武佳佳，馬萬坤，焦 芬，覃文慶

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Cu、Ni摻雜FeS2電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算

武佳佳，馬萬坤，焦 芬，覃文慶

(中南大學(xué)資源加工與生物工程學(xué)院，長沙 410083)

采用基于密度泛函理論框架下的第一性原理平面波超軟贗勢法，研究Cu、Ni單摻雜與共摻雜體系中FeS2的晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明：摻雜后黃鐵礦發(fā)生晶格畸變，晶格常數(shù)變大，摻雜在FeS2禁帶中引入雜質(zhì)能級(jí)，使禁帶變窄，費(fèi)米能級(jí)上移進(jìn)入導(dǎo)帶，摻雜黃鐵礦的態(tài)密度穿過費(fèi)米能級(jí)，形成簡并半導(dǎo)體，體系的導(dǎo)電率增強(qiáng)。光學(xué)性質(zhì)計(jì)算表明：摻雜后介電函數(shù)虛部主峰、吸收系數(shù)和光電導(dǎo)率均出現(xiàn)紅移、峰值減小。共摻雜后的光躍遷強(qiáng)度明顯增強(qiáng)，可見光區(qū)范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)和光電導(dǎo)率均增大，說明Cu-Ni共摻雜顯著增強(qiáng)FeS2對(duì)光的吸收以及光電轉(zhuǎn)換效率。

Cu-Ni摻雜；FeS2；光學(xué)性質(zhì)；第一性原理計(jì)算

隨著能源需求的激增和環(huán)境污染的加劇，長期以來，太陽能電池備受關(guān)注并發(fā)展迅速。但是發(fā)展至今，其年產(chǎn)量與世界能源需求量相比還相差甚遠(yuǎn)，制約其發(fā)展的關(guān)鍵問題是高昂的制造成本[1?3]。金屬硫化物因其半導(dǎo)體屬性在太陽能電池、熱電材料以及存儲(chǔ)裝置等領(lǐng)域顯示出了廣闊的應(yīng)用前景，因而得到了廣泛 關(guān)注。

黃鐵礦(FeS2)是地殼中最常見的硫化礦，組成元素?zé)o毒且地球儲(chǔ)量豐富。立方晶系黃鐵礦具有優(yōu)異的半導(dǎo)體特性[4?5]，并且其環(huán)境相容性好，制備成本低廉，是一種較有研究價(jià)值的新型太陽能電池材料[6?10]。已有研究[11]表明：采用人工合成方法制備出FeS2薄膜，盡管其易于氧化降解，但仍表現(xiàn)出良好的光電性能。

摻雜是調(diào)制材料的電子結(jié)構(gòu)并改變其光電性能的常用手段，對(duì)光電材料摻雜改性的理論研究具有重大意義[12]。對(duì)于黃鐵礦來說，天然黃鐵礦物中存在不同類型的雜質(zhì)和含量，李玉瓊等[13?16]的研究結(jié)果表明，鈷、鎳、砷的摻雜均使得黃鐵礦的吸收帶邊發(fā)生明顯的紅移。FERRER等[17]制備了摻Cu黃鐵礦薄膜，發(fā)現(xiàn)摻雜后電阻率和摻雜體系的光吸收邊均顯著增大。LEHNER等[18]使用化學(xué)氣相沉積制備了Ni摻雜的黃鐵礦薄膜，證明Ni的摻入在光電導(dǎo)性測量中會(huì)顯著影響其光電導(dǎo)的敏感性。龍飛等[19]研究Ni摻雜FeS2的可見光催化活性，發(fā)現(xiàn)Ni摻雜有利于提高Fe1?yNiS2的可見光催化活性，當(dāng)Ni的摻入量為0.125時(shí)，其光催化活性最好。盡管對(duì)黃鐵礦光電性能、Ni摻雜[20]的研究已有報(bào)道，但用第一性原理研究Cu、Ni共摻雜對(duì)黃鐵礦電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的影響尚未見報(bào)道。

