我國開發(fā)成功64Mb阻變存儲器晶圓

中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心聯(lián)合西安紫光國芯半導體有限公司，以及清華大學、北京大學、西安交通大學等單位的研究人員，在阻變存儲器（ReRAM）及其與標準CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝的集成研究中取得了新進展。

研究人員在完成前端工藝的晶圓上，依托微電子所的8英寸CMOS先導工藝研發(fā)平臺，完成了64Mb ReRAM和內(nèi)嵌ReRAM IP的SoC的阻變存儲后端集成工藝開發(fā)與驗證，開發(fā)的基于HfOx材料的ReRAM單元具有良好的一致性、持久力等性能，陣列制備工藝簡單，不僅可與CMOS工藝完全兼容，而且僅增加了2層掩膜版，可快速、低成本地與邏輯工藝集成。該集成方案結(jié)合了代工廠工藝穩(wěn)定和實驗室工藝靈活的優(yōu)點，不僅為ReRAM制備工藝轉(zhuǎn)向代工廠提供了前期技術(shù)儲備，也為新型存儲技術(shù)的開發(fā)提供了一個研究開發(fā)平臺。

64Mb ReRAM芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP的SoC在實現(xiàn)基于ReRAM存儲機理和單元特性的讀寫電路、芯片構(gòu)架、可測試性設計、冗余設計、糾錯設計和系統(tǒng)訪問管理等方面實現(xiàn)了創(chuàng)新。兩款芯片均已完成了應用演示等相關測試，其中，64Mb ReRAM芯片可實現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實時播放操作，功耗、速度和壽命等性能優(yōu)異。 (中 科)