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        高速PCM圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

        2017-09-06 10:55:42張耀峰李大全嚴(yán)帥張會(huì)新辛海華趙鵬飛張躍林史磊
        電子器件 2017年1期
        關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)模塊斷電存儲(chǔ)器

        張耀峰,李大全,嚴(yán)帥,張會(huì)新*,辛海華,趙鵬飛,張躍林,史磊

        (1.中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)試驗(yàn)室,太原030051; 2.儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)試驗(yàn)室,山西太原030051;3.北京宇航系統(tǒng)研究所,北京100076; 4.中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院,北京100076;5.首都航天機(jī)械公司,北京100076)

        高速PCM圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

        張耀峰1,2,李大全3,嚴(yán)帥3,張會(huì)新1,2*,辛海華3,趙鵬飛4,張躍林3,史磊5

        (1.中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)試驗(yàn)室,太原030051; 2.儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)試驗(yàn)室,山西太原030051;3.北京宇航系統(tǒng)研究所,北京100076; 4.中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院,北京100076;5.首都航天機(jī)械公司,北京100076)

        為了準(zhǔn)確接收和存儲(chǔ)某遙測(cè)系統(tǒng)的PCM、圖像數(shù)據(jù),設(shè)計(jì)了基于FPGA的高速PCM、圖像數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器以FPGA為控制核心,并利用三星FLASH芯片K9WBG08U1M的交叉雙平面頁(yè)編程技術(shù)提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度;為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的多次上電存儲(chǔ)并保證上一次上電存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不被覆蓋,我們?cè)贔PGA控制FLASH實(shí)現(xiàn)邊擦邊寫(xiě)的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了斷電續(xù)存技術(shù)。設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器具有數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度快、可多次上電存儲(chǔ)和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

        PCM;圖像;FPGA;FLASH;斷電續(xù)存

        隨著航空航天技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)采集精度要求越來(lái)越高,數(shù)據(jù)傳輸速率越來(lái)越快,使得高速數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)技術(shù)的需求越來(lái)越大。在衛(wèi)星通訊、雷達(dá)通訊、信號(hào)測(cè)量等領(lǐng)域,信息的采集、存儲(chǔ)和分析一直是我們面臨的重要課題[1]。因此,具有采集存儲(chǔ)速度快、容量大、體積小、抗干擾能力強(qiáng)、可靠性高等特點(diǎn)的存儲(chǔ)器成為我們的研究方向。

        1 存儲(chǔ)器性能指標(biāo)要求

        1.1 PCM數(shù)字量指標(biāo)要求

        利用RS422接收一路PCM數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器記錄時(shí)間不超過(guò)1 h,碼速率為5 Mbit/s,幀格式為96(列)×64(行),主幀同步碼為EB90,副幀同步碼為146F,上游設(shè)備在碼同步信號(hào)的上升沿發(fā)送數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器在碼同步信號(hào)的下降沿接收數(shù)據(jù),先接收到的是數(shù)據(jù)高位,后接收到的是數(shù)據(jù)低位。

        1.2 圖像數(shù)字量指標(biāo)要求

        利用LVDS接收一路圖像信息數(shù)據(jù),幀速率為8 ms/frame,一幀圖像數(shù)據(jù)包含320 byte×512 byte的圖像信息,接收的圖像數(shù)據(jù)不大于6 000 frame。LVDS的負(fù)載串行傳輸速率為360 Mbit/s,LVDS的并行傳輸數(shù)據(jù)位數(shù)為10 bit,其中低8 bit為圖像數(shù)據(jù)信號(hào),高2 bit為指示信號(hào),指示接收的圖像數(shù)據(jù)是否為有效的圖像數(shù)據(jù)。

