李乃一,彭宗仁,劉鵬
(西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 710049, 西安)
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直流電壓下環(huán)氧澆注絕緣子的表面電場(chǎng)分析
李乃一,彭宗仁,劉鵬
(西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 710049, 西安)
針對(duì)直流氣體絕緣設(shè)備電場(chǎng)分析及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)氣體側(cè)模型的選擇問(wèn)題,以高壓直流氣體絕緣穿墻套管用環(huán)氧澆注絕緣子為研究對(duì)象,建立了直流電壓下環(huán)氧澆注絕緣子的電場(chǎng)計(jì)算模型。其中,對(duì)氣體側(cè)分別采用離子遷移模型和線性模型,在直流電壓下對(duì)環(huán)氧澆注絕緣子的表面電場(chǎng)進(jìn)行了計(jì)算及分析。研究了不同氣體電離率、外施電壓、體積電導(dǎo)率等條件下兩種模型對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響及相互替換的條件,給出了直流電壓下氣體側(cè)模型的選擇建議。結(jié)果表明:離子遷移模型得到的絕緣子表面電場(chǎng)計(jì)算結(jié)果受氣體中空間電荷不均勻分布的影響,隨場(chǎng)強(qiáng)的變化呈現(xiàn)出較強(qiáng)的非線性;線性模型用以匹配離子遷移模型計(jì)算結(jié)果的氣體電導(dǎo)率取值與氣體電離率成正比,與外施電壓等級(jí)成反比;當(dāng)外施電壓等級(jí)較高、絕緣子體積電導(dǎo)率較大時(shí),固體側(cè)電流在絕緣子表面電荷積聚過(guò)程中起主要作用,離子遷移模型與線性模型得到的計(jì)算結(jié)果差異較小。這時(shí),線性模型計(jì)算時(shí)間更短,更適用于環(huán)氧澆注絕緣子的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)。
直流;絕緣子;氣體絕緣;氣體電導(dǎo);電場(chǎng)計(jì)算
在直流氣體絕緣設(shè)備中不可避免地需要采用盆式、柱式絕緣子進(jìn)行氣室隔離及導(dǎo)體支撐[1]。這些絕緣子大多由環(huán)氧樹(shù)脂添加氧化鋁、二氧化硅等填料澆注而成,具有很強(qiáng)的機(jī)械性能。在直流電壓下,環(huán)氧澆注絕緣子表面容易積聚電荷[2]。一定量的電荷會(huì)引起絕緣子的表面電場(chǎng)畸變,在極性反轉(zhuǎn)電壓下可能會(huì)降低沿面閃絡(luò)電壓[3]。相比工頻電壓下較為穩(wěn)定的容性電場(chǎng)分布,氣體中存在各種各樣的電離過(guò)程,包括氣體自然電離、電極表面微放電、金屬微粒等雜質(zhì)引起的局部放電等,都會(huì)不同程度地影響氣體中的微電流大小[4]。這使得直流電壓下絕緣子的表面電場(chǎng)分布受氣體電導(dǎo)特性影響較大,呈現(xiàn)出較大的差異性和不確定性,給建立直流電壓下氣、固絕緣系統(tǒng)的電場(chǎng)計(jì)算模型、準(zhǔn)確預(yù)測(cè)絕緣子的表面電場(chǎng)造成了很大困難。當(dāng)進(jìn)行絕緣子表面電場(chǎng)計(jì)算時(shí),對(duì)于氣體側(cè)通常采用兩種模型:①線性模型,采用恒定的氣體電導(dǎo)率,通過(guò)歐姆定理表征氣體中的電流密度,該模型被大多數(shù)文獻(xiàn)所采用[5];②離子遷移模型,考慮氣體電離及離子復(fù)合,通過(guò)離子在電場(chǎng)作用下的遷移及擴(kuò)散過(guò)程表征氣體中的電流密度,該模型已被一些文獻(xiàn)采用進(jìn)行直流電壓下空氣間隙電導(dǎo)過(guò)程[6]及絕緣子表面電荷積聚的仿真分析[7-8]。在選用以上兩種模型對(duì)絕緣子進(jìn)行表面電場(chǎng)計(jì)算及結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí),首先需要回答以下兩個(gè)問(wèn)題:兩種模型下的電場(chǎng)計(jì)算結(jié)果有什么區(qū)別?兩種模型在什么條件下可以相互替換?目前,針對(duì)這兩種模型在不同條件下進(jìn)行橫向比較的研究還較少。
