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        提高晶閘管高溫反偏性能的研究

        2016-12-17 15:48:00王啟進(jìn)潘英飛
        科技視界 2016年26期
        關(guān)鍵詞:可靠性質(zhì)量

        王啟進(jìn) 潘英飛

        【摘 要】分析了晶閘管高溫反偏的失效模式;影響晶閘管高溫反偏性能的主要原因是表面沾污;改變SiO2的生長(zhǎng)工藝,從而提高產(chǎn)品的質(zhì)量和在高溫環(huán)境下的可靠性。

        【關(guān)鍵詞】高溫反偏;表面沾污;質(zhì)量;可靠性

        0 引言

        我公司近年來(lái)積極推動(dòng)晶閘管的銷售工作,其主要應(yīng)用于高能量的起輝(點(diǎn)火)電路、高壓發(fā)生器、過(guò)壓保護(hù)、振蕩器、代替晶閘管電路等方面。高壓發(fā)生器電路,用于空調(diào)、電冰箱,作為電子殺菌、除臭用;低電壓輸入的電子起輝電路,用于高壓燈(汞燈,鈉燈等)觸發(fā)、日光燈啟輝、燃?xì)恻c(diǎn)火、灶具,熱水器點(diǎn)火。由此可見(jiàn)它們經(jīng)常在60℃以上的環(huán)境中工作,芯片的結(jié)溫常常會(huì)達(dá)到125℃以上,因此,提高產(chǎn)品的高溫反偏能力是非常有意義的。用傳統(tǒng)工藝生產(chǎn),它們的高溫反偏合格率只能達(dá)到50%左右,針對(duì)這一現(xiàn)象,我們提出了提高產(chǎn)品的高溫反偏篩選合格率的工藝技術(shù),以期解決問(wèn)題,使我們產(chǎn)品的質(zhì)量和高溫環(huán)境下的可靠性得以提高,最終讓我們的產(chǎn)品更加有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

        1 高溫反偏失效機(jī)理分析

        在做高溫反偏時(shí)都不同程度的存在結(jié)退化的現(xiàn)象。在125℃條件下做高溫反偏,反向漏電流會(huì)隨著時(shí)間的增加而逐漸增大,有一些呈收斂狀態(tài),而有一些是呈非收斂的狀態(tài)。Si平面結(jié)的反向特性是由體內(nèi)結(jié)的反向特性和表面結(jié)的反向特性共同決定的。一般情況下,體內(nèi)結(jié)反向特性是比較穩(wěn)定的,而表面結(jié)反向特性的穩(wěn)定性是比較差的。因?yàn)闉榱私鉀Q平面工藝中定于擴(kuò)散和器件穩(wěn)定性問(wèn)題,常常需要在Si表面生長(zhǎng)一層SiO2,在這系統(tǒng)中常常有電荷存在,在高溫反向偏置的條件下,這些電荷和界面效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重的影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

        以下是我們具體實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù):

        從以上數(shù)據(jù)可以看出,大部分管子失效,失效模式大致可分為以下兩種:表面離子遷移和軟擊穿。

        (1)表面離子遷移:離子會(huì)沿氧化物表面遷移,可激活Si層中的局部缺陷使器件退化,如Na離子向pn結(jié)附近的金屬化層遷移,使金屬下面的感應(yīng)結(jié)變寬,使漏電流增加,從而使擊穿電壓降低。

        (2)軟擊穿:Si- SiO2系統(tǒng)中存在電荷和界面效應(yīng)起著表面復(fù)合中心的作用,就會(huì)在表面產(chǎn)生復(fù)合電流,當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí),這部分電流直接從表面流過(guò),形成表面漏電流,也使pn結(jié)得反向電流不飽和,而且隨著外加反向電壓的增高而增大,從而形成軟擊穿。

        2 改進(jìn)措施

        Si- SiO2系統(tǒng)中存在電荷和界面效應(yīng)都和Si片 表面的沾污狀況有著密切的關(guān)系,沾污越嚴(yán)重,表面電荷量越大,而且主要是正電荷,在高溫一定的反向偏置下,這些正電荷向集電結(jié)附近的氧化層中移動(dòng),使集電結(jié)表面的擊穿電壓降低。嚴(yán)重時(shí)會(huì)形成近表面的集電結(jié)局部擊穿,反向漏電流增加,從而導(dǎo)致器件失效。為了改善高溫條件下器件的性能,我們從SiO2的生長(zhǎng)工藝方面進(jìn)行。我們采用C2HCl3摻cl氧化工藝來(lái)生長(zhǎng)SiO2層。工藝改進(jìn)后的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(表2)

        從以上數(shù)據(jù)可以看出,管子只有2支失效。實(shí)驗(yàn)表明cl原子和金屬堿性離子主要分布在Si- SiO2界面,靠近Si側(cè)10~20mm處,因此cl原子可以吸除可動(dòng)金屬離子。通過(guò)改進(jìn)SiO2的生長(zhǎng)工藝,使得SIDAC在125℃條件下高溫反偏篩選合格率得到很大提高。

        3 結(jié)束語(yǔ)

        實(shí)驗(yàn)表明摻cl氧化工藝改進(jìn)半導(dǎo)體的表面狀態(tài),吸除了可動(dòng)金屬離子,有效地減輕和消除了芯片制造過(guò)程中的表面沾污,提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和在高溫環(huán)境下的可靠性。在以后的工作中,我們還需繼續(xù)深入研究,讓我們的產(chǎn)品更加有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

        【參考文獻(xiàn)】

        [1][美]施敏,梅凱瑞.半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ).陳軍寧,柯導(dǎo)明,孟堅(jiān),譯.安徽大學(xué)出版社,2007,4.

        [2]電子工業(yè)半導(dǎo)體專業(yè)工人技術(shù)教材編寫組.半導(dǎo)體器件工藝[M].上??茖W(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社,1984,1.

        [3]主編:莊同曾,副主編:張安康,黃蘭芳.集成電路制造技術(shù)─原理與實(shí)踐[M].電子工業(yè)出版社,1987,10.

        [4]揚(yáng)晶琦.電力電子器件原理與設(shè)計(jì)[M].國(guó)防工業(yè)出版社,1999,6.

        [5]孫青,莊奕琪.電子元器件可靠性工程[M].電子工業(yè)出版社,2002.

        [6]羅雯,魏建中.電子元器件可靠性試驗(yàn)工程[M].電子工業(yè)出版社,2005.

        [責(zé)任編輯:張濤]

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