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        應(yīng)用于音頻設(shè)備的14-bit Sigma-delta 調(diào)制器的設(shè)計

        2016-12-05 05:13:41代田慧彭曉宏
        電子設(shè)計工程 2016年22期
        關(guān)鍵詞:信號設(shè)計

        代田慧,彭曉宏

        (北京工業(yè)大學(xué) 北京100124)

        應(yīng)用于音頻設(shè)備的14-bit Sigma-delta 調(diào)制器的設(shè)計

        代田慧,彭曉宏

        (北京工業(yè)大學(xué) 北京100124)

        文中針對AUDIO CODEC IP核項目的實際需求,設(shè)計了一款應(yīng)用于音頻設(shè)備的14-bit Sigma-delta調(diào)制器。采用過采樣率(OSR)為256倍的2階1-bit CIFB結(jié)構(gòu),應(yīng)用了包含電路級噪聲和非理想因素影響的simulink模型進(jìn)行行為級仿真。在華力HLMC 55 nm CMOS工藝下,Sigma-delta調(diào)制器采用開關(guān)電容積分電路來實現(xiàn),各級積分器采用特殊的開關(guān)控制以減小電容大小,從而減小芯片面積,其測試結(jié)果可以達(dá)到SNDR=84.1dB(ENOB=13.67 bits)。

        音頻設(shè)備;Sigma-Delta調(diào)制器;過采樣;開關(guān)電容

        隨著消費類音頻設(shè)備在市面上大量使用,例如:數(shù)字電視,手機多媒體等[1-4]。為了能夠滿足消費需求以獲得更好的聲音質(zhì)量,高分辨率的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到了十分廣泛的應(yīng)用。ADC可分成兩種類型:Nyquist采樣率ADC和過采樣ADC[5-6]。傳統(tǒng)的Nyquist采樣率ADC,是用兩倍或略大于兩倍截止頻率的采樣頻率對模擬輸入信號進(jìn)行采樣,對所采樣的幅值均勻量化,并用二進(jìn)制編碼來表示所需量化的電平[7]。由于電路元件在工藝實現(xiàn)上很難達(dá)到較高的精度,所以傳統(tǒng)Nyquist采樣的ADC要提高分辨率將會變得非常困難。

        一般在高精度ADC核心電路的前端,往往需要過渡帶較窄的抗混疊濾波器和采樣保持電路,對模擬電路的設(shè)計提出了更高的要求,設(shè)計不好還會引入諧波失真[8]。除了正常ADC轉(zhuǎn)換電路的噪聲,前置電路本身也會引入噪聲,為了盡可能的降低這些噪聲所帶來的影響,就不得不增加積分器的電容值,這樣一來,系統(tǒng)的功耗就會跟著增加,而且電容的面積在版圖中是較大的,增加功耗的同時又增加了芯片的面積[9]。可見,傳統(tǒng)的Nyquist ADC不適合用于要求高分辨率的數(shù)字音頻應(yīng)用領(lǐng)域。

        然而,過采樣的Sigma-delta ADC己經(jīng)是現(xiàn)今CMOS工藝中實現(xiàn)高精度轉(zhuǎn)換器的主流方法,由于其結(jié)構(gòu)中擁有數(shù)字抽取濾波器部分,很好的契合了現(xiàn)今CMOS大規(guī)模集成的條件,從而可以將模擬調(diào)制器部分比較方便地和數(shù)字電路集成[10]。而Sigma-delta調(diào)制器是Sigma-deltaADC中最為核心的模塊,其主要作用是通過過采樣和噪聲整形兩大技術(shù)將音頻信號范圍(20 Hz~20 kHz)之內(nèi)的噪聲推向高頻,從而降低帶內(nèi)噪聲,以實現(xiàn)高精度的模數(shù)轉(zhuǎn)換功能。可見Sigma-delta調(diào)制器設(shè)計的好壞直接決定了整個ADC的性能。

        1 調(diào)制器的simulink建模及仿真

        為了有效指導(dǎo)調(diào)制器電路的設(shè)計,在Simulink/Matlab的環(huán)境下,對sigma-delta調(diào)制器進(jìn)行了帶有非理想因素影響的模型建立,如圖1所示。經(jīng)過反復(fù)優(yōu)化調(diào)整,模型中的系數(shù)最終設(shè)定k1=b2=1/2,b=1/4。在這里,二階調(diào)制器系統(tǒng)中我們主要考慮了第一級積分器非理想因素的影響[11],其中包括運放的增益、帶寬、擺率以及運放本身的噪聲,采樣開關(guān)的熱噪聲、采樣開關(guān)的時鐘抖動等,下面將調(diào)制器所設(shè)定的非理想因素模塊參數(shù)寫于表1中。由于第二級積分器對系統(tǒng)性能影響很小,所以采用的是理想積分器(IDEAL Integrator)模型。

