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        基于STM32的超聲波發(fā)生器掃頻信號源的實現(xiàn)

        2017-10-31 03:38:12張加嶺李善波侯穎釗
        電氣傳動自動化 2017年5期
        關(guān)鍵詞:分頻器掃頻換能器

        張加嶺,李善波,侯穎釗,趙 杰

        (國網(wǎng)徐州供電公司,江蘇徐州221000)

        1 前言

        近幾年來,我國對超聲技術(shù)的研究十分活躍,科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,學(xué)科之間的相互滲透,超聲工程學(xué)在很多領(lǐng)域起著至關(guān)重要的作用,按其研究內(nèi)容可以分為檢測超聲和功率超聲兩種。超聲波獲取信息,然后在通信上的應(yīng)用,叫做檢測超聲,檢測超聲主要用于超聲波流量計、超聲波探傷、超聲波測厚儀、水下超聲定位與探測、超聲對濃度的檢測等方面。用超聲使物體或物性變化的功率應(yīng)用,叫做功率超聲,功率超聲主要應(yīng)用于焊接、清洗、治療等方面。

        目前,超聲技術(shù)研究和應(yīng)用已經(jīng)從電力、冶金和機械等領(lǐng)域擴展到越來越多的領(lǐng)域,并取得了很好的社會效益和經(jīng)濟效益,成為一種高新技術(shù)領(lǐng)域。隨著超聲技術(shù)的成熟,其應(yīng)用越來越廣泛。在控制方式上,傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱電源控制采用模擬技術(shù),存在由于元件易老化、工作點漂移和一致性差等原因引起的產(chǎn)品升級換代困難等缺點。隨著數(shù)字集成芯片、單片機、DSP、FPGA的出現(xiàn),使感應(yīng)加熱電源數(shù)字化成為一種趨勢,數(shù)字化的感應(yīng)加熱電源控制靈活、系統(tǒng)升級方便,只要修改相應(yīng)的控制算法,而不必對硬件電路進行很大的改動。隨著電力電子器件的發(fā)展,電路控制技術(shù)也在飛速發(fā)展??刂齐娐纷畛跻韵辔豢刂茷槭侄?、由分立元件組成,發(fā)展到集成控制器,再到計算機控制,向著高頻率、低損耗和數(shù)字化的方向發(fā)展。超聲波發(fā)生器應(yīng)用數(shù)字化控制技術(shù)一般有3種形式:MCU控制、DSP控制、FPGA控制。其中MCU控制中,STM32憑借低功耗、高性能、低成本在工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

        本文主要介紹以STM32F103RB單片機為核心,輸出2路互補PWM波,帶死區(qū)時間控制,為超聲波電源的半橋逆變電路提供信號源,占空比頻率均可調(diào),實現(xiàn)4k范圍的鋸齒波掃頻,掃頻精度達到10Hz,掃頻速度達到100us,并給出掃頻程序流程圖。

        2 超聲波換能器電路模型等效

        超聲波發(fā)生器能夠提供一定頻率及一定功率的超聲頻電能,要將此電能高效率的傳輸給換能器,必須在超聲波發(fā)生器與換能器之間設(shè)置匹配電路,且功率超聲波設(shè)備能否高效而安全的工作,很大程度取決于匹配電路的設(shè)計。匹配電路主要有靜態(tài)匹配和動態(tài)匹配2種,動態(tài)匹配一般采用頻率跟蹤與功率跟蹤技術(shù);靜態(tài)匹配是在超聲波頻電發(fā)生器輸出頻率與換能器靜態(tài)諧振頻率相同的條件下,電端輸出阻抗與換能器靜態(tài)輸入阻抗匹配,它應(yīng)用于換能器輸出頻率固定的場合。

