張勝?gòu)?qiáng) 孫凌玉

摘 要：對(duì)試樣液氮脆斷后進(jìn)行掃描電鏡觀察是研究材料微觀結(jié)構(gòu)的常用方法，但應(yīng)用于磁性羥基鐵粉填充的磁敏彈性體試樣時(shí)，卻很難獲得理想效果。通過對(duì)橡膠高分子結(jié)晶現(xiàn)象和低溫脆斷理論的分析，揭示脆斷截面無法形成裸露的羥基鐵粉鏈的機(jī)理；提出機(jī)械切割和拋光相結(jié)合的截面處理方法，得到的樣品截面可滿足掃描電鏡對(duì)磁敏彈性體表面微結(jié)構(gòu)的表征要求。通過對(duì)掃描電鏡工作原理和成像理論的分析，闡述磁性材料產(chǎn)生的雜散磁場(chǎng)與掃描電鏡磁透鏡的磁場(chǎng)、入射電子束、收集器電壓產(chǎn)生的耦合作用。這種耦合作用使在樣品表面按一定時(shí)間和空間順序做光柵式逐點(diǎn)掃描的入射電子束發(fā)生畸變，改變磁敏彈性體發(fā)射的二次電子的運(yùn)行軌跡，使二次電子收集器收集效果變?nèi)酰档蛨D像質(zhì)量。根據(jù)絕緣電阻測(cè)試得到不同體積分?jǐn)?shù)羥基鐵粉的磁敏彈性體的電導(dǎo)率，確定金屬離子真空濺射和粘貼導(dǎo)電膠的試樣處理方法。提出磁敏彈性體樣品的退磁方案，并得到理想的微觀形貌圖像。

關(guān)鍵詞：磁敏彈性體；掃描電鏡；液氮脆斷；高分子結(jié)晶；磁場(chǎng)

文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-5124（2016）09-0001-05

0 引 言

磁敏彈性體（magnetic-sensitive elastomer，MSE）是將微米尺度的羥基鐵粉顆粒均勻分散到液態(tài)高分子橡膠中，并在強(qiáng)磁場(chǎng)中固化形成的復(fù)合材料，羥基鐵粉顆粒在橡膠基體中呈鏈狀排列。在應(yīng)用過程中，未達(dá)到磁飽和前，當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小變化時(shí)，其剛度和阻尼特性可以在幾毫秒的時(shí)間內(nèi)隨之改變[1-2]，因此，MSE屬于一種智能材料，其顆粒排列有序程度直接影響其磁場(chǎng)響應(yīng)特性。

當(dāng)羥基鐵粉鏈嵌在不透明的橡膠基體中時(shí)，無法直接觀測(cè)到顆粒排列和分布情況并評(píng)價(jià)材料制備質(zhì)量，需要借助掃描電子顯微鏡對(duì)其切片進(jìn)行觀察。制備材料的斷面，一般采用液氮脆斷法，但對(duì)于MSE觀測(cè)效果十分不理想。此外，MSE在磁場(chǎng)中的固化過程使羥基鐵粉逐漸被磁化，產(chǎn)生雜散磁場(chǎng)，也影響了觀測(cè)效果。

本文分別對(duì)橡膠固化結(jié)晶現(xiàn)象和低溫脆斷理論進(jìn)行分析，揭示液氮脆斷面沿橡膠基體斷裂的機(jī)理，提出適合掃描電鏡觀測(cè)試驗(yàn)的MSE試樣斷面制備方法。通過對(duì)掃描電鏡工作原理和成像理論的進(jìn)一步分析，剖析掃描電鏡法觀測(cè)磁性材料形貌時(shí)圖像質(zhì)量和分辨率下降的原因，提出MSE樣品退磁的預(yù)處理方法。并通過絕緣電阻測(cè)試得到MSE的電導(dǎo)率，提出采用“引導(dǎo)并消除”試件表面電子的實(shí)驗(yàn)方案。

1 磁敏彈性體試樣斷面形貌形成機(jī)理

做掃描電鏡測(cè)試前，需要對(duì)MSE試件斷面進(jìn)行預(yù)處理，使嵌在橡膠基體內(nèi)部的羥基鐵粉鏈裸露在觀測(cè)面上。目前普遍采用液氮脆斷法，以獲得平整的材料試件剖面，但此方法并不適用于MSE材料。

