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        液晶顯示器的接口技術(shù)及其抗干擾措施

        2017-07-23 05:21:12江濤吳祥晟
        世界家苑 2017年4期
        關(guān)鍵詞:接口抗干擾

        江濤 吳祥晟

        摘要:介紹了一般LCD與MCU的接口技術(shù)及其抗干擾措施,結(jié)合最近開發(fā)的絕緣油耐壓測試儀中出現(xiàn)的CMOS自鎖現(xiàn)象,提出了一種在強(qiáng)電磁場等特殊環(huán)境下,可靠使用液晶顯示器的技術(shù)方法。

        關(guān)鍵詞:液晶顯示器;接口;抗干擾;自鎖現(xiàn)象

        1、LCD與微控制器的接口技術(shù)

        目前市場上的液晶顯示模塊是結(jié)合了接口電路、等級驅(qū)動(dòng)和液晶屏幕的專用模塊。模塊中通常有兩個(gè)以上的CMOS大規(guī)模集成電路,外部和控制器的接口功能只是一些工作模式寄存器,對應(yīng)點(diǎn)陣RAM的讀寫,而具體的工作模式控制,掃描顯示和驅(qū)動(dòng)均由模塊中的集成電路完成。控制器和LCD以串行通信方式(通過RS232接口)和并行通信方式交換數(shù)據(jù)信息,液晶顯示器大多采用并行接口方式。

        1.1LCD的并行接口方式

        顯示模塊的外部接口一般采用并行方式,并行接口外接口線的讀寫時(shí)序常見以下兩種模式。

        (1)8080模式,這類模式通常有下列接口信號:Vee(工作主電源)、Vss(公共端)、Vee(偏置負(fù)電源,常用于調(diào)整顯示對比度)/RES,復(fù)位線。DB0~DB7,雙向數(shù)據(jù)線。D/I,數(shù)據(jù)脂令選擇線(1:數(shù)據(jù)讀寫,0:命令讀寫)。/CS,片選信號線(如果有多片組合,可有多條片選信號線)。/WR,MPU向LCD寫入數(shù)據(jù)控制線。/RD,MPU從LCD讀入數(shù)據(jù)控制線。

        (2)6800模式,在這種模式下,Vee、Vss、Vee、/RES、DB0~DB7、D/I的功能同模式(1),其他信號線為:R/W,讀寫控制(1:MPU讀,0:MPU寫)。E,允許信號(多片組合時(shí),可有多條允許信號線)。

        1.2Vee的產(chǎn)生

        在LCD模塊中,對比度的調(diào)整往往是通過調(diào)整Vee的數(shù)值進(jìn)行的。對比度的大小會(huì)隨著溫度的變化而變化,準(zhǔn)確的調(diào)整方式是加以溫度傳感器通過補(bǔ)償電路來進(jìn)行的。大多數(shù)使用者是采用在Vcc和一個(gè)負(fù)電源V之間接一個(gè)電位器,通過調(diào)整電位器使之輸出一個(gè)合適的Vee來調(diào)整LCD的對比度。負(fù)電源V_可以通過一個(gè)直流電源電路產(chǎn)生。

        如果在測量控制儀器中設(shè)計(jì)RS232接口,則需要TTL電平和RS232電平的轉(zhuǎn)換電路。常用的芯片是MAX202芯片,MAX202是MAXIM的接口芯片,可以轉(zhuǎn)換TTL電平和RS232電平。該芯片配備了動(dòng)力提升泵,它只需要一個(gè)5V電源,并且在運(yùn)行期間不需要外部12V電源,其操作簡單,而且可靠性強(qiáng)。MAX202芯片引腳具有負(fù)電源輸出,使用該引腳可以替代直流電源電路。

        1.3抗干擾措施

        LCD顯示屏常置于儀表的面板上,通過一條扁平電纜連接于主控板上。測控儀表內(nèi)部的電磁干擾對LCD的工作有一定的影響,如果該儀表工作于工業(yè)生產(chǎn)過程,惡劣的環(huán)境對于液晶屏的工作更為不利,這就需要在設(shè)計(jì)中采用各種抗干擾措施,一般情況下采用下述措施即可:

        (1)主板上與LCD模塊接口的邏輯電路盡可能采用驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的芯片。(2)LCD模塊的接口中,在Vee和Vss之間接一個(gè)0.1μF的濾波電容。(3)LCD模塊的工作電流很小,為幾個(gè)mA,但其背光部分所需要的電流遠(yuǎn)大于其工作電流,最好將工作電源和背光電源分別走線。(4)定期對液晶屏復(fù)位(通過/RES引腳)可以保證液晶顯示屏長期工作的穩(wěn)定性。如果不允許液晶屏定期復(fù)位,可以檢測LCD內(nèi)部工作寄存器和顯示RAM,一旦發(fā)現(xiàn)LCD不正常,可以對LCD復(fù)位。

        2、CMOS自鎖現(xiàn)象及其抑制

        隨著CMOS器件在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域中應(yīng)用范圍的日益廣泛,對其性能可靠、抗干擾方面的要求也越來越高,而在特定環(huán)境下,其自身特有的自鎖現(xiàn)象嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的正常工作,因此,如何有效抑制CMOS自鎖現(xiàn)象的產(chǎn)生已成為使用CMOS器件設(shè)計(jì)電路中一個(gè)不可忽視的問題。

