鄭漢生，韓建偉，張振龍

（1. 中國(guó)科學(xué)院 國(guó)家空間科學(xué)中心，北京 100190；2. 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京 100049）

高能電子輻照下聚合物介質(zhì)深層放電實(shí)驗(yàn)研究

鄭漢生1,2，韓建偉1,2，張振龍1,2

（1. 中國(guó)科學(xué)院 國(guó)家空間科學(xué)中心，北京 100190；2. 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京 100049）

為揭示聚合物介質(zhì)材料在連續(xù)能譜高能電子輻射下的深層放電規(guī)律特征，利用90Sr放射源對(duì)聚四氟乙烯（PTFE）材料進(jìn)行了不同條件的輻照實(shí)驗(yàn)。對(duì)采集的大量放電數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析發(fā)現(xiàn)，電子輻照累積時(shí)間、入射電子通量以及溫度都會(huì)影響介質(zhì)的放電風(fēng)險(xiǎn)以及放電脈沖特征。高能電子對(duì)樣品持續(xù)數(shù)天的累積輻照會(huì)降低介質(zhì)自發(fā)放電的閾值條件，輻照后期放電更加頻繁，但放電強(qiáng)度會(huì)減弱。入射電子通量越低時(shí)，放電風(fēng)險(xiǎn)越小；通量越高時(shí)，放電頻率越高，高強(qiáng)度放電事件的發(fā)生概率也越大。溫度主要通過影響介質(zhì)的電導(dǎo)率而影響其深層放電特性，溫度下降時(shí)介質(zhì)本征電導(dǎo)率降低，充電電位和放電風(fēng)險(xiǎn)增加；一旦發(fā)生放電，放電電流脈沖的平均幅度也更大。

高能電子；聚四氟乙烯；深層充放電；放電脈沖；電子通量；溫度效應(yīng)；實(shí)驗(yàn)研究

0 引言

空間高能電子誘發(fā)的深層充放電效應(yīng)是中地球軌道（MEO）和地球同步軌道（GEO）衛(wèi)星面臨的主要空間環(huán)境危害[1-2]。這些衛(wèi)星運(yùn)行于大量高能電子被地磁場(chǎng)俘獲的外輻射帶區(qū)域，在發(fā)生高能電子暴時(shí)，能量大于100 keV的電子通量顯著增加并可能持續(xù)數(shù)天[3]。高能電子穿透衛(wèi)星蒙皮或單機(jī)機(jī)殼，將電荷沉積在內(nèi)部的各種介質(zhì)材料中，電荷持續(xù)積累使介質(zhì)內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)，一旦介質(zhì)擊穿發(fā)生靜電放電（ESD），不僅會(huì)對(duì)材料本身造成損傷而影響其性能，放電脈沖還會(huì)通過不同的耦合途徑進(jìn)入敏感器件和電路，對(duì)電子系統(tǒng)造成干擾而導(dǎo)致衛(wèi)星異常或故障[4-6]。

聚合物介質(zhì)材料以其優(yōu)異的物理性能被廣泛應(yīng)用于航天器。但從深層充電效應(yīng)角度看，聚合物介質(zhì)材料的大量應(yīng)用卻是一個(gè)棘手的問題。聚合物介質(zhì)普遍具有極低的電導(dǎo)率，這使得沉積在材料內(nèi)的電荷泄放非常緩慢，尤其在大塊聚合物介質(zhì)或介質(zhì)接地條件不利的應(yīng)用場(chǎng)景，發(fā)生深層放電的風(fēng)險(xiǎn)很大。幾十年以來，國(guó)內(nèi)外研究人員通過空間飛行實(shí)驗(yàn)、地面模擬實(shí)驗(yàn)以及計(jì)算機(jī)仿真等手段，對(duì)深層充放電效應(yīng)進(jìn)行了廣泛而深入的研究[7-10]。但遺憾的是，受限于多方面因素，迄今仍不能在航天器發(fā)射入軌前對(duì)其深層充放電風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行準(zhǔn)確評(píng)估。其主要原因是，人們對(duì)材料確切的電導(dǎo)率、介電常數(shù)、擊穿閾值等參數(shù)在真實(shí)空間環(huán)境下的長(zhǎng)期變化仍然了解有限，而這些參數(shù)對(duì)介質(zhì)的充電水平和放電特性起著至關(guān)重要的作用。對(duì)于運(yùn)行在高能電子聚集區(qū)域的很多衛(wèi)星來說，發(fā)生介質(zhì)深層放電似乎難以避免。因此，從被動(dòng)防護(hù)角度出發(fā)，研究介質(zhì)的放電特征規(guī)律以及放電對(duì)衛(wèi)星電子系統(tǒng)的作用和影響，對(duì)深層充放電防護(hù)設(shè)計(jì)具有重要的工程指導(dǎo)意義。