        1.3 其他指標(biāo)要求

        存儲(chǔ)器在一次記錄完成后,斷電以后再上電,存儲(chǔ)器還可以接著上次的斷點(diǎn)位置再次啟動(dòng)記錄。

        2 設(shè)計(jì)方案

        存儲(chǔ)器采用模塊化的設(shè)計(jì)的思路,各個(gè)模塊既相互獨(dú)立又相互配合[2]。存儲(chǔ)器主要由電源轉(zhuǎn)化模塊、圖像接收模塊、PCM接收模塊、邏輯控制模塊、圖像存儲(chǔ)模塊、PCM存儲(chǔ)模塊、讀Flash緩存模塊和網(wǎng)口接口模塊組成。圖像接收模塊通過(guò)LVDS接收?qǐng)D像數(shù)據(jù),PCM接收模塊通過(guò)RS422接收PCM數(shù)據(jù)。邏輯控制模塊選用Xilinx公司生產(chǎn)的Spartan-3AN系列的FPGA芯片XC3S1400AN作為主控芯片;為了匹配數(shù)據(jù)接收模塊的數(shù)據(jù)接收碼率與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)碼率,在FPGA內(nèi)部構(gòu)建了兩個(gè)FIFO,分別為緩存1,緩存2;存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)為了判斷兩個(gè)FIFO何時(shí)滿足可讀取條件,并將滿足可讀取條件的FIFO中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊中,并且在回讀數(shù)據(jù)時(shí)為了判斷讀取哪一個(gè)存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù),在FPGA內(nèi)部構(gòu)建了數(shù)據(jù)調(diào)度模塊。圖像存儲(chǔ)模塊和PCM存儲(chǔ)模塊都選用Flash作為存儲(chǔ)芯片。當(dāng)需要讀取圖像數(shù)據(jù)或PCM數(shù)據(jù)至PC機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理時(shí),F(xiàn)PGA讀取對(duì)應(yīng)的Flash中的數(shù)據(jù)至緩存3,當(dāng)緩存3滿足可讀取條件時(shí),將數(shù)據(jù)傳送至網(wǎng)口控制器W5300的內(nèi)部緩存中[3],最終數(shù)據(jù)通過(guò)網(wǎng)口傳送至PC機(jī)。PC機(jī)可通過(guò)網(wǎng)口控制器W5300給FPGA發(fā)送“擦除”或“回讀”指令,F(xiàn)PGA接收到指令后對(duì)兩個(gè)Flash做出“擦除”或“讀取數(shù)據(jù)”的操作。FPGA控制單元還需要配置PROM和晶振來(lái)發(fā)揮其主控作用。結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

        圖1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

        3 硬件電路設(shè)計(jì)

        3.1 電源模塊電路

        為了消除系統(tǒng)電源和外界信號(hào)對(duì)高速LVDS信號(hào)的串?dāng)_,圖像數(shù)據(jù)接收需要信號(hào)隔離[4],隔離器的兩端由不同的5 V電源供電,整個(gè)存儲(chǔ)器控制電路的供電分為兩個(gè)部分:隔離前端部分和隔離后端部分。存儲(chǔ)器外接電壓是28 V,為了分別提供兩個(gè)隔離的5 V電壓,在28 V電源輸入后首先經(jīng)過(guò)EMI濾波模塊,輸出的電壓在兩個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換模塊的作用下產(chǎn)生兩個(gè)不同的5 V電壓負(fù)責(zé)隔離前后的供電,如圖2所示。

        圖2 EM I和DC/DC電路設(shè)計(jì)

        由于隔離前圖像數(shù)據(jù)LVDS接收接口的供電電壓為3.3 V,隔離后的FPGA供電電壓為3.3 V和1.2 V,因此,在隔離前端和隔離后端分別使用了電壓轉(zhuǎn)換芯片LM1117-3.3 V和TPS70345,負(fù)責(zé)將5 V電壓轉(zhuǎn)換為各自需要的供電電壓,如圖3所示。

        EMI濾波模塊對(duì)系統(tǒng)輸入的28 V電壓進(jìn)行濾波處理,這不但能夠抑制系統(tǒng)自身產(chǎn)生的EMI噪聲,同時(shí)可以為FPGA以及其他芯片提供無(wú)衰減的直流輸入電壓,濾除由電網(wǎng)加進(jìn)來(lái)的各種干擾信號(hào),使設(shè)備不受EMI噪聲干擾[5]。