本文以高壓直流氣體絕緣穿墻套管用環(huán)氧澆注絕緣子為研究對(duì)象,對(duì)氣體側(cè)分別采用離子遷移模型和線性模型,在直流電壓下對(duì)絕緣子的表面電場(chǎng)進(jìn)行了計(jì)算,研究了不同條件下兩種模型對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響及相互替換的條件。研究結(jié)果可以為直流氣體絕緣設(shè)備電場(chǎng)分析及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)氣體側(cè)模型的選擇提供一定的參考。
高壓直流氣體絕緣穿墻套管采用環(huán)氧澆注絕緣子支撐其超長(zhǎng)導(dǎo)電桿。為了便于建模計(jì)算,簡(jiǎn)化了套管的中心導(dǎo)體及其軸向延伸,簡(jiǎn)化后的二維軸對(duì)稱電場(chǎng)計(jì)算模型如圖1所示,網(wǎng)格劃分如圖2所示。
圖1 電場(chǎng)計(jì)算模型 圖2 網(wǎng)格剖分
絕緣子內(nèi)部滿足高斯定理及電流連續(xù)性方程
(-ε1φ1)=ρV
(1)
(2)
式中:ε1為介電常數(shù),F/m;φ1為電位,V;ρV為空間電荷密度,C/m3;J1為電流密度矢量,A/m2。假設(shè)絕緣子內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)不高,僅存在離子電導(dǎo),則J1滿足歐姆定理
J1=-γ1φ1
(3)
式中:γ1為體積電導(dǎo)率,S/m。假設(shè)絕緣子內(nèi)部無(wú)空間電荷注入,且軸向無(wú)明顯的溫度梯度,則ρV為0,γ1為常數(shù)。根據(jù)式(1)~式(3),φ1可由拉普拉斯方程求得
2φ1=0
(4)
若采用線性模型,則與絕緣子內(nèi)部的情況相同,SF6氣體中的電流密度J2和電位φ2滿足歐姆定理和拉普拉斯方程。當(dāng)氣體電導(dǎo)率γ2遠(yuǎn)小于γ1時(shí),可忽略J2,僅計(jì)算絕緣子內(nèi)部的電場(chǎng)分布。若采用離子遷移模型,考慮氣體中存在的正、負(fù)離子,則φ2可由泊松方程表示
(5)
?μ±φ2ρ±-D±ρ±
(6)
式中:μ±為正、負(fù)離子遷移率,m2/(V·s);D±為正、負(fù)離子的擴(kuò)散系數(shù),m2/s。已知μ±后,可由Einstein方程求得
(7)
式中:k為玻爾茲曼常數(shù),等于1.38×10-23J/K;T為溫度,K;e為元電荷,等于1.6×10-19C。電流連續(xù)性方程可表示為
(8)
式中:G為氣體電離率,(m3·s)-1;R為離子復(fù)合系數(shù),m3/s。在高壓直流GIS/L、穿墻套管等氣體絕緣設(shè)備中,由電極表面狀態(tài)和雜質(zhì)引起的氣體電離過(guò)程可以通過(guò)提高制造工藝及生產(chǎn)管理水平進(jìn)行控制,因此后文計(jì)算時(shí)僅考慮氣體的自然電離過(guò)程。根據(jù)式(6)、式(8),得
?μ±φ2
(9)
因此,可聯(lián)立式(5)、式(9)求得ρ±及φ2。
通常絕緣子表面在直流電壓下會(huì)不斷積聚電荷。當(dāng)絕緣子內(nèi)部無(wú)空間電荷時(shí),表面電荷的主要來(lái)源為氣體電離,并通過(guò)絕緣子、氣體及其分界面消散[9]
(10)
式中:σ為表面電荷密度,C/m2;J1n、J2n分別為J1、J2的法向分量,A/m2;Js為絕緣子表面的電流密度,A/m2。當(dāng)環(huán)境濕度較小、絕緣子表面較為粗糙時(shí),Js遠(yuǎn)小于J1n和J2n[10],后文計(jì)算時(shí)忽略了Js的影響。因此,當(dāng)采用線性模型時(shí),由式(3)、式(10),得
(11)
若忽略J2,則有n·φ1=0。當(dāng)采用離子遷移模型時(shí),由式(6)、式(10),得
(12)
