中科院化學(xué)所新型GeSe無(wú)機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池研究獲進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所分子納米結(jié)構(gòu)與納米技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員在二元化合物硒化亞鍺（GeSe）薄膜太陽(yáng)能電池研究方面取得新進(jìn)展，成功獲得了高質(zhì)量純相GeSe多晶薄膜，為新型薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

GeSe原料儲(chǔ)量大、毒性低、禁帶寬度合適、吸光系數(shù)大、遷移率高，非常適用于制作薄膜太陽(yáng)能電池，理論光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)30%以上。針對(duì)制備GeSe過(guò)程中易存在Ge和GeSe2雜相的問(wèn)題，研究人員基于GeSe極易升華而雜相難以升華的特性，設(shè)計(jì)了具有自調(diào)節(jié)功能的快速升華（RTS）薄膜制備方法，獲得了高質(zhì)量純相GeSe多晶薄膜，并將其作為吸收層構(gòu)筑了頂襯結(jié)構(gòu)的GeSe薄膜太陽(yáng)能電池，取得了1.48%的光電轉(zhuǎn)換效率。所制備的GeSe薄膜電池器件在未封裝條件下，空氣中放置近兩個(gè)月性能基本無(wú)任何衰減，表現(xiàn)出了良好的器件穩(wěn)定性。此外，研究人員發(fā)現(xiàn)，GeSe（s）通過(guò)形成雙原子分子GeSe（g）升華，大大減少了互占位、間位等點(diǎn)缺陷，因此，采用RTS工藝可獲得缺陷良性的GeSe薄膜。

據(jù)悉，GeSe是極具潛力的太陽(yáng)能電池吸收層材料，RTS工藝的成功研發(fā)，有望使其成為新的光伏材料研究熱點(diǎn)之一。 (科 苑)