中科院半導(dǎo)體所研制出GaN基紫外激光器

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的研究人員研制出了新型GaN基紫外激光器，取得了我國(guó)繼GaN基藍(lán)光和綠光激光器之后的又一突破進(jìn)展。

GaN基紫外激光器在紫外光固化、紫外殺菌等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值，但其制造技術(shù)難度很高。研究人員掌握了InGaN量子阱局域態(tài)調(diào)控和缺陷抑制方法，提高了發(fā)光效率；闡明了碳雜質(zhì)的補(bǔ)償機(jī)制，獲得了高質(zhì)量的p-GaN材料；優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，減小了吸收損耗和電子泄漏；利用變程跳躍的物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)了良好的p-GaN歐姆接觸；解決了同質(zhì)外延中襯底翹曲的難題，生長(zhǎng)出了高質(zhì)量的器件結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上，研究人員與中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所進(jìn)行了工藝合作，實(shí)現(xiàn)了GaN紫外激光器的室溫電注入激射。據(jù)介紹，條寬10μm、腔長(zhǎng)600μm的激光器的閾值電流密度為1.6kA/cm2～2.0kA/cm2，激射波長(zhǎng)為392nm～395nm，連續(xù)激射輸出光功率可達(dá)80mW。

(中科院)