        壓電器件在遠離某一諧振頻率的其他頻率上沒有另外的諧振發(fā)生,則在這個諧振頻率附近可以把壓電器件近似看成一個集總系統(tǒng)。其高頻梅森等效電路圖如圖1所示,圖1中的動態(tài)電阻R1(即換能器串聯(lián)支路的電阻)的計算公式為:

        圖1 非諧振點圖

        式中GMAX為換能器諧振時的導(dǎo)納值的實部。

        動態(tài)電感L1(即換能器串聯(lián)支路的電感)計算公式為:

        式中R1為動態(tài)電阻;f2f1為半功率點。

        動態(tài)電容C1(即換能器串聯(lián)支路的電容)計算公式為:

        靜態(tài)電容C0計算公式為:

        式中CT為換能器在1kHz頻率下的電容值。

        式中fS為振頻率(換能器等效電路中串聯(lián)支路的諧振頻率,稱為串聯(lián)諧振頻率),當匹配一致時,在這個頻率下?lián)Q能器的阻抗最小。

        由式(2)-式(6)化簡得出:

        由上述推導(dǎo)可見換能器發(fā)生串聯(lián)諧振時,總電路阻抗不是純組態(tài),在電路中加入匹配電感使電路呈純組態(tài),此時的等效電路圖如圖2所示:

        電路總阻抗Z的計算公式:

        圖2 串聯(lián)諧振點圖

        由式(1)-式(8)結(jié)合諧振定義可推導(dǎo)出匹配電感L0計算公式為:

        3 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

        為了產(chǎn)生高精度的超聲波掃頻信號源,需要建立相應(yīng)的系統(tǒng)調(diào)試電路對程序進行調(diào)試分析,其中STM32外圍電路如圖3所示,包括串口電路、按鍵電路、復(fù)位電路、JTAG下載電路等。PC機上用Keil的MDK軟件進行C語言的編寫,通過串口電路下載到STM32F103RB單片機,從GPIO口連接到示波器進行顯示,JATG下載電路進行硬件調(diào)試,按鍵電路可對占空比進行控制,并可作為頻率變化精度測量電路。

        圖3 系統(tǒng)調(diào)試結(jié)構(gòu)圖

        3.1 STM32 簡介

        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核。按性能分成兩個不同的系列,STM32F103“增強型”系列和STM32F101“基本型”系列。增強型系列時鐘頻率達到72MHz,是同類產(chǎn)品中性能最高的產(chǎn)品;基本型時鐘頻率為36MHz,以16位產(chǎn)品的價格得到比16位產(chǎn)品大幅提升的性能,是16位產(chǎn)品用戶的最佳選擇。兩個系列都內(nèi)置32K到128K的閃存,不同的是SRAM有最大容量和外設(shè)接口的組合。時鐘頻率72MHz時,從閃存執(zhí)行代碼,STM32功耗36mA,是32位市場上功耗最低的產(chǎn)品,相當于 0.5mA/MHz。1μs的雙 12 位 ADC,4兆位/秒的 UART,18 兆位/秒的 SPI,18MHz 的 I/O翻轉(zhuǎn)速度,具有11個定時計數(shù)器,其中2個高級定時器、4個普通定時器、個基本定時器。

        3.2 占空比調(diào)節(jié)

        STM32的高級定時器具有互補輸出功能,通過TIM1_CCMR1寄存器設(shè)置為PWM輸出模式,調(diào)節(jié)輸出PWM的高電平時間來控制占空比,通過外部按鍵電路改變TIM1_CCR1寄存器的值來改變高電平的計數(shù)值,從而改變占空比,占空比調(diào)節(jié)范圍0%-100%連續(xù)可調(diào)。占空比D計算公式如下:

        從公式(11)中可以看出,占空比不僅和TIM1_CR1的值有關(guān),還和預(yù)分頻器TIM1_Period的值有關(guān)??赏ㄟ^改變寄存器TIM1_CCR1和TIM1_Period的值,這兩種途徑來改變占空比。

        3.3 頻率調(diào)節(jié)

