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        MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)

        2017-05-30 10:45:36石進(jìn)遠(yuǎn)代月明藺寧寧張成
        科技風(fēng) 2017年10期

        石進(jìn)遠(yuǎn) 代月明 藺寧寧 張成

        摘要: 介紹一種由場(chǎng)效應(yīng)管組成的H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,調(diào)速性能優(yōu)良,制動(dòng)能力強(qiáng)。闡述MOSFET集成驅(qū)動(dòng)芯片IR4227的工作原理,說(shuō)明STC12C5A60S2 2單片機(jī)產(chǎn)生PWM信號(hào)的軟件設(shè)計(jì)方法。

        關(guān)鍵詞:場(chǎng)效應(yīng)管;PWM;電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng);

        本文介紹一種采用MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片[1]和MOSFET組成的用于PWM調(diào)速的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路[2]。該電路H全橋電路驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快、導(dǎo)通電阻小。

        1 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

        現(xiàn)在設(shè)Q1和Q4管導(dǎo)通,電機(jī)運(yùn)行,如圖1所示。

        一般MOSFET的RDS在毫歐級(jí)別,所以MOSFET的壓降VDS近似忽略。

        這樣,out1點(diǎn)的電位就近似為電源電壓(電源電壓使用12V),out2點(diǎn)的電位就近似為0V。如果要導(dǎo)通Q4,Q4的柵極電壓要大于3V,單片機(jī)的I/O輸出可以達(dá)到5V,所以是可以順利導(dǎo)通Q4的。接下來(lái),導(dǎo)通Q1必須至少在Q1的柵極施加15V的電壓,依靠單片機(jī)的I/O口輸出是辦不到的。所以,考慮到這個(gè)原因,設(shè)計(jì)出兩種H橋驅(qū)動(dòng)電路[3]。

        一種是全N管的H橋電路,加MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,驅(qū)動(dòng)芯片由升壓芯片將電壓提升到足夠超過(guò)N管的VGS閥值電壓來(lái)供電使其工作。另一種是P管加N管的驅(qū)動(dòng)橋,P管和N管組合搭建的H橋驅(qū)動(dòng)電路給在使用時(shí)解決驅(qū)動(dòng)電壓的問(wèn)題提供有效的方式。P型MOSFET只要柵極電壓小于源極電壓(VGS為負(fù)值),并且它的值小于某一負(fù)的電壓值,MOSFET的S極和D極就會(huì)導(dǎo)通,電流從S極流向D極。一般P型MOSFET的VGS閥值電壓都會(huì)在3V~20V之間。如圖2所示。

        假設(shè)Q1和Q4導(dǎo)通,電機(jī)運(yùn)行。想要導(dǎo)通Q4(Q4是N型管),只需要給一個(gè)高電平信號(hào)就可以。想要導(dǎo)通Q1(Q1是P型管),只需要給一個(gè)低電平信號(hào)。

        經(jīng)過(guò)對(duì)兩種驅(qū)動(dòng)電路的比較后,為減少電路的復(fù)雜程度,使電路更為精簡(jiǎn),最終選擇使用P型和N型MOSFET搭建的驅(qū)動(dòng)電路。

        在使用IR44427的同時(shí),的控制信號(hào)有兩個(gè)管腳,控制兩路信號(hào)。它的輸入信號(hào)與輸出信號(hào)之間的關(guān)系如圖3所示:

        用一片IR4427及兩個(gè)P型和兩個(gè)N型MOSFET作為分立元件,來(lái)組成全橋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。同時(shí),因?yàn)闃蚴津?qū)動(dòng)電路的工作電流較大,為保證主控制器的穩(wěn)定工作,避免驅(qū)動(dòng)電路對(duì)主控制器產(chǎn)生干擾,再加上光耦隔離芯片。

        本方案中選擇的是HCPL2630雙通道邏輯輸出光電耦合器,其輸入信號(hào)最大可達(dá)到1Mhz,完全滿足本系統(tǒng)電機(jī)控制的10Khz的需求。其應(yīng)用電路如圖310所示。理論上,輸入脈沖信號(hào)的占空比在0%之時(shí)電機(jī)速度為零,脈沖信號(hào)范圍在0~100%之間,對(duì)應(yīng)控制電機(jī)從靜止到滿轉(zhuǎn)。PWM1_1給PWM,PWM1_2給0,電機(jī)正轉(zhuǎn)。同理PWM1_2給PWM,PWM1_1給0,電機(jī)反轉(zhuǎn)。

        2 結(jié)語(yǔ)

        電路設(shè)計(jì)時(shí),采取合理的措施把強(qiáng)電和弱電隔離開來(lái),MOSFET的強(qiáng)電干擾可以抑制。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的調(diào)速線性性能好,調(diào)速頻帶寬度打,可以在1~100K范圍內(nèi)工作。所要求的控制信號(hào)簡(jiǎn)單,很多邏輯都在驅(qū)動(dòng)器上用硬件設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器的保護(hù)電路性能良好,安全性高,無(wú)控制信號(hào)時(shí),電機(jī)處于剎車狀態(tài),可用于很多領(lǐng)域。

        參考文獻(xiàn):

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