因?yàn)轭w粒與橡膠基體混合前做了很好的表面處理，則兩者的界面結(jié)合完好，固化過程中多數(shù)羥基鐵粉鏈被包裹在橡膠基體中，因此，如果使用傳統(tǒng)的液氮脆斷的制樣方法，其斷面只會(huì)沿強(qiáng)度較弱的橡膠基體斷裂，無法觀察到羥基鐵粉鏈的排列形式（見圖1）。

1.1 顆粒-基體界面“包裹”形態(tài)的橡膠高分子固化結(jié)晶

高分子橡膠聚合物的結(jié)晶過程由晶核形成和微晶體生長(zhǎng)兩個(gè)階段構(gòu)成[3-4]。

在第1階段，以羥基鐵粉為中心，高分子橡膠聚合物的大分子鏈形成初始取向排列，固化過程中發(fā)生異相成核作用，出現(xiàn)球形結(jié)晶，晶核形成。成核的晶格點(diǎn)含量和分布決定了所形成晶核的數(shù)目和分布形態(tài)。

在第2階段，微晶體生長(zhǎng)是一個(gè)次級(jí)成核的過程，即更多的橡膠大分子鏈按“鏈折疊”的機(jī)理，以單分子層疊、累積到初級(jí)晶核表面，進(jìn)行兩維生長(zhǎng)，逐漸產(chǎn)生小晶粒，并緩慢生長(zhǎng)，形成晶體。

在45 ℃和9 ℃的環(huán)境中，等溫固化結(jié)晶1 h的橡膠試樣，利用偏光顯微鏡對(duì)其結(jié)晶現(xiàn)象進(jìn)行觀測(cè)，如圖2所示，可以觀測(cè)到明顯的黑十字消光現(xiàn)象，說明橡膠在該環(huán)境中固化產(chǎn)生了明顯的球晶現(xiàn)象[5]。二者固化結(jié)晶溫度的差異導(dǎo)致其球晶形貌略有不同，45 ℃等溫條件下結(jié)晶，橡膠分子鏈存在較強(qiáng)的熱運(yùn)動(dòng)能力，形成的晶體數(shù)量較少，但相鄰球晶間的阻礙生長(zhǎng)的影響較小，能夠觀測(cè)到相對(duì)完整的球形晶體。

圖3（a）為不同溫度下橡膠差示掃描量熱分析的等溫結(jié)晶曲線，可以看出，隨著固化溫度降低，將導(dǎo)致差示掃描量熱分析曲線向左移動(dòng)，說明低溫下橡膠分子鏈的熱運(yùn)動(dòng)減弱，晶核形成加速，結(jié)晶速度加快。等溫結(jié)晶過程中，橡膠相對(duì)結(jié)晶度隨時(shí)間的變化關(guān)系，如圖3（b）所示，橡膠結(jié)晶度隨著固化時(shí)間的延長(zhǎng)趨于飽和，說明固化時(shí)間越長(zhǎng)，其結(jié)晶效果越好[6]。

在制備磁敏彈性體的過程中，其在強(qiáng)磁場(chǎng)中的固化溫度為室溫（20 ℃），固化結(jié)晶時(shí)間為2 h。因此，當(dāng)鐵粉顆粒表面處理良好時(shí)，便可形成羥基鐵粉顆粒-橡膠基體界面“包裹”形態(tài)。

1.2 低溫脆斷形成試件斷面的機(jī)理

低溫條件下誘發(fā)脆性斷裂的機(jī)理同時(shí)取決于外部條件和結(jié)構(gòu)件本身的性能兩個(gè)方面。

對(duì)于誘發(fā)低溫脆斷的外部條件，即冷脆轉(zhuǎn)變點(diǎn)，鐘群鵬[7]用熱激活綜合參量A來表示：

A=T·ln（■）

式中：T——環(huán)境溫度；

■0——頻率因子；

■——應(yīng)變速率。

對(duì)于磁敏彈形體，在液氮脆斷溫度時(shí)，A值可視為定值。

結(jié)構(gòu)件本身的性能對(duì)脆斷效果的影響，主要取決于結(jié)晶過程晶界處磷元素偏聚程度，因?yàn)橄鄬?duì)于整個(gè)晶體而言，晶界強(qiáng)度較弱，斷裂裂紋主要沿高分子橡膠聚合物晶體的晶界擴(kuò)展。橡膠聚合物大分子末端的聚磷酸酯基和添加的膨脹型阻燃劑聚磷酰胺含有大量磷元素，它在低溫下容易從聚合物中偏析[8-10]，使局部含磷量升高并在晶界的空隙處聚集，產(chǎn)生偏聚現(xiàn)象。通常，羥基鐵粉的體積含量越高，越易形成球晶晶體；添加的聚磷酰胺比例越高，偏聚現(xiàn)象越明顯。因此，低溫導(dǎo)致MSE在橡膠晶界處產(chǎn)生脆斷傾向大。