本文作者以FeS2超晶胞作為基體，以Cu、Ni為摻雜原子，采用基于密度泛函理論的第一性原理平面波超軟贗勢法，對(duì)不同濃度Cu、Ni摻雜FeS2前后的能帶、電子態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了對(duì)比和研究，初步揭示了通過Cu、Ni單摻雜及共摻雜改變FeS2光電性質(zhì)的內(nèi)在原因，為開發(fā)FeS2基光伏材料的實(shí)驗(yàn)工作提供了理論參考。

1 理論模型和計(jì)算方法

半導(dǎo)體化合物FeS2屬于等軸晶系，其空間群為，每個(gè)晶胞含有4個(gè)FeS2分子單元，F(xiàn)e原子分布在晶胞的6個(gè)面心和8個(gè)頂角上，每個(gè)Fe原子與6個(gè)相鄰的硫原子配位，形成空間八面體構(gòu)造，而每個(gè)S原子與3個(gè)Fe原子和1個(gè)S原子配位，形成四面體構(gòu)造，實(shí)驗(yàn)測得其晶格常數(shù)為===0.5379 nm，===90°。計(jì)算采用(2×2×2)的FeS2超晶胞，晶胞中包含32個(gè)FeS2分子單元共96個(gè)原子。摻雜時(shí)分別用Cu和Ni原子取代Fe原子建立Fe29Cu3S64和Fe29Ni3S64超晶胞，用Cu和Ni同時(shí)取代Fe建立Fe26Cu3Ni3S64超晶胞。摻雜后形成Fe1?xCuS2、Fe1?yNiS2和Fe1?x?yCuNiS2(、分別代表Cu和Ni在FeS2超晶胞中的原子含量)，其中==0.094。圖1所示為FeS2單胞及Cu、Ni取代Fe原子的(2×2×2) FeS2超晶胞模型。

本計(jì)算中采用基于密度泛函理論(DFT)框架下的第一性原理贗勢平面波法，主要的計(jì)算工作由CASTEP軟件包[21]完成。計(jì)算中采用超軟贗勢(USPP)[22]來處理離子實(shí)與電子之間的相互作用，交換關(guān)聯(lián)泛函采用廣義梯度近似GGA下的PW91梯度修正近似。平面波截?cái)嗄軠y試表明，截?cái)嗄苋?50 eV較為合理。采用BFGS算法對(duì)體系進(jìn)行幾何優(yōu)化，得到穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，優(yōu)化的收斂標(biāo)準(zhǔn)為：原子位移的收斂閾值為0.02 pm，原子間作用力的收斂閾值為0.8 eV/nm，原子間的內(nèi)應(yīng)力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.1 GPa，最大能量改變的收斂標(biāo)準(zhǔn)為2.0×10?5eV/atom，自洽計(jì)算收斂精度設(shè)置為每個(gè)原子1×10?3eV。為保證晶胞體系能量和構(gòu)型在準(zhǔn)完備平面波基水平上的收斂，布里淵區(qū)的積分計(jì)算采用4×4×2的Monkhorst Pack[23]特殊點(diǎn)。參與計(jì)算的價(jià)態(tài)電子為Fe 3d64s2、S 3s23p4、Cu 3d104s2和Ni 3d84s2。

2 結(jié)果與討論

2.1 幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化結(jié)果

Cu、Ni摻雜FeS2前后的超晶胞模型經(jīng)幾何優(yōu)化后，所得晶格常數(shù)及總能量見表1。從表1可以看出，計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)和其他計(jì)算結(jié)果符合得很好，平衡晶格常數(shù)比實(shí)驗(yàn)值小0.68%。實(shí)驗(yàn)誤差在1%左右，說明計(jì)算方法是非常可靠的，可以進(jìn)行其他性質(zhì)的計(jì)算。另外，摻雜后的晶胞體積相比原FeS2晶體稍有增大，原因是摻雜原子半徑大于Fe原子半徑一定程度上破壞了晶格周期性，造成晶格畸變，導(dǎo)致鍵長變長。晶胞優(yōu)化的結(jié)果與文獻(xiàn)[24]的結(jié)果一致。

圖1 FeS2單胞及Cu、Ni取代Fe原子的(2×2×2)FeS2超晶胞結(jié)構(gòu)