目前，航天器深層充放電研究仍然集中在充電物理過程、介質(zhì)電導(dǎo)率特性等方面，對(duì)介質(zhì)深層放電研究較少。高能電子輻照下聚合物介質(zhì)放電的物理機(jī)制復(fù)雜，隨機(jī)性強(qiáng)，仿真模擬較為困難，而空間飛行實(shí)驗(yàn)成本高、周期長(zhǎng)，少數(shù)衛(wèi)星搭載的相關(guān)探測(cè)器所獲取的放電數(shù)據(jù)有限，因此地面模擬實(shí)驗(yàn)對(duì)于深層放電研究仍是一種不可或缺的重要手段。

本文利用90Sr放射源模擬外輻射帶具有連續(xù)能譜結(jié)構(gòu)的高能電子輻射環(huán)境，對(duì)聚四氟乙烯平板介質(zhì)進(jìn)行輻照直至樣品產(chǎn)生自發(fā)放電，采集不同輻照電子通量及溫度條件下的放電脈沖數(shù)據(jù)并進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，研究輻照累積時(shí)間、電子通量和溫度對(duì)聚四氟乙烯深層放電的影響規(guī)律。

1 實(shí)驗(yàn)裝置、樣品及實(shí)驗(yàn)方案

本實(shí)驗(yàn)在中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心的航天器充放電模擬裝置（SCADS）上進(jìn)行。SCADS是用于航天介質(zhì)材料充放電特性研究以及衛(wèi)星部件和單機(jī)的充放電風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估的專用實(shí)驗(yàn)裝置[11]，其包含2套不同的電子輻照源：5～100 keV的電子槍以及活度達(dá)350 mCi的90Sr-90Y放射源。該裝置可對(duì)MEO和GEO衛(wèi)星表面及深層充電電子環(huán)境進(jìn)行較真實(shí)模擬。90Sr-90Y放射源通過β衰變所發(fā)射的電子具有連續(xù)能譜（Emax=2.28 MeV），其輻照電子通量穩(wěn)定，抗干擾能力強(qiáng)，通過調(diào)節(jié)輻照距離可將電子通量控制在pA/cm2量級(jí)上下，與外輻射帶的高能電子能譜和通量有著較好的匹配，是較理想的深層充電模擬源。

實(shí)驗(yàn)樣品采用40 mm×40 mm的聚四氟乙烯方形平板介質(zhì)，厚度為5 mm和8 mm兩種。實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示。

銅制樣品架放置在真空室內(nèi)的溫控樣品臺(tái)上，樣品背面鍍金屬電極后連接導(dǎo)線穿過羅氏線圈接地，前表面用一開有φ40 mm圓孔的鋁蓋固定在樣品架上，實(shí)際受照面積即為中心圓孔區(qū)域。輻照實(shí)驗(yàn)期間，真空室內(nèi)脈沖電場(chǎng)儀信號(hào)和羅氏線圈信號(hào)用同軸電纜穿過真空室法蘭連接至示波器，示波器對(duì)放電脈沖信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)采集記錄；借助表面電位探頭和Trek 341B靜電電位計(jì)，不定時(shí)地對(duì)樣品表面電位進(jìn)行非接觸式測(cè)量。

2 實(shí)驗(yàn)條件、過程及結(jié)果

對(duì) 4塊聚四氟乙烯平板介質(zhì)樣品進(jìn)行了不同實(shí)驗(yàn)條件的輻照，其中3塊樣品厚度為8 mm，分別記為#1、#2、#3；另一塊厚度為5 mm，記為#4。所有樣品在輻照前先用無水乙醇清潔表面，再放入高真空（約10-4Pa）儲(chǔ)藏室在80 ℃下進(jìn)行24 h烘烤處理。