        圖3 電源模塊電路設(shè)計(jì)

        3.2 圖像接收電路

        LVDS技術(shù)的低壓差分傳輸特性使其具有高速傳輸和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn),故圖像數(shù)據(jù)采用LVDS傳輸。為了接收由上游設(shè)備的10 bit低壓差分信號(hào)串化器DS92LV1023發(fā)送來(lái)的圖像數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器接收接口芯片采用10 bit低壓差分信號(hào)解串器DS92LV1224。由上游設(shè)備發(fā)送來(lái)的圖像信號(hào)經(jīng)過(guò)均衡器CLC014傳輸?shù)浇獯鱀S92LV1224,解串器DS92LV1224接收?qǐng)D像信號(hào)時(shí)FPGA為其提供同步時(shí)鐘REFCLK,在這個(gè)時(shí)鐘同步下將低壓差分信號(hào)LVDSRX+/-解串為帶有數(shù)據(jù)同步并行時(shí)鐘RCLK的10 bit并行數(shù)據(jù)D[9:0][6],解串后的數(shù)據(jù)通過(guò)ADu1400C進(jìn)行隔離,隔離后送給FPGA寫(xiě)入圖像緩存。圖像數(shù)據(jù)接收電路如圖4所示。

        3.3 PCM接收電路

        RS422接口采用差分方式傳輸數(shù)據(jù),在通訊距離、抗共模干擾能力等方面性能都比較好,故PCM數(shù)據(jù)采用RS422接口接收。為了與上游設(shè)備的RS422發(fā)送接口芯片DS26C32J相匹配,存儲(chǔ)器的RS422接收接口芯片采用DS26C32J。DS26C32J把由DS26C31J發(fā)送來(lái)的差分信號(hào)MTB+/-、PCM+/-還原成原來(lái)的MTB(碼同步)、PCM信號(hào)[3],F(xiàn)PGA接收后將其寫(xiě)入FPGA內(nèi)部構(gòu)建的PCM緩存,接收電路如圖5所示。

        圖4 圖像接收電路

        圖5 PCM接收電路設(shè)計(jì)

        3.4 數(shù)據(jù)接收框圖

        圖6 數(shù)據(jù)接收示意圖

        圖6所示為存儲(chǔ)器接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)和PCM數(shù)據(jù)時(shí)的數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程,具體傳輸過(guò)程已在3.2節(jié)、3.3節(jié)中介紹。

        4 時(shí)序設(shè)計(jì)

        4.1 圖像接收時(shí)序設(shè)計(jì)

        接收的單幅圖像數(shù)據(jù)幀格式為320×512,幀速率8ms/frame,LVDS的負(fù)載串行傳輸速率為360 Mbit/s。DS92LV1224采用的同步時(shí)鐘頻率為36 MHz,并行10位輸出,36 Mbit×10=360 Mbit/s,滿足串行數(shù)據(jù)傳輸速率要求。設(shè)計(jì)的圖像數(shù)據(jù)接收時(shí)序如圖7。上游設(shè)備8ms傳送一幀320×512的圖像數(shù)據(jù),一幀的數(shù)據(jù)量大小為320×512=160 kbyte,LVDS接收接口DS92LV1224接收160 kbyte的圖像數(shù)據(jù)需要的時(shí)間為160×1024/36 MHz=5.46 ms<8 ms,這說(shuō)明圖像數(shù)據(jù)在整個(gè)傳輸過(guò)程中LVDS不能一直保持滿負(fù)荷傳輸狀態(tài)。然而利用LVDS技術(shù)傳輸數(shù)據(jù)時(shí),需要實(shí)時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)同步,因此上游設(shè)備的數(shù)據(jù)發(fā)送端在圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)拈g隙(即8 ms~5.46 ms=2.54 ms時(shí)間段內(nèi))填充了無(wú)效數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的數(shù)據(jù)同步。8 ms傳輸一幀的時(shí)間內(nèi),5.46 ms是有效圖像數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間,2.54ms是無(wú)效圖像數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間,滿足了8 ms接收一幀圖像數(shù)據(jù)的要求。在傳輸過(guò)程中,幀同步信號(hào)和行同步信號(hào)作為圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成10 bit LVDS數(shù)據(jù)的高兩位,當(dāng)高兩位為11、10、01時(shí),指示接收到的圖像數(shù)據(jù)為有效圖像數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA在同步時(shí)鐘的作用下接收這10 bit并行數(shù)據(jù)并將其寫(xiě)入內(nèi)部構(gòu)建的圖像緩存即緩存2,當(dāng)高兩位為00時(shí),指示傳輸?shù)膱D像數(shù)據(jù)為無(wú)效圖像數(shù)據(jù)[3],F(xiàn)PGA不對(duì)其進(jìn)行接收。