表1 幾何優(yōu)化后FeS2和Cu、Ni摻雜后FeS2的晶胞參數(shù)和總能

2.2 電子結(jié)構(gòu)

2.2.1 電子態(tài)密度

為了分析摻雜對(duì)FeS2電子結(jié)構(gòu)的影響，先對(duì)FeS2的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化并在此基礎(chǔ)上計(jì)算了摻雜Ni、Cu后FeS2的態(tài)密度圖和能帶結(jié)構(gòu)。圖2所示為摻雜前后FeS2的總態(tài)密度以及分態(tài)密度。從圖2(a)可以看出，本征態(tài)FeS2的價(jià)帶由3部分組成：?8.19~0 eV的上價(jià)帶主要由非成鍵Fe 3d態(tài)和少量S的3p態(tài)耦合而成；其次，?13.3~?10.1 eV和?17.5~?13.5 eV范圍內(nèi)的能帶幾乎全部由S 3s態(tài)貢獻(xiàn)，僅有少量的Fe 4s和S 3p態(tài)貢獻(xiàn)；費(fèi)米能級(jí)附近價(jià)帶區(qū)的態(tài)密度，主要由S的3p態(tài)和非成鍵Fe 3d態(tài)組成，且大部分由Fe 3d態(tài)貢獻(xiàn)。而對(duì)于導(dǎo)帶部分，其主要由S 3p和Fe的反鍵3d eg*態(tài)貢獻(xiàn)，S 3s態(tài)貢獻(xiàn)很小。從Fe和S的分態(tài)密度可以看出，S 3s態(tài)對(duì)深部價(jià)帶的貢獻(xiàn)較大，S 3p態(tài)則主要對(duì)淺部價(jià)帶產(chǎn)生貢獻(xiàn)。Fe 4s態(tài)對(duì)整個(gè)能帶范圍態(tài)密度的貢獻(xiàn)相對(duì)較少，而費(fèi)米能級(jí)附近的態(tài)密度主要來自Fe 3d的貢獻(xiàn)，這和FeS2的總態(tài)密度相符合。當(dāng)Cu取代Fe原子后(見圖2(b))，費(fèi)米能級(jí)附近出現(xiàn)了雜質(zhì)能級(jí)，這些雜質(zhì)能級(jí)是由Cu的3d態(tài)所形成。摻雜后導(dǎo)帶整體向左移動(dòng)，導(dǎo)帶寬度由4.15 eV減小到3.16 eV，其局域性增強(qiáng)；費(fèi)米能級(jí)與總態(tài)密度的截距明顯減小，費(fèi)米能級(jí)的這種對(duì)導(dǎo)帶的相對(duì)運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)了FeS2的金屬性質(zhì)。當(dāng)Ni摻雜后(見圖2(c))，由于Ni和Cu原子核外電子排布的相似性，兩者單獨(dú)摻雜對(duì)FeS2的電子態(tài)密度影響基本相同，但是Ni摻雜Fe的3d軌道態(tài)密度較Cu摻雜向深部價(jià)帶有一個(gè)較大的偏移，而價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底仍主要由Fe 3d態(tài)決定。圖2(d)所示為Cu-Ni共摻雜時(shí)的態(tài)密度圖，可以看到費(fèi)米能級(jí)附近依然存在雜質(zhì)能帶而強(qiáng)度有所不同。費(fèi)米能級(jí)附近的態(tài)密度主要還是由Fe 3d和S 3s貢獻(xiàn)，Ni和Cu的d軌道電子態(tài)密度對(duì)FeS2晶體的價(jià)帶與導(dǎo)帶的貢獻(xiàn)很小，并且只在?3.18 eV~?1.05 eV的淺部價(jià)帶處有一定作用。Cu-Ni共摻雜后FeS2電子態(tài)發(fā)生了簡并，費(fèi)米能級(jí)上移進(jìn)入導(dǎo)帶，價(jià)帶部分離域性增強(qiáng)。這表明Cu-Ni摻雜后FeS2體系呈現(xiàn)金屬性，Ni摻雜比Cu摻雜表現(xiàn)出更強(qiáng)的金屬性，共摻時(shí)金屬性最強(qiáng)。