為模擬外輻射帶的高能電子環(huán)境，對(duì)#1樣品以約 10 pA/cm2的電子通量進(jìn)行了 1300 min的輻照，整個(gè)輻照期間通過溫控手段使樣品溫度維持在(-25±1) ℃。其間共記錄到樣品的自發(fā)ESD事件45次。由于電位測(cè)量時(shí)放射源收回和電位探頭移動(dòng)需耗時(shí)約2 min，且探頭靠近樣品時(shí)可能觸發(fā)放電，為了不間斷地記錄樣品在持續(xù)輻照條件下的自發(fā)放電數(shù)據(jù)，實(shí)驗(yàn)采取盡量減少中斷輻照的策略，在首次放電發(fā)生后只對(duì)表面電位進(jìn)行不定時(shí)的抽樣測(cè)量。圖2所示為抽樣測(cè)量的樣品表面電位變化以及ESD事件的電流脈沖幅度。樣品首次放電時(shí)，表面電位接近-16 kV；經(jīng)過前5次放電，表面電位顯著降低。盡管電位測(cè)量點(diǎn)不夠密集，但通過部分ESD事件發(fā)生前的臨近時(shí)間點(diǎn)的電位數(shù)據(jù)，并結(jié)合首次放電前的初次充電曲線，可大概估算ESD發(fā)生時(shí)刻的電位值。例如，ESD1發(fā)生前15 min，表面電位為-15.8 kV，此時(shí)充電已趨于平衡，放電時(shí)刻電位約為-16 kV；ESD7發(fā)生前8 min，表面電位為-8.1 kV，放電時(shí)刻電位約為-10.2 kV；ESD32發(fā)生前14 min，表面電位為-6 kV，放電時(shí)刻電位約為-9.7 kV，可大致看出，介質(zhì)發(fā)生放電的閾值電壓整體上呈降低并逐漸趨于穩(wěn)定的趨勢(shì)。

#2樣品被輻照期間溫度保持不變（(-25± 1) ℃），通過調(diào)整放射源與樣品的間距來控制電子通量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖3所示，前43 h以約2 pA/cm2的電子通量進(jìn)行輻照，此期間未記錄到ESD事件；此后通量升高至約10 pA/cm2，升高后的第15 min就開始有放電產(chǎn)生，24 h內(nèi)共記錄到16次ESD事件；隨后又將通量降低至約2 pA/cm2，24 h期間未發(fā)生ESD事件；最后通量再次升高至約5 pA/cm2，24 h內(nèi)發(fā)生了6次ESD事件。

#3樣品輻照實(shí)驗(yàn)的電子通量始終保持為約10 pA/cm2，通過溫控樣品臺(tái)改變樣品的溫度來研究溫度對(duì)放電的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖4所示，樣品初始溫度為室溫（約25 ℃），輻照約27 h后開始升溫，逐漸升至約64 ℃并保持17 h，此后再次降溫至15 ℃左右。樣品溫度保持為室溫期間，共記錄到ESD事件22次；升溫后的17 h期間，未記錄到ESD事件；最后降溫至15 ℃左右后，320 min內(nèi)發(fā)生ESD事件21次。

#4樣品厚度為5 mm，其輻照實(shí)驗(yàn)條件見表1，初始電子通量為約10 pA/cm2，樣品溫度由-20 ℃逐步升至47 ℃，再降至4 ℃左右，最后將電子通量降低至約2 pA/cm2。每個(gè)不同條件的輻照階段羅氏線圈均記錄到了樣品的自發(fā)ESD事件，各階段放電的平均幅度和平均放電間隔見表1，放電脈沖隨時(shí)間的分布如圖5所示。

表1 #4樣品不同輻照期間的實(shí)驗(yàn)條件Table 1 Experiment conditions of #4 sample in different irradiation period