綜上所述,絕緣子內(nèi)部的電場(chǎng)計(jì)算方程為式(4);氣體側(cè)采用線性模型時(shí)的電場(chǎng)計(jì)算方程為式(4),絕緣子表面的邊界條件為式(11);氣體側(cè)采用離子遷移模型時(shí)的電場(chǎng)計(jì)算方程為式(5)、式(9),絕緣子表面的邊界條件為式(12)。電極表面為Dirichlet邊界條件。全套微分方程采用有限元數(shù)值計(jì)算方法在COMSOL Multiphysics上進(jìn)行求解。剖分后的模型約105個(gè)單元,如圖2所示,在一臺(tái)Xeon 8×2.50 GHz處理器、32 GB內(nèi)存的工作站上進(jìn)行計(jì)算。
2.1 氣體側(cè)模型對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響
由式(3)可知,當(dāng)氣體側(cè)采用線性模型時(shí),J2與φ2相關(guān),因此J2與外施電壓Ur相關(guān)。由式(6)、式(8)可知,當(dāng)采用離子遷移模型時(shí),J2與ρ+、ρ-相關(guān),因此J2與氣體電離率G相關(guān)。本文計(jì)算環(huán)氧澆注絕緣子的表面電位分布φ隨G與Ur的變化,研究?jī)煞N氣體側(cè)模型對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響。
圖3所示為絕緣子的表面電位分布隨氣體電離率G的變化,其中外施電壓Ur為10 kV;R、μ±為0.4 MPa的SF6氣體在室外環(huán)境下的取值,分別為1.3×10-12m3/s、4.2×10-5m2/(V·s)[11];ε1、γ1為常溫下環(huán)氧樹(shù)脂/氧化鋁復(fù)合材料的取值,分別為4ε0、10-15S/m。G在室外環(huán)境、0.4 MPa下的取值為5.5×107(m3·s)-1。已有研究表明,將SF6氣體置于室內(nèi)環(huán)境時(shí),由于輻射強(qiáng)度的降低,G的取值僅為室外環(huán)境時(shí)的50%[11]。另外,設(shè)備內(nèi)部可能存在電極表面微放電或由雜質(zhì)引起氣體局部放電,本文定性地通過(guò)增大G的取值來(lái)模擬這些附加的電離過(guò)程[4]。
(a)G=5.5×106(m3·s)-1
(b)G=5.5×107(m3·s)-1
(c)G=5.5×108(m3·s)-1圖3 G對(duì)絕緣子表面電位分布的影響
從圖3a中可以看出,當(dāng)G為5.5×106(m3·s)-1時(shí),采用離子遷移模型計(jì)算得到的絕緣子表面電位均大于容性電位,即σ=0,表明此時(shí)表面有正電荷積聚。當(dāng)γ2取值在10-17~10-16S/m之間時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。其中,當(dāng)γ2的取值為10-17S/m時(shí),由于γ2遠(yuǎn)小于γ1時(shí),線性模型與忽略J2時(shí)的計(jì)算結(jié)果基本一致。當(dāng)G增大到5.5×107(m3·s)-1時(shí)(見(jiàn)圖3b),離子遷移模型得到的絕緣子上半部的表面電位首先小于容性電位,表明此時(shí)上半部表面有負(fù)電荷積聚。當(dāng)γ2取值在10-16~10-15S/m之間時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。當(dāng)G進(jìn)一步增大到5.5×108(m3·s)-1時(shí)(見(jiàn)圖3c),離子遷移模型得到的絕緣子表面電位均小于容性電位,說(shuō)明此時(shí)表面有負(fù)電荷積聚。當(dāng)γ2取值在10-15~10-14S/m之間時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。圖3表明:為了和離子遷移模型的計(jì)算結(jié)果相匹配,線性模型γ2取值與G成正比。
圖4所示為電力線分布隨G、γ1的變化,Ur、R、μ±、ε1的取值與圖3相同。從圖中可以看出,當(dāng)G取值越大、γ1取值越小時(shí),加壓初期容性分布時(shí)的J2n大于J1n,絕緣子表面不斷積聚負(fù)電荷以加強(qiáng)J1n,最終平衡J1n與J2n,電荷積聚完成。電荷積聚穩(wěn)定后,絕緣子表面附近氣體側(cè)的電力線較為密集,場(chǎng)強(qiáng)較低。反之,容性分布時(shí)的J2n小于J1n,絕緣子表面不斷積聚正電荷以削弱J1n。電荷積聚穩(wěn)定后,固體側(cè)的電力線較為密集,場(chǎng)強(qiáng)較低。當(dāng)G取值較小(見(jiàn)圖4左上角),即對(duì)應(yīng)的γ2遠(yuǎn)小于γ1時(shí),固體側(cè)的電力線幾乎平行于絕緣子表面,即n·φ1=0,此時(shí)可忽略J2。