2.2.2 能帶結(jié)構(gòu)

圖3所示為FeS2摻雜前后的能帶結(jié)構(gòu)。圖3中、、、、為FeS2晶體第一布里淵區(qū)高對(duì)稱點(diǎn)。為進(jìn)行對(duì)比，將理想FeS2的第一布里淵區(qū)沿對(duì)稱方向的點(diǎn)取樣設(shè)置為與摻雜后的體系一致。在計(jì)算中所考慮的禁帶寬度是從價(jià)帶最高點(diǎn)到導(dǎo)帶最低點(diǎn)之間的距離，從圖3(a)中本征態(tài)FeS2的能帶圖可以看出，價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底都位于點(diǎn)處，說明FeS2是直接帶隙半導(dǎo)體，帶隙為0.55 eV，小于實(shí)驗(yàn)值0.95 eV，這是局域密度泛函的結(jié)果。一般認(rèn)為與局域密度泛函理論中Kohn-Sham方程的本征值不能給出系統(tǒng)的激發(fā)態(tài)能量有較大關(guān)系，使位于導(dǎo)帶的電子態(tài)能量值比實(shí)驗(yàn)值偏小，從而帶隙偏小[25]，一般能帶值與理論值相差30%~50%。對(duì)于本研究中本征FeS2結(jié)構(gòu)而言，由于Fe 3d態(tài)的能量被過高估計(jì)，使得其與S 3p態(tài)之間的相互作用增強(qiáng)，價(jià)帶帶寬增大，因此帶隙偏低。但理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)之間帶隙的偏差并不影響對(duì)FeS2電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的理論分析。摻雜后，3種結(jié)構(gòu)的導(dǎo)帶部分圖譜比較相似，與未摻雜FeS2相比，導(dǎo)帶部分變化較為平緩，摻雜后FeS2的費(fèi)米能級(jí)F上移進(jìn)入導(dǎo)帶內(nèi)，這是由于雜質(zhì)元素的摻入使得導(dǎo)電載流子數(shù)目增多，導(dǎo)帶底附近的量子態(tài)已基本被電子所占據(jù)，發(fā)生載流子的簡并化，形成簡并半導(dǎo)體。從圖3(b)~(d)可以看出，Cu、Ni單獨(dú)摻雜和共摻雜后，F(xiàn)eS2的帶隙分別為0.44、0.61和0.35 eV，這表明Ni摻雜后FeS2的禁帶寬度增大而其他兩種摻雜禁帶寬度減小。對(duì)比圖4中各圖可以發(fā)現(xiàn)，摻雜后FeS2導(dǎo)帶帶寬均減小而且均發(fā)生了下移，禁帶寬度均變小，其中Cu-Ni共摻雜的變化最顯著，這也與態(tài)密度中分析的能帶變化的結(jié)果相一致。

圖2 FeS2和Cu、Ni摻雜后FeS2的態(tài)密度

圖3 FeS2和Cu、Ni摻雜后FeS2的能帶結(jié)構(gòu)圖

2.3 光學(xué)性質(zhì)計(jì)算結(jié)果與討論

為了研究Cu、Ni摻雜FeS2的光學(xué)躍遷特性，必須對(duì)其光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究。本研究中利用第一性原理對(duì)摻雜體系進(jìn)行了光譜計(jì)算和分析。在線性響應(yīng)范圍內(nèi)固體宏觀光學(xué)響應(yīng)函數(shù)通?？梢杂晒獾膹?fù)介電函數(shù)()=1()+i2()或折射率()=()+i()來描述，體系在較小波矢下對(duì)光場的線性響應(yīng)由介電函數(shù)的虛部2()決定，它可以通過占據(jù)態(tài)和未占據(jù)態(tài)的動(dòng)量躍遷矩陣元計(jì)算得到。根據(jù)Kramers-Kronig色散關(guān)系和電子躍遷概率的定義可推導(dǎo)出晶體的介電函數(shù)、吸收系數(shù)。介電函數(shù)實(shí)部1()和虛部2()的計(jì)算公式如下所示[26]：