3 分析與討論

3.1 高能電子持續(xù)輻照對(duì)聚合物介質(zhì)深層放電的影響

在#1樣品首次輻照停止后，將其電荷徹底泄放，以相同的實(shí)驗(yàn)條件（約10 pA/cm2，-25 ℃）進(jìn)行了第2次輻照，輻照期間共記錄到ESD事件82次。對(duì)ESD事件按發(fā)生的時(shí)間順序進(jìn)行編號(hào)，圖6所示為上述2次輻照期間所有ESD事件的時(shí)間間隔分布，可以看出：輻照前期平均放電間隔較長(zhǎng)，時(shí)間離散度較大，隨機(jī)性很強(qiáng)；在經(jīng)歷若干次放電后，聚四氟乙烯自發(fā)放電的閾值條件降低，ESD更加頻繁且逐漸趨于穩(wěn)定，平均十幾分鐘就會(huì)發(fā)生1次。這種現(xiàn)象與CRRES衛(wèi)星取得的在軌放電探測(cè)數(shù)據(jù)所表現(xiàn)出的介質(zhì)放電規(guī)律比較一致[7]。導(dǎo)致這種趨勢(shì)的可能原因?yàn)?，前期ESD在材料內(nèi)部形成的微放電通道使得后期放電能在更低的閾值下發(fā)生，放電更加頻繁，但在輻照強(qiáng)度及溫度不變時(shí)放電強(qiáng)度更小。

聚合物的深層放電與強(qiáng)電場(chǎng)下的局部放電有關(guān)[12]。電子在介質(zhì)內(nèi)沉積電荷并建立電場(chǎng)，介質(zhì)內(nèi)的氣泡、雜質(zhì)等缺陷使局部電場(chǎng)增強(qiáng)，超過一定程度就會(huì)導(dǎo)致局部放電現(xiàn)象，進(jìn)而引發(fā)聚合物的電樹枝化。前期放電造成的材料劣化區(qū)域使介質(zhì)內(nèi)更容易形成畸變的強(qiáng)局域電場(chǎng)，因此，電子輻照誘發(fā)一定數(shù)量的放電后，介質(zhì)自發(fā)放電變得更加容易，放電隨機(jī)性減弱，表現(xiàn)出更強(qiáng)的規(guī)律性。需說明的是，本實(shí)驗(yàn)的持續(xù)輻照時(shí)間最長(zhǎng)僅為幾天，對(duì)于長(zhǎng)期服役的航天聚合物材料，在長(zhǎng)達(dá)幾個(gè)月甚至幾年的時(shí)間跨度內(nèi)其放電規(guī)律可能較為復(fù)雜。

空間高能電子環(huán)境對(duì)聚合物深層充放電的長(zhǎng)期影響來自于多方面。輻射引起的聚合物降解、材料老化和出氣等都會(huì)使材料的電導(dǎo)率、介電強(qiáng)度等性能發(fā)生變化[13-14]。諸多因素的綜合影響使準(zhǔn)確評(píng)估介質(zhì)材料深層充放電的長(zhǎng)期風(fēng)險(xiǎn)變得復(fù)雜和困難。因此，根據(jù)航天器的實(shí)際軌道環(huán)境及服役時(shí)間，對(duì)其所采用的具體介質(zhì)材料進(jìn)行針對(duì)性的地面模擬實(shí)驗(yàn)和分析顯得很有必要。

3.2 輻照電子通量對(duì)聚合物介質(zhì)深層放電的影響

輻照電子通量反映了空間電子環(huán)境的惡劣程度。電子通量不僅關(guān)系著介質(zhì)的放電風(fēng)險(xiǎn)，而且對(duì)放電的電流脈沖幅度和放電頻率產(chǎn)生影響。在介質(zhì)的充電階段，充電電位和內(nèi)建電場(chǎng)取決于入射電子通量和介質(zhì)電導(dǎo)率。入射電子通量越高，電荷沉積速率越快，介質(zhì)內(nèi)部越容易積累更多的空間電荷而產(chǎn)生更強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，達(dá)到擊穿電場(chǎng)閾值并引發(fā)介質(zhì)放電的可能性也就越大。而放電一旦發(fā)生，更高的電子通量使釋放的電荷能更快地得到補(bǔ)充，再次引發(fā)放電的時(shí)間間隔也會(huì)更短。