        整個Sigma-delta調(diào)制器系統(tǒng)的采樣頻率FS=12.5 MHz,過采樣率OSR=256,輸入頻率Fin=5 kHz。在考慮電路設(shè)計中所包含的非理想因素影響的情況下,調(diào)制器的信噪失真比SNDR=94.1 dB,有效位數(shù)ENOB=15.34 bits。

        圖1 二階調(diào)制器模型

        表1 非理想因素模塊參數(shù)設(shè)定

        2 調(diào)制器電路的設(shè)計

        基于開關(guān)電容積分器本身所具備的優(yōu)點:動態(tài)范圍大、線性度高并且易于CMOS工藝實現(xiàn)[12]。故本設(shè)計采用的是全差分開關(guān)電容積分器電路來實現(xiàn)2階1-bit量化CIFB的sigmadelta調(diào)制器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)電路如圖2所示。全差分結(jié)構(gòu)可以有效的消除偶次諧波失真,還能抑制電路中的共模噪聲,提高電源抑制比并且增加輸出擺幅。

        從圖2的時序開關(guān)電路可以看出,該積分器受到兩相不8交疊時鐘ckn和ckp的控制,這里,信號通路和反饋通路區(qū)分開來,以免參考電平受到輸入信號的影響。對于輸入信號而言,ckp為采樣相位,ckn為積分相位。為了消除前面所提到的開關(guān)電荷注入效應(yīng),圖2采用了下極板采樣的技術(shù),時鐘ckn和ckp較cknd和ckpd稍微提前關(guān)斷,這樣使得采樣電容的右端沒有了通路,保證了在下一次導(dǎo)通之前,采樣電容上的總電荷不會發(fā)生變化,而且其他開關(guān)的電荷注入或者其他形式的干擾不會對輸入信號產(chǎn)生影響,電路的工作性能不會因為開關(guān)的動作而發(fā)生變化。還有,因為ckp開關(guān)是與共模電平相連的,當(dāng)其斷開的時候不會與輸入信號產(chǎn)生聯(lián)系,所影響的只是采樣電容上的直流偏移量,這個偏移量可以通過全差分電路中正負(fù)通路相減而被相互抵消,從而并不會引起諧波失真[13]。

        圖2 調(diào)制器拓?fù)鋱D

        在電路實現(xiàn)過程中,采樣電容值C1大小的選取是尤為重要的。這里參照文獻(xiàn)[14-15]中的推導(dǎo)和計算方法可知,兩路開關(guān)和電容所引起的熱噪聲在信號帶寬內(nèi)的總功率(Sn)為:

        計算得到的積分器的采樣電容大約為C1=0.25 pF,基于實際電路噪聲抑制的考慮,本設(shè)計中給出C1=0.5 pF。由于調(diào)制器的系數(shù)是根據(jù)無源器件電容之間的比值來實現(xiàn)的,所以確定了采樣電容值后,積分電容值也就確定了。第一級的系數(shù)b=1/4,故積分電容C2=2 pF。由于二階sigma-delta調(diào)制器第二級的系數(shù)b2=k1=1/2,故圖2中C3=C1=0.5 pF,C4=C2=2 pF,C5=C6=0.25 pF。C5和C6的值之所以不是0.5 pF,是因為在輸入信號進(jìn)行采樣的時,C5(C6)上已經(jīng)貯存了vc·C5的電荷,在積分相時,恰好是2倍的vc·C5電荷轉(zhuǎn)移到積分電容上,其效果相當(dāng)于C5和C6為0.5pF直接反饋得到的結(jié)果。這樣的開關(guān)控制的目的就是為了減小電容的大小進(jìn)而減小所占用的芯片的面積。

        3 電路仿真及芯片測試

        同樣在輸入信號 Fin=5 kHz,采樣時鐘頻率為 Fs=12.5 MHz,對過采樣率OSR=256的2階1-bit量化的sigma-delta調(diào)制器進(jìn)行仿真。最終的輸出時域波形如圖3所示,在TT工藝角下,所提取的數(shù)字碼流在音頻信號頻率范圍內(nèi)經(jīng)過FFT分析處理后得到的信噪失真比SNDR=86.6 dB。