圖4 G、γ1對(duì)模型電力線分布的影響
圖5所示為絕緣子的表面電位隨外施電壓Ur的變化。其中G為5.5×107(m3·s)-1,R、μ±、ε1、γ1的取值與圖3相同。從圖中可以看出,當(dāng)Ur為1 kV時(shí)(見(jiàn)圖5a),采用離子遷移模型計(jì)算得到的絕緣子表面電位均小于容性電位,說(shuō)明此時(shí)表面有負(fù)電荷積聚。當(dāng)γ2取值約為3×10-15S/m時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。當(dāng)Ur增大到10 kV時(shí)(見(jiàn)圖5b),采用離子遷移模型計(jì)算得到的絕緣子下半部的表面電位首先大于容性電位,說(shuō)明此時(shí)下半部表面有正電荷積聚。當(dāng)γ2取值約為3×10-16S/m時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。當(dāng)Ur進(jìn)一步增大到100 kV時(shí)(見(jiàn)圖5c),采用離子遷移模型計(jì)算得到的絕緣子表面電位均大于容性電位。當(dāng)γ2取值約為3×10-17S/m時(shí),線性模型和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配。圖5表明:為了和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配,線性模型γ2取值與Ur成反比。
(a)Ur=1 kV
(b)Ur=10 kV
(c)Ur=100 kV圖5 Ur對(duì)絕緣子表面電位分布的影響
圖6所示為J2n隨Ur的變化,G、R、μ±、ε1、γ1的取值與圖5相同。從圖中可以看出,對(duì)于離子遷移模型,J2n不隨Ur的升高而成比例的增加,且電荷積聚初期與穩(wěn)定后的J2n沒(méi)有明顯的變化,J2存在飽和現(xiàn)象,而J1滿足歐姆定理,因此在電荷積聚初期,即容性分布時(shí)的J1n隨Ur的升高逐漸接近并超過(guò)J2n。絕緣子表面的負(fù)電荷不斷減少,正電荷不斷積聚。對(duì)于線性模型,J1n、J2n均滿足歐姆定理,因此Ur的變化不會(huì)影響絕緣子的表面電場(chǎng)分布,表面電荷積聚過(guò)程為Maxwell-Wagner極化[12]。
(a)電荷積聚初期(1 h)
(b)電荷積聚穩(wěn)定后圖6 Ur對(duì)氣體側(cè)法向電流密度的影響
由式(12)可知,當(dāng)氣體側(cè)采用離子遷移模型時(shí),J2n可表示為
J2n=n·μ(ρ++ρ-)φ2
(13)
對(duì)比式(3),采用離子遷移模型時(shí)氣體側(cè)的等效電導(dǎo)率可表示為
γ2=μ(ρ++ρ-)
(14)
由式(14)可知,由于ρ±與G成正比,為了和離子遷移模型的計(jì)算結(jié)果相匹配,線性模型γ2取值與G成正比。又由于φ2與Ur成正比,因此當(dāng)J2n飽和后,ρ±與Ur成反比以滿足式(13),為了和離子遷移模型的計(jì)算結(jié)果相匹配,線性模型γ2取值與Ur成反比。另外,與線性模型不同,離子遷移模型可以反映出氣體中空間電荷分布對(duì)氣體電導(dǎo)特性的影響。由于表面電荷分布不均勻,離子遷移模型計(jì)算得到的J2n與線性模型的計(jì)算結(jié)果存在一定的差異(見(jiàn)圖6)。
2.2 氣體側(cè)模型的選擇
由2.1節(jié)的分析可知,離子遷移模型得到的計(jì)算結(jié)果受G、Ur的影響呈現(xiàn)出較強(qiáng)的非線性,即使選擇適當(dāng)?shù)摩?,線性模型下的計(jì)算結(jié)果與離子遷移模型的結(jié)果在氣體側(cè)仍存在一定的差異。本文在不同Ur、γ1、γ2下,研究?jī)煞N模型相互替換的條件。
(a)Ur=1 MV,γ1=10-15 S/m,γ2=10-18 S/m
(b)Ur=1 MV,γ1=10-17 S/m,γ2=3×10-18 S/m
(c)Ur=1 kV,γ1=10-15 S/m,γ2=3×10-15 S/m圖7 Ur、γ1、γ2對(duì)氣體側(cè)法向場(chǎng)強(qiáng)的影響