圖7所示為#2樣品以及#4樣品（輻照區(qū)間V和VI）各自在溫度不變而輻照強(qiáng)度改變時(shí)的ESD電流脈沖平均幅度和平均時(shí)間間隔。由于ESD事件的隨機(jī)性，ESD電流脈沖幅度和時(shí)間間隔的離散度均較大，但通過統(tǒng)計(jì)平均分析仍可發(fā)現(xiàn)，在足以引發(fā)介質(zhì)深層放電的閾值通量以上，輻照電子通量增大時(shí)，ESD電流脈沖的平均幅度增大，平均放電頻率也隨之升高。高電子通量下，介質(zhì)內(nèi)部電荷沉積以及電場(chǎng)增強(qiáng)更快，因而相鄰兩次放電的平均時(shí)間間隔縮短。而電子通量對(duì)放電電流幅度的影響與放電事件發(fā)生的隨機(jī)性有關(guān)。介質(zhì)的放電臨界條件并不固定，在達(dá)到某一閾值電場(chǎng)之前或之后都可能引起放電。電子通量越高時(shí)，放電臨界條件的不確定性使介質(zhì)內(nèi)部可能形成更強(qiáng)的電場(chǎng)，最終導(dǎo)致高強(qiáng)度放電事件的發(fā)生概率就越大，且放電電流幅度的變化范圍（離散性）也越大。

3.3 溫度對(duì)聚合物介質(zhì)深層放電的影響

聚合物介質(zhì)深層充放電特性受溫度的影響主要來自于介質(zhì)電導(dǎo)率隨溫度的變化，電導(dǎo)率是影響介質(zhì)內(nèi)電荷泄放和電場(chǎng)演化的關(guān)鍵內(nèi)在因素。根據(jù)Arrhenius模型[15]，不同溫度下的介質(zhì)本征電導(dǎo)率近似滿足以下關(guān)系：

式中：T為溫度；σT為溫度等于T時(shí)的介質(zhì)電導(dǎo)率；EA為激活能；k為玻耳茲曼常數(shù)；常數(shù)C由室溫下的介質(zhì)電導(dǎo)率確定。通常情況下，介質(zhì)材料本征電導(dǎo)率與溫度呈正相關(guān)，溫度降低，本征電導(dǎo)率變小，深層充電導(dǎo)致的介質(zhì)內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)，發(fā)生放電的風(fēng)險(xiǎn)隨之升高。

圖8所示為#3樣品以及#4樣品（輻照區(qū)間I～I(xiàn)V）在輻照電子通量不變時(shí)ESD電流脈沖平均幅度隨溫度的變化?？梢姡瑴囟容^低時(shí)，介質(zhì)深層放電的電流脈沖平均幅度較大，每次放電的強(qiáng)度離散性較大；溫度升高后，介質(zhì)更趨向于發(fā)生放電強(qiáng)度變化不大的小放電現(xiàn)象；當(dāng)溫度上升至一定程度后，電導(dǎo)率將增加到足以遏制放電的發(fā)生。介質(zhì)深層放電強(qiáng)度與溫度呈現(xiàn)的反相關(guān)性，同樣與放電現(xiàn)象的偶發(fā)性以及高電場(chǎng)下發(fā)生大幅度放電的概率更大有關(guān)。溫度的變化使電導(dǎo)率降低時(shí)，介質(zhì)內(nèi)形成高電場(chǎng)并導(dǎo)致高強(qiáng)度放電的可能性更大。此外，聚合物材料介電強(qiáng)度隨溫度的變化也是可能影響其深層放電特性的因素。

4 結(jié)束語

本文利用90Sr放射源對(duì)聚四氟乙烯平板介質(zhì)樣品進(jìn)行了不同實(shí)驗(yàn)條件的持續(xù)電子輻照。通過對(duì)實(shí)驗(yàn)中采集的大量放電數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析發(fā)現(xiàn)，電子輻照累積時(shí)間、入射電子通量以及溫度都對(duì)介質(zhì)的放電風(fēng)險(xiǎn)以及放電脈沖的幅度和頻率產(chǎn)生影響。高能電子對(duì)聚四氟乙烯材料持續(xù)幾天的累積輻照會(huì)降低其放電的閾值條件：隨著輻照時(shí)間的延長(zhǎng)，介質(zhì)放電變得更加頻繁，而放電強(qiáng)度逐漸減弱。輻照電子通量的大小是影響介質(zhì)深層充放電風(fēng)險(xiǎn)最直接的外因：電子通量越低，放電風(fēng)險(xiǎn)越小；通量越高，發(fā)生高強(qiáng)度放電事件的概率越大，放電頻率也更高。溫度主要通過影響介質(zhì)的電導(dǎo)率而影響其深層放電特性：溫度降低使介質(zhì)本征電導(dǎo)率減小，充電電位和放電風(fēng)險(xiǎn)升高，放電電流的平均幅度也會(huì)隨之增大。