        2.1自鎖現(xiàn)象

        自鎖現(xiàn)象也稱為SCR現(xiàn)象。這是因?yàn)槠骷?nèi)部的pnpn結(jié)構(gòu)形成了雙結(jié)寄生晶閘管,其電路結(jié)構(gòu)與SCR完全相同。在測試和使用過程中,當(dāng)外部電壓或電流信號觸發(fā)CMOS器件的漏極Vdd和源極Vss之間的較大導(dǎo)通電流時(shí),一旦電流開始流動(dòng),即使電流消失,外部觸發(fā)信號也不會(huì)中斷,只有當(dāng)電源關(guān)閉或電壓降至某個(gè)值以下時(shí)才會(huì)釋放電流。此時(shí),設(shè)備處于自鎖狀態(tài),理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,CMOS電路的自鎖效應(yīng)是由于內(nèi)部存在寄生雙極型晶閘管。自鎖有很多原因,具體分為外部和內(nèi)部原因:內(nèi)部原因是因其內(nèi)部雙寄生晶體管的特殊構(gòu)造引起的,其制造工藝在出廠后已確定,在此不做詳述。外部原因主要由以下幾方面構(gòu)成:

        (1)輸入或輸出端的電平下降到比Vss還低,或者上升到比Vdd還高;(2)接到Vdd端的電源有異常的浪涌電壓或噪聲干擾侵入;(3)電源電壓瞬間跳動(dòng)引起反偏下p阱-襯底結(jié)電容出現(xiàn)較大的充放電電流,該電流的大小與電源電壓變化速度呈正比;(4)受到電離輻射,如α射線或γ射線輻照,使襯底、阱等處有異常的電流流過。

        2.2CMOS自鎖現(xiàn)象的抑制措施

        為了避免自鎖現(xiàn)象的發(fā)生,一方面從CMOS器件的制造工藝上改進(jìn)其基本結(jié)構(gòu),另一方面在電路設(shè)計(jì)中,針對具體產(chǎn)生自鎖的原因采取相應(yīng)的措施,具體為以下幾種方案:

        (1)輸入輸出電源端有浪涌電壓或電流出現(xiàn)時(shí),可在輸入端、輸出端串聯(lián)電阻以限制觸發(fā)電流,或者加粗電源線。(2)當(dāng)電源線阻抗較高時(shí),系統(tǒng)內(nèi)集成電路開關(guān)引起的動(dòng)態(tài)壓降也易引起自鎖。此時(shí)可在Vdd和Vss間接人電容,提供動(dòng)態(tài)電流,減小電源線上的動(dòng)態(tài)壓降。(3)由于大多數(shù)自鎖現(xiàn)象是外來噪聲和系統(tǒng)暫態(tài)過程引起的,只是瞬間產(chǎn)生,可在由浪涌電壓或電流引起的強(qiáng)磁場形成前斷開系統(tǒng)內(nèi)CMOS器件的供電,躲過強(qiáng)磁場后繼續(xù)上電工作。

        3、絕緣油耐壓測試儀LCD顯示中的CMOS自鎖現(xiàn)象的抑制措施

        3.1絕緣油耐壓測試儀設(shè)計(jì)中自鎖現(xiàn)象的產(chǎn)生

        絕緣油壓測試儀是電力行業(yè)廣泛用于測量變壓器絕緣油抗壓強(qiáng)度的儀器。其工作原理是:在電絕緣油的測試過程中,需要可調(diào)的高壓電壓。電壓施加到絕緣油杯的端部,并且電壓從零逐漸升高。當(dāng)電壓在任何時(shí)候發(fā)生故障時(shí),電流電壓值就是油的絕緣值。其中,系統(tǒng)的高壓發(fā)生部分是通過交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)自耦變壓器(可調(diào)),產(chǎn)生0-220V交流電,并通過1:400高壓變壓器產(chǎn)生0-88kV交流電壓。在具體的設(shè)計(jì)和調(diào)試中,我們發(fā)現(xiàn)每當(dāng)絕緣油發(fā)生故障時(shí),用于顯示系統(tǒng)加壓狀態(tài)的LCD屏幕都會(huì)導(dǎo)致屏幕出現(xiàn),導(dǎo)致系統(tǒng)無法正常工作。經(jīng)過反復(fù)實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)該系統(tǒng)的故障是由絕緣油破裂時(shí)油杯擊穿電流為10至20mA引起的。由于變壓器變比為1:400,升壓變壓器的初級線圈會(huì)有4~8A的大電流流過,這樣一個(gè)大電流突然在電路周圍產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁場干擾,嚴(yán)重干擾了暴露的液晶顯示模塊中的CMOS器件,并觸發(fā)器件的自鎖現(xiàn)象。

        3.2抑制方法

        由于本系統(tǒng)中CMOS器件集成在液晶模塊中,因此不能采用傳統(tǒng)方法直接增加限流電阻抗干擾,只能采用第三種方法抑制自鎖現(xiàn)象。具體實(shí)現(xiàn)是:一方面系統(tǒng)中的大電流導(dǎo)線遠(yuǎn)離計(jì)算機(jī)控制電路,兩根大電流導(dǎo)線絞合成雙絞線,以減少外部空間干擾;另一方面,考慮到大部分自鎖現(xiàn)象是外部噪聲,并且系統(tǒng)瞬態(tài)只能瞬間發(fā)生,并且系統(tǒng)中的CMOS器件的功率可以在形成由浪涌引起的強(qiáng)磁場之前斷開電壓或電流,強(qiáng)磁場消除后電源繼續(xù)打開。

        3.3試驗(yàn)結(jié)果

        實(shí)驗(yàn)表明,該方法能有效控制絕緣油擊穿時(shí)高壓的通斷,能夠準(zhǔn)確測量變壓器絕緣油的耐壓值,并且在絕緣油擊穿時(shí)斷開液晶顯示模塊的電源供電,有效避免了液晶屏內(nèi)CMOS器件自鎖現(xiàn)象的產(chǎn)生。

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