綜合1.1及1.2的分析可知，采用液氮脆斷法無法使斷面處于橡膠和羥基鐵粉交界面，因此，使用掃描電鏡無法直接觀測(cè)到羥基鐵粉鏈，必須采用其他方法制備試件斷面。

1.3 試樣斷面的機(jī)械切割和拋光方法

雖然液氮脆斷的方式無法觀測(cè)到羥基鐵粉鏈，但直接采用機(jī)械切割的方式處理MSE試樣，其切面會(huì)產(chǎn)生許多超過顆粒尺度的劃痕、影響觀測(cè)效果，因此還需進(jìn)行拋光處理。操作過程如下：

1）利用金剛石線鋸將MSE制成規(guī)格20 mm×20 mm×5 mm的試樣；

2）用金相鑲樣機(jī)做樹脂鑲樣；

3）用3 000目砂紙（0.5～1 μm）打磨被觀測(cè)截面；

4）用拋光機(jī)對(duì)該截面做拋光處理，減少切割過程造成的劃痕。

2 掃描電鏡表征原理及磁敏彈性體微結(jié)構(gòu)觀測(cè)參數(shù)優(yōu)化

掃描電鏡是應(yīng)用比較廣泛的表征材料微結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)手段，但是利用掃描電鏡觀測(cè)磁性材料，尤其是強(qiáng)磁性材料時(shí)，無法清晰地觀察到形貌圖像[11-13]，如圖4所示。若要提高觀察效果，需了解其工作原理。

2.1 掃描電鏡工作原理

利用掃描電鏡觀察試樣的表面微結(jié)構(gòu)形貌，主要應(yīng)用二次電子信號(hào)成像原理。即：利用燈絲陰極與陽極間的高壓產(chǎn)生高能量的電子束，在2～30 kV的加速電壓下，電磁透鏡將發(fā)出的微米級(jí)直徑的電子束斑縮小為納米級(jí)別，并在試樣表面聚焦；通過電子束與樣品的相互作用，發(fā)射低能二次電子，并將各個(gè)方向的二次電子收集起來，獲得樣品表面放大形貌等物理信息，該像是在樣品被掃描時(shí)按一定時(shí)間和空間順序逐點(diǎn)形成，并在鏡體外顯像管上顯示，即使用逐點(diǎn)成像的方法獲得放大像[14-15]。

2.2 磁敏彈性體SEM方法表征機(jī)理

1926年，布斯奇[16]提出了“軸對(duì)稱的磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子具有凸透鏡的匯聚作用”，掃描電子顯微鏡中的電磁透鏡的原理是通過線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)將電子束聚焦。聚焦能力越強(qiáng)，掃描電鏡的分辨率提升越大，清晰度和對(duì)比度也會(huì)相應(yīng)提高。磁性的測(cè)試試樣會(huì)產(chǎn)生一個(gè)局部磁場(chǎng)影響電子通道附近原有的磁場(chǎng)，破壞了電子光學(xué)系統(tǒng)的軸對(duì)稱性，無法形成理想的聚焦，將交叉點(diǎn)的圓形像變成了細(xì)長(zhǎng)的橢圓像，造成像散現(xiàn)象。因此，用掃描電鏡觀察帶磁性的MSE斷面較為困難。

此外，在聚焦過程中，掃描電鏡的磁透鏡不可避免地會(huì)產(chǎn)生引起成像失真的畸變。非磁性試樣會(huì)產(chǎn)生各向同性畸變，如圖5（a）所示，使實(shí)際像點(diǎn)相對(duì)于理想像點(diǎn)有平動(dòng)位移；而測(cè)試磁性試樣時(shí)，會(huì)產(chǎn)生各向異性的畸變，如圖5（b）所示，使實(shí)際像點(diǎn)相對(duì)于理想像點(diǎn)不僅發(fā)生了平動(dòng)位移，而且產(chǎn)生了旋轉(zhuǎn)角度，即出現(xiàn)了扭曲畸變，導(dǎo)致觀測(cè)的形貌變差。