(1)

(2)

2.3.1 復(fù)介電函數(shù)

介電常數(shù)的虛部2()對(duì)任何材料來說都是非常重要的，它作為溝通帶間躍遷微觀物理過程與固體電子結(jié)構(gòu)的橋梁，主要反映了電子在能級(jí)間的躍遷機(jī)理。圖4所示為FeS2摻雜前后的介電函數(shù)虛部與能量的關(guān)系。

圖4 Cu、Ni摻雜FeS2前后的介電函數(shù)虛部與能量的關(guān)系

本征態(tài)介電函數(shù)虛部譜在=2.57 eV附近出現(xiàn)波峰，其主要是由價(jià)帶頂?shù)腟 2p態(tài)和導(dǎo)帶底的Fe 3d態(tài)電子躍遷引起的。與本征態(tài)相比，摻雜后峰值強(qiáng)度都有所降低，共摻的峰值降幅較大，且峰譜向低能方向發(fā)生了明顯的紅移，在0.22 eV附近出現(xiàn)了新的介電峰，這主要是Cu、Ni摻入的雜質(zhì)能級(jí)與相應(yīng)的價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底之間的電子躍遷引起。Cu-Ni共摻雜之后，譜線主峰明顯紅移，在=0.3 eV處出現(xiàn)了一個(gè)明顯的小波峰，這說明相比本征態(tài)共摻雜后由于雜質(zhì)能級(jí)的作用，體系中導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的電子躍遷呈現(xiàn)臺(tái)階特性，并促使更多深部價(jià)帶的電子躍遷到導(dǎo)帶。在＜2 eV的可見光區(qū)，Cu-Ni共摻雜FeS2的光躍遷強(qiáng)度遠(yuǎn)大于未摻雜FeS2的，并且共摻雜的光躍遷強(qiáng)度明顯高于Cu、Ni單摻雜的光躍遷強(qiáng)度，說明Cu-Ni共摻雜能夠很好的改善FeS2電子在＜2eV的低能量范圍的光學(xué)躍遷特性。

2.3.2吸收系數(shù)

圖5 Cu、Ni摻雜FeS2前后的吸收系數(shù)與能量的關(guān)系

2.3.4 光電導(dǎo)率

光電導(dǎo)率是光電子材料的一個(gè)重要參數(shù)，它描述的是半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率隨著光照能量變化的物理參量。在它與介電函數(shù)的關(guān)系中其實(shí)部1和介電函數(shù)虛部2互相對(duì)應(yīng)，也能夠反應(yīng)光吸收和能隙的情況。

圖6所示為FeS2摻雜前后光電導(dǎo)率隨能量變化的關(guān)系。由圖6可知，F(xiàn)eS2的光電導(dǎo)率與介電函數(shù)的虛部是對(duì)應(yīng)的，1()總體呈先上升后下降的變化趨勢。本征態(tài)FeS2在＜10 eV的能量范圍，光電導(dǎo)率實(shí)部1有2個(gè)峰值點(diǎn)，各峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的能量分別為2.93和5.23 eV。進(jìn)行Cu、Ni摻雜后，這兩個(gè)峰值位置出現(xiàn)小幅紅移，并且Cu-Ni共摻雜體系中出現(xiàn)了位于0.63 eV處的峰值。在＜2 eV的可見光區(qū)范圍內(nèi)，摻雜體系的光電導(dǎo)率均大于本征態(tài)的光電導(dǎo)率，綜合來看，Cu、Ni共摻雜體系的光電導(dǎo)率明顯優(yōu)于單摻雜體系的光電導(dǎo)率，摻雜后材料表現(xiàn)出顯著的半導(dǎo)體特性，有利于成為電子或空穴的俘獲中心，減少電子和空穴的復(fù)合，提高量子產(chǎn)量，表現(xiàn)出明顯的協(xié)同效應(yīng)。

圖6 FeS2摻雜前后的光電導(dǎo)率與能量的關(guān)系

3 結(jié)論

1) 對(duì)Cu、Ni摻雜FeS2的幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化表明，單摻雜和共摻雜均使FeS2的晶格常數(shù)增大，摻雜FeS2發(fā)生晶格畸變，鍵長變長。

