目前，毫米波芯片主要有砷化鎵（GaAs） 和InP（磷化銦） 毫米波芯片、氮化鎵（GaN） 毫米波芯片和硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片。

砷化鎵（GaAs） 和InP（磷化銦） 毫米波芯片

GaAs和InP在毫米波頻段具有良好的性能，是毫米波頻段的主流集成電路工藝。近幾年，GaAs和InP工藝和器件取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。基于該類工藝的毫米波器件類型主要有高電子遷移率晶體管（HEMT）、改性高電子遷移率晶體管（mHEMT） 和異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（HBT）等。

氮化鎵（GaN） 毫米波芯片

GaN具有高電子遷移率和擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，器件功率密度是GaAs功率密度的5 倍以上，可顯著地提升輸出功率、減小體積和成本。隨著GaN材料制備技術(shù)的逐漸成熟，GaN器件和電路已成為化合物半導(dǎo)體電路研制領(lǐng)域的熱點(diǎn)方向，美國(guó)、日本、歐洲等國(guó)家將GaN作為微波毫米波器件和電路的發(fā)展重點(diǎn)。近十年來(lái)，GaN的低成本襯底材料碳化硅（SiC）也逐漸成熟，其晶格結(jié)構(gòu)與GaN相匹配，導(dǎo)熱性好，極大加快了GaN器件和電路的發(fā)展。

硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片

硅基工藝傳統(tǒng)上以數(shù)字電路應(yīng)用為主。但由于硅工藝在成本和集成度方面的巨大優(yōu)勢(shì)，日本、美國(guó)、加拿大都開始了硅基毫米波亞毫米波集成電路的研究。我國(guó)在政策支持下，東南大學(xué)毫米波國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室也快速開展相關(guān)研究并取得進(jìn)展。