        圖7 圖像數(shù)據(jù)接收時(shí)序

        4.2 PCM接收時(shí)序設(shè)計(jì)

        存儲(chǔ)器接收1路碼率為5 Mbit/s的PCM數(shù)據(jù),PCM數(shù)據(jù)幀格式如表1。

        表1 PCM數(shù)據(jù)幀格式表

        圖8是PCM數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序。存儲(chǔ)器在碼同步信號(hào)的作用下接收PCM數(shù)據(jù),一個(gè)同步信號(hào)周期對(duì)應(yīng)一位數(shù)據(jù),8個(gè)同步信號(hào)周期對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的一個(gè)字節(jié),一個(gè)字節(jié)中先接收高位后接收低位,字節(jié)之間沒(méi)有空閑位。上游設(shè)備在碼同步信號(hào)的上升沿發(fā)送數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器在碼同步信號(hào)的下降沿接收數(shù)據(jù)。

        圖8 PCM數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序

        存儲(chǔ)器由RS422接收接口接收PCM數(shù)據(jù)時(shí),由于沒(méi)有字同步信號(hào),在數(shù)據(jù)接收時(shí)不能判斷哪一位是數(shù)據(jù)的起始位,而FPGA需要將8 bit串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成8 bit并行數(shù)據(jù)并寫(xiě)入PCM緩存即緩存1,這轉(zhuǎn)換時(shí)有可能將不同字節(jié)的數(shù)據(jù)拼接在一起,導(dǎo)致接收混亂。解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵在于幀同步碼EB90、146F,F(xiàn)PGA接收數(shù)據(jù)時(shí)內(nèi)部構(gòu)建一個(gè)16 bit的移位寄存器,先移位接收15 bit數(shù)據(jù),然后左移1 bit,補(bǔ)接收1 bit,判斷這16 bit數(shù)據(jù)構(gòu)成的兩個(gè)字節(jié)是否為EB90或146F,如果不是,左移1 bit補(bǔ)接收1 bit,繼續(xù)判斷是否為EB90或146F,如此往復(fù),當(dāng)判到EB90或146F后,再移位接收96×8=768 bit,若還是EB90或146F,說(shuō)明串并轉(zhuǎn)換成功,F(xiàn)PGA可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入PCM緩存中,若不是EB90或146F,重新開(kāi)始移位接收判斷。

        4.3 FLASH存儲(chǔ)時(shí)序設(shè)計(jì)

        依照給出的性能指標(biāo)要求,存儲(chǔ)PCM數(shù)據(jù)的最大數(shù)據(jù)量為(1×60×60×5 M)÷8÷10243=2.1 Gbyte,存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)的最大數(shù)據(jù)量為320×512×6 000÷1 0243=

