俄羅斯研制出基于石墨烯材料的閃存原型

俄羅斯科學(xué)院西伯利亞分院半導(dǎo)體物理研究所的研究人員利用多層石墨烯材料制造出了一種新型閃存的原型，其無論在信息存儲速度方面，還是在保存時(shí)間方面，均超過現(xiàn)有其它材料制成的閃存。

據(jù)悉，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質(zhì)（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，其隧道層由氧化硅制得，阻擋層由高介電常數(shù)電介質(zhì)制得。閃存的效率取決于存儲介質(zhì)功函數(shù)的大小，由于多層石墨烯對電子具有很大的功函數(shù)（約5eV），因此，在石墨烯層和氧化硅邊界的勢壘增加至約4eV。被夾在隧道和阻擋氧化物之間的石墨烯層相當(dāng)于一個(gè)深勢阱，電荷進(jìn)入后就長期貯存在那里，因而，可對閃存進(jìn)行幾何學(xué)優(yōu)化，例如，使用更薄的隧道層，存儲速度可提高2～3倍，而更大的功函數(shù)可使電荷貯存的時(shí)間更長久。

目前，研究人員研制的石墨烯閃存原型仍處于基礎(chǔ)研究階段，其工業(yè)化生產(chǎn)尚需時(shí)日。

(科技部)