在空間實(shí)際環(huán)境中，更長(zhǎng)時(shí)間的高能電子輻射是否會(huì)導(dǎo)致放電強(qiáng)度持續(xù)減弱，放電是否會(huì)終止，亦或是在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)期內(nèi)放電頻率和強(qiáng)度會(huì)保持某種穩(wěn)定狀態(tài)，這些有待進(jìn)一步試驗(yàn)。此外，不同環(huán)境因素往往同時(shí)對(duì)介質(zhì)深層充放電產(chǎn)生相同或相反方向的協(xié)同效應(yīng)，不同特性的材料在同樣的環(huán)境中放電特性也可能會(huì)有較大差異，除自發(fā)放電外還可能存在外界誘發(fā)介質(zhì)放電的因素，例如，材料的真空出氣效應(yīng)、空間微小碎片撞擊造成的氣體拋射等均可能誘發(fā)放電，這些都是空間靜電放電現(xiàn)象的復(fù)雜之處。從工程實(shí)際需求出發(fā)，通過進(jìn)一步開展航天介質(zhì)材料深層放電實(shí)驗(yàn)研究，揭示深層放電的特征規(guī)律，對(duì)研究放電脈沖與航天器電子系統(tǒng)的耦合和作用規(guī)律進(jìn)而發(fā)展針對(duì)性更強(qiáng)的防護(hù)措施具有重要意義，也將是未來需進(jìn)行的工作。

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（編輯：張艷艷）

Experimental study of deep dielectric discharging of polymer under energetic electron irradiation

ZHENG Hansheng1,2, HAN Jianwei1,2, ZHANG Zhenlong1,2
(1. National Space Science Center, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)

To acquire spontaneous discharging data of the polymers in spacecraft under energetic electrons with continuous spectrum and investigate the discharging characteristics of the polymers,90Sr β source is utilized to irradiate Polytetrafluoroethylene(PTFE) samples and the spontaneous discharging pulse data are recorded. By statistic analysis of the data, it is shown that the irradiation duration, the electron flux and the temperature all can affect the discharging risk and pulse characteristics. Continuous irradiation under energetic electrons may reduce the discharging threshold of the PTFE. After several days of irradiation, the discharging tends to be more frequent with a lower intensity. When the electron flux gets higher, the discharging interval gets shorter and“big” discharging events are more likely to happen. When the temperature goes down, the dielectrics become less conductive with higher charging potential and greater discharging risk. Once the discharging happens, the average magnitude of pulses gets larger than that under a higher temperature condition.

energetic electron; PTFE; deep dielectric charging; ESD pulse; electron flux; temperature effect; experimental study

V520.6; V416.5

：A

：1673-1379(2017)03-0295-06

10.3969/j.issn.1673-1379.2017.03.012

鄭漢生（1989—），男，博士研究生，研究方向?yàn)榭臻g環(huán)境效應(yīng)；E-mail: zhenghansheng12@mails.ucas.ac.cn。指導(dǎo)教師：韓建偉（1970—），男，博士學(xué)位，研究員，主要從事空間環(huán)境效應(yīng)研究；E-mail: hanjw@nssc.ac.cn。

2017-02-14；

2017-05-14

國(guó)家國(guó)防基礎(chǔ)科研計(jì)劃項(xiàng)目（編號(hào)：B1320133032）

鄭漢生, 韓建偉, 張振龍. 高能電子輻照下聚合物介質(zhì)深層放電實(shí)驗(yàn)研究[J]. 航天器環(huán)境工程, 2017, 34(3)：295-300

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