        0.92 Gbyte,圖像存儲(chǔ)Flash和PCM存儲(chǔ)Flash都采用單片雙片選4G芯片K9WBG08U1M,滿足指標(biāo)要求,塊組成平面結(jié)構(gòu)圖如圖9所示[7]。

        圖9 塊組成平面結(jié)構(gòu)圖

        存儲(chǔ)器工作時(shí),F(xiàn)PGA內(nèi)部構(gòu)建的數(shù)據(jù)調(diào)度模塊實(shí)時(shí)判斷緩存1、緩存2中的數(shù)據(jù)量是否達(dá)到4 kbyte,如果其中有一個(gè)緩存中的數(shù)據(jù)量達(dá)到4 kbyte,F(xiàn)PGA便將緩存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊中。由于Flash的單平面順序頁(yè)編程、單平面交叉頁(yè)編程和雙平面頁(yè)編程操作模式已滿足不了高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求,而交叉雙平面頁(yè)編程模式可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度提高到30 Mbyte/s[8],故FPGA向Flash寫(xiě)PCM或圖像數(shù)據(jù)時(shí),采用Flash的交叉雙平面頁(yè)編程模式。交叉雙平面頁(yè)編程是在一個(gè)雙平面進(jìn)行頁(yè)編程時(shí)候,切換片選信號(hào)執(zhí)行另一個(gè)雙平面頁(yè)編程[9]。操作過(guò)程如圖10所示。

        圖10 交叉頁(yè)編程操作流程圖

        從圖10可以看出在第1組雙平面的寫(xiě)寄存器時(shí)間結(jié)束后,通過(guò)片選信號(hào)CE切換至第3組雙平面并進(jìn)入寫(xiě)寄存器時(shí)間,第3組寫(xiě)寄存器時(shí)間結(jié)束之后,通過(guò)片選信號(hào)CE切換至第2組雙平面并進(jìn)入寫(xiě)寄存器時(shí)間,第2組寫(xiě)寄存器時(shí)間結(jié)束之后,通過(guò)片選信號(hào)CE切換至第4組雙平面并進(jìn)入寫(xiě)寄存器時(shí)間,第4組寫(xiě)寄存器時(shí)間結(jié)束之后,通過(guò)片選CE信號(hào)切換至第1組,如此往復(fù),整個(gè)操作過(guò)程中所有的頁(yè)編程等待時(shí)間都被充分利用,每時(shí)每刻數(shù)據(jù)都在寫(xiě)入寄存器,沒(méi)有等待時(shí)間,因此在交叉雙平面頁(yè)編程模式下Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度即為數(shù)據(jù)寫(xiě)入寄存器的速度,

        此時(shí)Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度達(dá)到最大,設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器

        便具備了數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度快的特點(diǎn)。

        4.4 斷電續(xù)存技術(shù)

        按照設(shè)計(jì)指標(biāo)要求,存儲(chǔ)器在本次數(shù)據(jù)采集后,下電以后再上電,存儲(chǔ)器還可以接著上次斷電時(shí)存儲(chǔ)的斷點(diǎn)位置進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),為此,我們開(kāi)發(fā)了斷電續(xù)存技術(shù)。存儲(chǔ)操作采用邊擦邊寫(xiě)的方式進(jìn)行,操作流程圖如圖11所示。

        圖11 邊擦邊寫(xiě)流程

        由于Flash的壞塊檢測(cè)、擦除、編程操作都在交叉雙平面模式下進(jìn)行,存儲(chǔ)器工作時(shí)按照以上流程圖操作后,每次下電之后都會(huì)有一組被擦除的FF塊,再次上電時(shí)只需要檢測(cè)到這一組FF塊便找到了存儲(chǔ)器下電時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)斷點(diǎn)位置,然后在斷點(diǎn)位置處再次進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)就可以實(shí)現(xiàn)斷電續(xù)存的功能了。