        圖3 調(diào)制器輸出碼流

        表2給出了在不同工藝角下對調(diào)制器輸出做FFT分析的結(jié)果,可以看出,在不同的工藝偏差下,其性能均能滿足設(shè)計需求。

        表2 不同工藝角的FFT分析

        本設(shè)計是在華力HLMC 55 nm CMOS工藝成功流片并進(jìn)行測試的,其測試平臺示意圖如圖4所示。圖中被測芯片為整個AUDIO CODEC的測試片,這里只對sigma-delta調(diào)制器的精度進(jìn)行考量。其中用到的外圍芯片有串轉(zhuǎn)并芯片(AD8138)和LDO(TPS74701)芯片,電路板是5 V供電,芯片內(nèi)部供電為3.3 V(模擬部分)和1.2 V(數(shù)字部分)。

        為了確保測試的準(zhǔn)確性,測試的輸入激勵必須保證能夠達(dá)到更高精度,這里采用的是低失真低噪聲的SYS-2722 Audio Precision設(shè)備來提供高精度輸出正弦信號,其在20 kHz帶寬內(nèi),1 kHz THD+N能夠小于-112 dB。最終對輸出數(shù)據(jù)在音頻信號頻率范圍內(nèi)做FFT分析,可以達(dá)到信躁失真比SNDR=84.1dB(13.67 bits),如圖5所示,測試結(jié)果與仿真結(jié)果非常接近,滿足設(shè)計需求。

        圖4 測試平臺示意圖

        圖5 輸出數(shù)據(jù)FFT分析

        4 結(jié) 論

        針對AUDIO CODEC IP核項目設(shè)計的實際需求,文中設(shè)計了一種應(yīng)用于音頻設(shè)備的14bit Sigma-delta調(diào)制器,采用過采樣率OSR為256倍的2階1-bit CIFB結(jié)構(gòu)。為了使其結(jié)構(gòu)能夠更好的達(dá)到實際電路設(shè)計的性能需求,我們在電路設(shè)計之前要考慮實際電路設(shè)計中存在的諸多非理想因素對sigma-delta調(diào)制器性能的影響,所以在Matlab環(huán)境下,給出了帶非理想因素的simulink模型的仿真結(jié)果,并以此為參考完成電路的設(shè)計。在華力HLMC 55nm CMOS工藝下,完成了對Sigma-delta調(diào)制器電路的設(shè)計,電路設(shè)計中的各級積分器采用特殊的開關(guān)控制以減小電容的大小,從而減小了芯片使用面積。并且開關(guān)的有效控制還可以降低系統(tǒng)噪聲,防止寄生效應(yīng)。在輸入信號Fin=5 kHz,采樣時鐘頻率為Fs=12.5 MHz的情況下,對芯片進(jìn)行測試,其信噪失真比SNDR=84.1 dB (13.67 bits),和調(diào)制器的仿真結(jié)果非常接近,達(dá)到了設(shè)計的指標(biāo)。

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        Design of 14-bit Sigma-delta modulator applied for audio device

        DAI Tian-hui,PENG Xiao-hong
        (Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)

        For the actual demand of AUDIO CODEC IP program design,this work is devoted to the realization of a 14-bit Sigma-delta modulator,which employed 2-order 1-bit CIFB topology whose over sampling ratio(OSR)is equal to 256,applied for audio devices.The circuit level noise and non-ideal factor effects are also taken into account with a Simulink model. The proposed modulator is realized by employing switched-capacitor in HLMC 55nm technology and the special control for switches ofintegrator can reduce the capacitance and then reduce chip consumption.Test results of this proposed sigmadeltamodulatorcan reach SNDR=84.1 dB(ENOB=13.67 bits)resolution.

        audio device;Sigma-delta modulator;over sampling;switched-capacitor

        TN302;TN432

        A

        1674-6236(2016)22-0043-04

        2016-03-22稿件編號:201603296

        國家自然科學(xué)基金(61204040,60976028);北京市自然科學(xué)基金(4123092);教育部博士點基金(20121103120018)

        代田慧(1992—),女,河南洛陽人,碩士研究生。研究方向:模擬集成電路設(shè)計。

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