圖7所示為氣體側(cè)法向場(chǎng)強(qiáng)E2n隨Ur、γ1、γ2的變化,G、R、μ±、ε1的取值與圖5相同。從7a圖中可以看出,采用離子遷移模型和線性模型的計(jì)算結(jié)果基本一致。當(dāng)Ur、γ1的取值較大時(shí),容性分布時(shí)的J1n遠(yuǎn)大于J2n,因此在絕緣子的表面電荷積聚過(guò)程中,J1n起主要作用,離子遷移模型與線性模型得到的計(jì)算結(jié)果差異較小。當(dāng)γ1減小為10-17S/m(見(jiàn)圖7b)或Ur減小為1 kV(見(jiàn)圖7c)時(shí),采用離子遷移模型和線性模型得到的氣體側(cè)法向場(chǎng)強(qiáng)在局部有一定的差別。當(dāng)Ur、γ1的取值較小時(shí),容性分布時(shí)的J1n遠(yuǎn)小于J2n,因此在絕緣子的表面電荷積聚過(guò)程中,J2n起主要作用,離子遷移模型得到的計(jì)算結(jié)果受氣體中空間電荷分布的影響,與線性模型得到的計(jì)算結(jié)果存在一定的差異。
圖8所示為負(fù)電荷密度ρ-隨Ur的變化,G、R、μ±、ε1、γ1的取值與圖5相同。從圖中可以看出,絕緣子附近氣體中的空間電荷密度分布不均勻,且隨場(chǎng)強(qiáng)而變化。由于接地電極與外殼交界處的場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)較低,負(fù)電荷由此處沿電力線向絕緣子表面遷移的速度較慢、電荷密度較大。可見(jiàn),離子遷移模型隨場(chǎng)強(qiáng)的變化呈現(xiàn)出較強(qiáng)的非線性,而且能夠反映出氣、固絕緣系統(tǒng)中距絕緣子表面較遠(yuǎn)的電場(chǎng)不均勻分布對(duì)絕緣子表面電場(chǎng)分布的影響,造成絕緣子表面氣體側(cè)電流密度(見(jiàn)圖6)及氣體側(cè)場(chǎng)強(qiáng)(見(jiàn)圖7)的不規(guī)則分布。
(a)Ur=1 kV (b)Ur=10 kV (c)Ur=100 kV圖8 Ur對(duì)負(fù)電荷密度ρ-的影響
綜上所述,當(dāng)Ur、γ1的取值較大,即氣體電導(dǎo)率遠(yuǎn)小于絕緣子電導(dǎo)率時(shí),J1n在絕緣子的表面電荷積聚過(guò)程中起主要作用。這時(shí),由于表面電荷分布不均勻造成的離子遷移模型與線性模型得到的計(jì)算結(jié)果的差異可忽略,兩種模型可以相互替換。當(dāng)Ur或γ1的取值較小,即氣體電導(dǎo)率與絕緣子電導(dǎo)率相當(dāng)或前者遠(yuǎn)大于后者時(shí),J2n在絕緣子的表面電荷積聚過(guò)程中起主要作用。這時(shí),離子遷移模型得到的計(jì)算結(jié)果受空間電荷和場(chǎng)強(qiáng)的影響較大,不可與線性模型進(jìn)行替換。另外,從計(jì)算時(shí)間的角度考慮,當(dāng)氣體側(cè)采用離子遷移模型時(shí),圖1模型計(jì)算一次需要約1 000 s,而采用線性模型時(shí),計(jì)算時(shí)間僅需要約5 s,因此當(dāng)兩種模型的計(jì)算結(jié)果差異較小時(shí),線性模型的計(jì)算時(shí)間更短,更適用于需要對(duì)模型進(jìn)行大量求解的絕緣子的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)。在其他情況下,采用離子遷移模型所得到的計(jì)算結(jié)果則更為準(zhǔn)確。
(1)采用離子遷移模型計(jì)算得到的環(huán)氧澆注絕緣子的表面電場(chǎng)受電氣電離率和外施電壓等級(jí)的影響較大。為了和離子遷移模型計(jì)算結(jié)果相匹配,線性模型氣體電導(dǎo)率取值與氣體電離率成正比、與外施電壓等級(jí)成反比。
(2)采用離子遷移模型計(jì)算得到的絕緣子的表面電場(chǎng)受氣體中空間電荷不均勻分布的影響,隨場(chǎng)強(qiáng)的變化呈現(xiàn)出較強(qiáng)的非線性。當(dāng)外施電壓等級(jí)較高、絕緣子體積電導(dǎo)率較大時(shí),固體側(cè)電流在絕緣子表面電荷積聚過(guò)程中起主要作用,離子遷移模型與線性模型得到的計(jì)算結(jié)果差異較小,這時(shí)線性模型計(jì)算時(shí)間更短,更適用于環(huán)氧澆注絕緣子的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)。