        5 數(shù)據(jù)測(cè)試結(jié)果

        存儲(chǔ)器通過(guò)接收由上游設(shè)備發(fā)送來(lái)的PCM數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證數(shù)據(jù)接收的正確性。上游設(shè)備發(fā)送PCM遞增數(shù),存儲(chǔ)器接收并存儲(chǔ)后將數(shù)據(jù)傳送給上位機(jī),并由上位機(jī)軟件分析。圖12為回讀至上位機(jī)并由上位機(jī)軟件顯示的部分PCM數(shù)據(jù),從圖中可以看出PCM數(shù)據(jù)的主幀同步碼為EB 90,副幀同步碼為146F,在上位機(jī)軟件中顯示的完整PCM數(shù)據(jù)為:主幀長(zhǎng)96路、副幀長(zhǎng)64路、幀有效數(shù)據(jù)為00~5C的遞增數(shù)。接收到的PCM數(shù)據(jù)滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。

        圖12 PCM數(shù)據(jù)片段

        存儲(chǔ)器通過(guò)接收由上游設(shè)備發(fā)送來(lái)的圖像數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證數(shù)據(jù)接收的正確性。存儲(chǔ)器將接收并存儲(chǔ)的圖像數(shù)據(jù)傳送給上位機(jī),上位機(jī)利用圖像還原軟件對(duì)圖像數(shù)據(jù)逐幀播放分析。圖13是回讀的圖像數(shù)據(jù)片段,使用圖像還原軟件對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,得到圖像如圖14所示。圖像數(shù)據(jù)分析無(wú)誤,滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。

        圖13 圖像數(shù)據(jù)片段

        圖14 還原后的圖像

        6 結(jié)論

        設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器可按照PCM數(shù)據(jù)、圖像數(shù)據(jù)指標(biāo)要求接收一路PCM數(shù)據(jù)和一路圖像數(shù)據(jù),并具有斷電續(xù)存的功能。數(shù)據(jù)傳輸時(shí),存儲(chǔ)器采用RS422、 LVDS接口接收數(shù)據(jù),這兩種接口芯片都采用差分方式傳輸數(shù)據(jù),抗干擾能力強(qiáng);數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí),采用flash的交叉雙平面頁(yè)編程模式,大大提高了數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度,具有高速存儲(chǔ)的特點(diǎn)。

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        張耀峰(1990-),男,漢族,山西忻州人,學(xué)生,現(xiàn)為中北大學(xué)在讀碩士,研究方向?yàn)閯?dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)與儀器,1511688590 @qq.com;

        張會(huì)新(1980-),男,漢族,黑龍江牡丹江人,講師,現(xiàn)為北京航空航天大學(xué)在讀博士,研究方向?yàn)榭惯^(guò)載存儲(chǔ)技術(shù)及動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)與儀器,zhanghx@nuc.edu.cn。

        High Speed PCM Image Data Acquisition M emory

        ZHANG Yaofeng1,2,LIDaquan3,YAN Shuai3,ZHANG Huixin1,2*,XIN Haihua3,ZHAO Pengfei4,ZHANG Yuelin3,SHILei5

        (1.National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology,Shanxi Taiyuan 030051,China;2.Key Laboratory of Instrumentation Science and Dynamic Measurement of Ministry of Education,Taiyuan 030051,China;3.Beijing Institute of Aerospace Systems Engineering,Beijing 100076,China;4.China Academy of Launch Vehicle Technology,Beijing 100076,China; 5.Capital Aerospace Machinery Corporation,Beijing 100076,China)

        In order to receive PCM data and image information from a remotemetering system exactly,we designed a memory tomeet the requirement.The memory uses FPGA as the control center and makes use of the interleave two-plane page program technique of Samsung flashmemory K9WBG08U1M to raise the datawriting speed.Also on the foundation of using the operation of erasing and writing meanwhile of memory,the technology of continuous memorymethod,we developed tomake sure that the previous stored data can not be covered when thememory is powered on several times.Thememory we designed has the characteristics of high data writing speed,capability of storing data when powered on several times and ability of high resistance to interference.

        PCM;image;FPGA;FLASH;continuousmemory

        C:6140

        10.3969/j.issn.1005-9490.2017.01.010

        TN79

        :A

        :1005-9490(2017)01-0049-06

        2016-01-14修改日期:2016-02-24

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