高通驍龍835
2016-12-27 09:10:39
通信產(chǎn)業(yè)報 2016年42期
11月17日，高通公布了下一代旗艦SoC驍龍835，這是首款采用三星10nm FinFET工藝制造的手機芯片，與上一代14nm FinFET工藝相比能夠減少30%的芯片尺寸，性能方面相比上代提升27%，功耗降低40%。驍龍835支持全新升級的QC 4.0快充技術(shù)，要比上一代快20%。
（康嘉林）
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