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(編輯 杜秀杰)
Surface Electric Fields for Epoxy Cast Insulator Under DC Voltage
LI Naiyi,PENG Zongren,LIU Peng
(State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Aiming at the issue of gas model selection of DC gas-insulated device in electric-field analysis and design, a model for electric-field evaluation is established for an epoxy cast insulator installed in HVDC gas-insulated wall bushing. Ion-drift model and linear model are considered for gas domain respectively. Calculating and analyzing the surface electric fields under DC voltage, the influences of two models on calculated results for different gas ionization rate, applied voltage level, bulk conductivity as well as the alternative conditions under DC voltage are investigated and the suggestions for gas model selection are proposed. The results show that the calculated results of ion-drift model depend on electric-field strength and are affected by the uneven space charges with gas nonlinearity. The gas conductivity in linear model matching ion-drift model is proportional to gas ionization rate and inversely proportional to applied voltage level. In the case of higher voltage level and larger bulk conductivity of insulator, the bulk current dominates the surface charge accumulation and calculated result for ion-drift model slightly differs from that for linear model. The linear model is more applicable to optimal design for epoxy cast insulator with shorter calculating time.
DC; insulator; gas insulation; gaseous conduction; electric field calculation
2015-06-11。
李乃一(1988—),男,博士生;彭宗仁(通信作者),男,教授,博士生導(dǎo)師。 基金項(xiàng)目:國(guó)家“863計(jì)劃”資助項(xiàng)目(2014AA051800);國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目(GY71-12-020)。
時(shí)間:2015-11-11
10.7652/xjtuxb201602013
TM216
A
0253-987X(2016)02-0073-07
網(wǎng)絡(luò)出版地址:http:∥www.cnki.net/kcms/detail/61.1069.T.20151111.1801.002.html