        TIM1定時計數(shù)器的時鐘頻率為72MHz,使能自動重載寄存器TIM1_ARR,通過改變TIM1_ARR的值來改變預(yù)分頻器TIM1_Period的值,輸出PWM波的頻率f為:

        從公式(11)和公式(12)可以看出,當調(diào)節(jié)頻率時,占空比會隨之改變,為了在調(diào)頻的同時保證占空比恒定,在改變TIM1_Period預(yù)分頻器值的時,必須同時改變TIM1_CCR1寄存器的值,為此推導(dǎo)出預(yù)分頻器TIM1_Period和寄存器TIM1_CCR1兩者值之間的數(shù)值關(guān)系如下:

        其中Y代表TIM1_CCR1的變化量,X表示TIM1_Period的變化量,由于寄存器TIM1_CCR1的值恒小于預(yù)分頻器TIM1_Period的值,即式(13)中在X變化不大的情況下,Y恒為0,即使X變化很大,公式(13)得到的值也是極其不準確的,所以不可取。通過實驗論證,提出如下解決方案:

        設(shè)初始占空比為50%,按鍵按下一次,占空比改變i,預(yù)分頻器的值每次改變1個單位,則TIM1_CCR1(用 T表示)的值如公式(14)所示:

        式中左邊T是頻率改變前TIM1_CCR1的值。

        為了清晰地觀察到調(diào)頻的同時,正頻寬也隨之變化,將頻率變化步長設(shè)置為 18.8Hz。如圖4和圖5所示,頻率由25.9916kHz 經(jīng)過6次掃頻到26.0104kHz 時,正頻寬由19.31uS 變化到 19.21uS。

        圖4 初始掃頻的頻率、正頻寬

        圖5 掃頻6次后的頻率、正頻寬

        3.4 死區(qū)時間的設(shè)置

        嵌入死區(qū)時間是為了防止在驅(qū)動半橋逆變或者全橋逆變電路過程中出現(xiàn)同一橋臂上2管同時導(dǎo)通,造成短路現(xiàn)象損壞器件。STM32的高級寄存器具有死區(qū)時間嵌入功能,通過高級定時器的死區(qū)寄存器TIM1_BDTR嵌入死區(qū)時間,死區(qū)時間的設(shè)置與上升時間和下降時間有關(guān),通過示波器檢測上升時間和下降時間在 20ns到108ns之間變化,所以設(shè)置死區(qū)時間為110ns,由于在高頻情況下,死區(qū)時間設(shè)置過大,會導(dǎo)致占空比損失嚴重,所以需要根據(jù)具體情況設(shè)置死區(qū)時間。圖6所示為帶死區(qū)時間的互補PWM輸出波形。

        圖6 帶死區(qū)的互補PWM

        3.5 掃頻

        掃頻有3種方式:正弦波掃頻、三角波掃頻和鋸齒波掃頻,由于掃頻精度達到10Hz,掃頻速度達到100uS,即采用鋸齒波掃頻或三角波掃頻。掃頻分為自動掃頻和手動掃頻,用手動按鍵掃頻的方式檢測每次掃頻頻率的變化量,即掃頻精度。自動掃頻通過通用定時器TIM3中斷的方式來實現(xiàn),即掃頻的速度由定時器中斷時間決定,中斷時間可由公式(1-5)得:

        其中Tclk為TIM3的輸入時鐘頻率(單位為kHz), 此 時 設(shè) 置 為72000kHz;

        arr為定時計數(shù)器TIM3的自動重裝值;

        psc為定時計數(shù)器TIM3的預(yù)分頻器的值。

        圖7 開機掃頻流程圖

        4 掃頻程序流程圖

        經(jīng)試驗證明換能器串聯(lián)諧振頻率在正常的條件下波動不會超過3kHz范圍,為了節(jié)約開機掃頻時間,目前設(shè)置掃頻范圍為4kHz。掃頻程序流程圖如圖7所示。

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