2) 本征態(tài)FeS2的電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化表明，其禁帶寬度為0.55 eV，費(fèi)米能級(jí)附近導(dǎo)帶區(qū)0~4 eV范圍內(nèi)的態(tài)密度主要由S 3p和Fe的反鍵3d eg*態(tài)貢獻(xiàn)，而S 3s態(tài)貢獻(xiàn)很小。Cu、Ni摻雜使FeS2的電子態(tài)發(fā)生了簡并，費(fèi)米能級(jí)上移進(jìn)入導(dǎo)帶，價(jià)帶部分離域性增強(qiáng)，并且在?3.18~?1.05 eV的淺部價(jià)帶產(chǎn)生了由Cu和Ni的3d態(tài)貢獻(xiàn)的雜質(zhì)能級(jí)。

3) 光學(xué)性質(zhì)計(jì)算結(jié)果表明：單元素?fù)诫s后，F(xiàn)eS2的介電函數(shù)虛部、光學(xué)吸收譜以及光電導(dǎo)率各主峰均出現(xiàn)小幅紅移，而共摻后介電函數(shù)譜較Cu、Ni單摻雜均出現(xiàn)顯著紅移，價(jià)帶頂和導(dǎo)帶之間的光躍遷強(qiáng)度明顯增強(qiáng)，可見光區(qū)范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)和光電導(dǎo)率均增大，共摻雜顯著增強(qiáng)FeS2對(duì)光的吸收以及光電轉(zhuǎn)換效率。

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(編輯 龍懷中)

First principle calculation of electronic structures and optical properties of copper and nickel doped FeS2

WU Jia-jia, MA Wan-kun, JIAO Fen, QIN Wen-qing

(School of Minerals Processing and Bioengineering, Central South University, Changsha 410083, China)

The crystal and electronic structures, optical properties of copper and nickel mono- and co-doped FeS2were studied by the ?rst-principles plane-wave ultrasoft pseudopotential method with the generalized gradient approximation. The results show that, the lattice deformation of FeS2occurs and the lattice parameters increase after doping. And the impurity energy level is introduced by Cu and Ni doping, which also leads to decrease of the band gap of FeS2. Fermi levels moves upward and into conduction band and density of states traverses the Fermi level, indicating that the doped FeS2is degenerate semiconductor which shows stronger metallic characteristic and electrical conductivity. In addition, the doping results in peaks redshift and amplitudes decrease of imaginary part of dielectric function, absorption coefficient and conductivity. Optical transition is significantly enhanced and so are absorption coefficient and conductivity within visible region in the co-doping system. The photoabsorption capacity and photoelectrical efficiency of FeS2are highly strengthened in Cu-Ni co-doping system.

Cu-Ni doping; FeS2; optical property; ?rst-principles calculation

Project (51274255) supported by the National Natural Science Foundation of China; Project (2016RS2016) supported by Provincial Science and Technology Leader Innovation Team of Interface Chemistry of Efficient and Clean Utilization of Complex Mineral Resources, Hunan Province, China; Project (2015CX005) supported by Innovation Driven Plan of Central South University, China; Project supported by the Co-Innovation Centre for Clean and Efficient Utilization of Strategic Metal Mineral Resources, China

2016-04-06; Accepted date: 2016-08-29

JIAO Fen, Tel: +86-731-88830884; E-mail: jfen0601@126.com

10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.03.019

1004-0609(2017)-03-0605-08

O474

A

國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51274255)；湖南省科技領(lǐng)軍人才(復(fù)雜礦產(chǎn)資源高效清潔利用的界面化學(xué)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì))(2016RS2016)；中南大學(xué)“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)計(jì)劃”資助項(xiàng)目(2015CX005)；中南大學(xué)戰(zhàn)略金屬礦產(chǎn)資源清潔高效利用協(xié)同創(chuàng)新中心資助項(xiàng)目

2016-04-06；

2016-08-29

焦 芬，副教授，博士；電話：0731-88830884；E-mail：jfen0601@126.com