另一個(gè)因素是電子光學(xué)系統(tǒng)中物鏡的漏磁會(huì)影響到所觀測(cè)的磁性材料。當(dāng)移動(dòng)樣品時(shí)，樣品表面的磁場(chǎng)分布將發(fā)生變化，從而導(dǎo)致電子束位置的變化，即“分析區(qū)域”發(fā)生移動(dòng)，會(huì)引起圖像的單方向模糊和圖像襯度下降。對(duì)磁性材料進(jìn)行分析時(shí)，由于電子束受其磁場(chǎng)的影響，使其分析位置保持不變是不現(xiàn)實(shí)的。磁性材料產(chǎn)生的雜散磁場(chǎng)與掃描電鏡磁透鏡的磁場(chǎng)、入射電子束、收集器電壓產(chǎn)生耦合作用。隨著磁場(chǎng)的變化，試樣本身會(huì)產(chǎn)生輕微的機(jī)械振動(dòng)，引起束斑漂移。所以，要想得到清晰的樣品微結(jié)構(gòu)形貌，需要對(duì)磁性材料進(jìn)行退磁處理。

2.3 磁敏彈性體的電導(dǎo)率測(cè)試

對(duì)于非導(dǎo)體，激發(fā)產(chǎn)生的二次電子會(huì)積聚在試樣表面，與入射的電子束同性相斥，產(chǎn)生彈性碰撞，使探測(cè)器不易捕獲成像電子，或捕獲到的電子攜帶的信息不準(zhǔn)確而影響成像質(zhì)量。為引導(dǎo)并消除觀察區(qū)域的電子、避免觀測(cè)圖像發(fā)黑或流動(dòng)，需對(duì)試件進(jìn)行噴金處理。MSE由非導(dǎo)體橡膠和導(dǎo)體顆?；旌隙?，其導(dǎo)電性未知，所以需要測(cè)試其電導(dǎo)率，以便確定試件預(yù)處理方案。

用超高電阻微電流數(shù)字測(cè)量?jī)x，測(cè)試羥基鐵粉體積分?jǐn)?shù)為0%～30%的MSE在鏈狀方向的電導(dǎo)率，計(jì)算結(jié)果列于表1。垂直于鏈狀方向的電導(dǎo)率接近純橡膠的電導(dǎo)率，即羥基鐵粉含量0%的MSE。可見，不同規(guī)格的MSE在羥基鐵粉鏈狀方向的電導(dǎo)率皆符合絕緣體電導(dǎo)率的判斷標(biāo)準(zhǔn)，即電導(dǎo)率<10-10（Ω·cm）-1。因此證明MSE為絕緣體，需要對(duì)其進(jìn)行金屬離子真空濺射處理，并粘貼能夠引導(dǎo)電子的導(dǎo)電膠。

2.4 改進(jìn)后的觀測(cè)效果

采用掃描電子顯微鏡測(cè)試退磁后的MSE微觀結(jié)構(gòu)形貌像，在圖6（a）中可以清晰看到直徑5 μm左右的羥基鐵粉，在圖6（b）中可以看到它在橡膠聚合物中的鏈狀分布，說明制備流程正確、工藝參數(shù)合理，優(yōu)化后的測(cè)試方法可以達(dá)到觀察MSE截面微結(jié)構(gòu)形貌的目的。

3 結(jié)束語

通過對(duì)橡膠高分子結(jié)晶現(xiàn)象和低溫脆斷理論的分析，揭示了顆粒包覆過程的結(jié)晶機(jī)理，解釋了液氮脆斷制樣方法無法滿足掃描電鏡對(duì)MSE樣品斷面觀測(cè)的原因。提出了機(jī)械切割和拋光工藝組合方法，得到的樣品截面可滿足掃描電鏡對(duì)MSE表面微結(jié)構(gòu)的表征要求。

對(duì)掃描電鏡工作原理和成像理論進(jìn)行分析，闡述了磁性材料產(chǎn)生的雜散磁場(chǎng)與掃描電鏡磁透鏡的磁場(chǎng)、入射電子束、收集器電壓耦合作用，電磁耦合場(chǎng)使掃描電鏡觀測(cè)形貌像質(zhì)量變差，分辨率下降。根據(jù)絕緣電阻測(cè)試得到含不同體積分?jǐn)?shù)羥基鐵粉的MSE的電導(dǎo)率，確定了金屬離子真空濺射和粘貼導(dǎo)電膠的試樣處理方案。提出了MSE樣品退磁的預(yù)處理方法，優(yōu)化后的測(cè)試方法可以清晰觀察到MSE內(nèi)部顆粒鏈分布形態(tài)，驗(yàn)證了制備流程和工藝參數(shù)。

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（編輯：李妮）