片和發(fā)射區(qū)離子注入（磷和砷）試驗(yàn)芯片同時進(jìn)行的缺陷腐蝕。

3 改進(jìn)結(jié)果

改用發(fā)射區(qū)離子注入（磷砷）后，發(fā)射區(qū)缺陷消失，器件漏電減少，中點(diǎn)電位正常。表4是隨機(jī)抽取改進(jìn)后三批的中測良率、漏電失效和中點(diǎn)異常失效的數(shù)據(jù)?？梢钥吹剑╇娛Ш椭悬c(diǎn)異常失效明顯減少，中測良率穩(wěn)定在90%以上。

圖4 發(fā)射區(qū)SOD磷擴(kuò)散工藝缺陷

圖5 發(fā)射區(qū)離子注入磷和砷，沒有缺陷

改用發(fā)射區(qū)離子注入后隨機(jī)抽1片采集中測數(shù)據(jù)，隨機(jī)連續(xù)10個管芯的中點(diǎn)電位數(shù)據(jù)如表5，顯示中點(diǎn)電位的分布集中在典型值4.5V附近，波動很小。

表4 改進(jìn)后隨機(jī)三批中率

表5 改進(jìn)后連續(xù)10個管芯的中點(diǎn)測試數(shù)據(jù)

隨機(jī)抽取改發(fā)射區(qū)前后各自連續(xù)14個批次的良率對比見圖6，前14批采用發(fā)射區(qū)SOD磷擴(kuò)散，后14批改用發(fā)射區(qū)離子注入（磷砷）工藝，中測良率提高了20%以上。

圖6 改發(fā)射區(qū)離子注入前后中測良率比較

4 結(jié)束語

通過這個案例，說明了雙極IC工藝中，發(fā)射區(qū)單純磷擴(kuò)散工藝存在熱氧化層錯OSF導(dǎo)致IC漏電和參數(shù)異常的風(fēng)險，通過改變發(fā)射區(qū)工藝增加砷注入可改善此類缺陷。

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A Case Study of Solving Leakage Current and Abnormal Midpoint Potential in Integrated Circuits

Qiu Jingjun
（Wuxi China Resources Semico Co.,Ltd.,Wuxi 214000，China）

During the manufacturing process of integrated circuits(IC),sometimes certain processing anomalies can cause defects in the relevant diffusion region,which results in abnormal performance of IC chips and low yield of wafers.In the case study of a bipolar power amplifier IC chip,defects in the emitter region of NPN transistor cause leakage current and abnormal midpoint potential at output end，which results in low yield of wafers.It is introduced by a beginning of circuitous philosophy,followed with an analysis of procedurally establishing midpoint potential and deduction of the relation between midpoint potential and device parameters.Combined with IC chip leakage,it continues by analyzing the relation between manufacturing process and these device parameters,concluding that the chip failure results from defects of the emitter region in the NPN transistor through dissection and corrosion of the failed chip.Finally,defects are improved with changing the processing of the emitter region from P-SOD to ion implantation PAs,which solves the problem of abnormal performance and low yield.

Integrated circuits;Leakage of electricity;Midpointpotential;Emitter;Defect;Phosphorus;Arsenic;Atomic radius

10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.004

TN4

B

1002-2279-（2017）05-0012-04

邱靜君（1963—），女，浙江臺州人，高級工程師，主研方向：雙極功率集成電路工藝設(shè)計。