通過手機(jī)的快速充電技術(shù)，許多手機(jī)可以閃電般地快速充電。在最新第四版本的手機(jī)快速充電技術(shù)中，充電5分鐘即可供手機(jī)使用5小時(shí)。

芯片制造商高通（Qualcomm）曾經(jīng)做過一項(xiàng)用戶對于未來智能手機(jī)需求的調(diào)查，調(diào)查結(jié)果顯示，無論是當(dāng)前大熱的語音控制，還是正炒作得熱火朝天的虛擬現(xiàn)實(shí)，都不包括在用戶對于未來智能手機(jī)需求的前10位當(dāng)中。相反，前10名中反復(fù)出現(xiàn)3次的需求皆與電池有關(guān)，它們分別是：位列第一名的“提高電池壽命”、第三名的“增加電池容量”和第四名的“加快充電時(shí)間”。

對于高通來說這是好事，該公司已經(jīng)花了好幾年的時(shí)間研發(fā)快速充電技術(shù)。Quick Charge 4（簡稱QC4）版本將首先應(yīng)用于超級(jí)系統(tǒng)芯片（System on Chip，簡稱SoC）Snapdragon 835上，該芯片將安裝在最新的高端智能手機(jī)上，例如三星的Galaxy S8。通過該技術(shù)，智能手機(jī)能以極快的速度進(jìn)行充電：只需連接電源插座5分鐘，智能手機(jī)即可使用5小時(shí)。常見的智能手機(jī)電池約在15分鐘左右就可以充一半的電（2750mAh）。與通過標(biāo)準(zhǔn)的USB接口充電的方法相比，QC4充電速度可以加快85%。不過，要實(shí)現(xiàn)快速充電，智能手機(jī)必須通過特殊的電源適配器進(jìn)行充電，需要USB充電電纜和一個(gè)適當(dāng)?shù)碾妷赫{(diào)節(jié)器以及一個(gè)安裝在芯片上控制電源適配器的電源管理單元。

手機(jī)與充電器協(xié)商

實(shí)現(xiàn)快速充電的關(guān)鍵在于充電設(shè)備能夠和智能手機(jī)協(xié)商采用的電壓，標(biāo)準(zhǔn)的USB接口只提供5V的電壓，但快速充電技術(shù)能夠重新進(jìn)行協(xié)商，在電源適配器可以支持的情況下重新調(diào)整電壓，在QC4版本中電壓可以高達(dá)20V，實(shí)現(xiàn)超快的充電速度。實(shí)際上，這是快速充電過程中主要的變化，在這種情況下將需要USB電纜全力傳輸電力而無法實(shí)現(xiàn)在快速充電的同時(shí)并行快速傳輸數(shù)據(jù)。

2013年，第一個(gè)QC版本仍然采用5V的電壓，但是電流是2A的，因而功率可以達(dá)到10W。相比之下，標(biāo)準(zhǔn)的USB充電方式在電壓為5V的情況下，電流只有500mA（USB 2.0）～900mA，也就是最大功率不超過4.5W。除此之外，高通還在第一個(gè)QC版本中引入了兩種新的充電技術(shù)：自動(dòng)電源檢測（Automatic Power Source Detection，簡稱APSD），它可以識(shí)別智能手機(jī)是連接到QC兼容的電源適配器，還是連接到電腦的USB端口;自動(dòng)輸入電流限制（Automatic Input Current Limit，簡稱AICL），它可以限制電流，確保高功率的電源適配器不會(huì)使電池過載。因此，QC電源適配器也可以用于不支持QC的普通智能手機(jī)充電，因?yàn)樗部梢允褂?V和500mA～1.8A的電流為智能手機(jī)充電。

2015年的QC 2版本，高通將可以使用的最大電壓提高到12V，同時(shí)可以使用5V和9V的電壓。為此，硬件上需要第二個(gè)電壓調(diào)節(jié)器，高通公司特意推出了高壓專用充電端口（High Voltage Dedicated Charging Port，簡稱HVDCP），以提供智能手機(jī)所需的電壓。到了2016年，QC3開始廢除固定的充電電壓，可以使用的電壓將在2.6V～20V之間，以200mV的步階浮動(dòng)。由于使用高達(dá)3A的電流，所以設(shè)備充電功率可以達(dá)到10W～60W。

HVDCP+使用USB數(shù)據(jù)電纜來協(xié)商和調(diào)整合適的電壓，最佳電壓由來自智能手機(jī)的電源管理單元的算法來確定，高通稱其為智能協(xié)商最佳電壓（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，簡稱INOV）。其原理是，在電池沒有電的情況下提供強(qiáng)大的電力，而在達(dá)到一定的容量之后適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)整，因?yàn)椴⒉皇浅潆姽β蚀缶褪呛玫?，我們需要避免電池被過度充電。

在最新的QC4中，高通再次改進(jìn)了INOV：智能手機(jī)可以以20mV的步階動(dòng)態(tài)調(diào)整電壓，雖然快速充電技術(shù)并不是三星Galaxy Note 7災(zāi)難的罪魁禍?zhǔn)?，但是Galaxy Note 7的電池問題使人們更加注重快速充電技術(shù)的安全性問題。為此，QC4實(shí)時(shí)監(jiān)測電池溫度、施加的電壓和電流強(qiáng)度，并且QC4定義了4個(gè)級(jí)別的溫度控制，確保電池和充電單元都不會(huì)過熱。除此之外，QC4還在充電過程中檢測電纜的質(zhì)量。

與USB合作

高通的QC4將支持USB電力傳輸（Power Delivery，簡稱PD）標(biāo)準(zhǔn)，這是一個(gè)USB聯(lián)盟制定的標(biāo)準(zhǔn)，Google已經(jīng)聲明Android 7智能手機(jī)將支持USB-PD標(biāo)準(zhǔn)，為此，高通非常務(wù)實(shí)地支持該標(biāo)準(zhǔn)，使用USB-PD for QC4作為通信協(xié)議來與電源適配器協(xié)商充電的性能，確保不會(huì)阻塞USB線的數(shù)據(jù)傳輸。不過，這并不代表有了PD我們就不再需要高通的快速充電技術(shù)，根據(jù)高通公司的說法：只有通過QC技術(shù)才可以在充電過程中實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度和優(yōu)化性能。