王有為
(華北計算技術(shù)研究所 北京市 100083)
機(jī)載加固計算機(jī)耐瞬態(tài)電壓設(shè)計
王有為
(華北計算技術(shù)研究所 北京市 100083)
機(jī)載加固計算機(jī)是機(jī)載信息系統(tǒng)的重要組成部分。作為用電設(shè)備,機(jī)載加固計算機(jī)需要面臨飛機(jī)供電系統(tǒng)正常、非正常、應(yīng)急、啟動或轉(zhuǎn)換狀態(tài)時的瞬態(tài)電壓沖擊。因此,機(jī)載加固計算機(jī)需要進(jìn)行相應(yīng)的耐瞬態(tài)電壓設(shè)計。本文根據(jù)GJB181的要求,給出一種耐瞬態(tài)電壓的方法,綜合使用了模擬開關(guān)控制電路及瞬態(tài)抑制保護(hù)電路,并將該電路直接集成到模塊化CPCI電源中。
機(jī)載加固計算機(jī);耐瞬態(tài)電壓;GJB181;電源
機(jī)載加固計算機(jī)作為機(jī)載信息系統(tǒng)的重要組成部分,其工作穩(wěn)定性、可靠性十分重要。
結(jié)合GJB181-86的要求,本文耐瞬態(tài)電壓電路設(shè)計要求為:
80V直流輸入、持續(xù)50ms供電條件下,加固計算機(jī)應(yīng)正常工作;9V直流輸入、持續(xù)50ms供電條件下,加固計算機(jī)應(yīng)正常工作;電源最大功率為150W。
針對瞬態(tài)電壓抑制的場合,較為常用的手段是在電源前端加入MOV、TVS等器件進(jìn)行電壓鉗位。該方案的優(yōu)勢是電路簡單,比較易于實(shí)施,但缺點(diǎn)是當(dāng)抑制器件鉗位時瞬態(tài)電流較大,可能對飛機(jī)電網(wǎng)產(chǎn)生一定干擾。
本方案使用了結(jié)合功率MOS管的開關(guān)特性,構(gòu)建了瞬態(tài)電壓保護(hù)電路。MOS管,全名為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成,共有三個管腳G、D、S。通過G、S間施加控制電壓可實(shí)現(xiàn)對D、S端的閉合和斷開。MOS管具有開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),使功率變換實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
如圖1所示。
圖1 耐瞬態(tài)電壓電路原理圖
MOS管選擇了FQA36P15,為P溝道MOS管,其最大持續(xù)通過電流為36A、導(dǎo)通電阻約為76mΩ、耐電壓為150V、關(guān)斷延時為150~320ns。
在圖1中,各部分的設(shè)計方法和步驟如下:
在額定輸入范圍內(nèi),電流流經(jīng)二極管V8/V13/V14、MOS管V9/V15/V16,經(jīng)過濾波給后級電路供電。通過采樣+28V輸出電壓,當(dāng)其低于32V時,采樣之后經(jīng)過R20和R22分壓后與運(yùn)放基準(zhǔn)5腳進(jìn)行比較,其6腳電壓低于5腳電壓2.5V,于是Q2飽和導(dǎo)通,MOS管柵極與地相接,MOS管完全打開,使得輸入電流以最小的損失經(jīng)過MOS管流入后級。
在此過程中,其它幾個器件的狀態(tài)如下:運(yùn)放的2腳電壓高于3腳電壓,使得1腳輸出為低電壓,從而使得Q1進(jìn)入截止區(qū),成為OC狀態(tài),對主控制回路不影響。另外,在額定輸入范圍內(nèi),+28V輸出電壓最高為31.2-1V=30.2V,小于TVS管鉗位電壓33V,TVS管不動作。
輸入最大電流為:
根據(jù)此電流值、電路中最高電壓80V,以及散熱條件,選擇二極管為30CPQ150型號三個并聯(lián),MOS管為三個并聯(lián)。
圖1中,R32/R16、V7起到軟起充電的作用,在額定輸入范圍時,由于電阻的限流作用,電阻不會消耗較大的功率。在額定輸入范圍內(nèi),MOS管完全導(dǎo)通,因此軟起電阻最高承受MOS管兩端電壓,約為0.01V,幾乎不消耗任何電流。
在軟起過程中,由于輸出電壓未達(dá)到運(yùn)放設(shè)定的軟起結(jié)束電壓15.25V,運(yùn)放的1腳輸入高電位,將Q1飽和導(dǎo)通,使得Q9截止,MOS管截止,避免了因啟動電流過大造成MOS管燒壞的情況。此時電流經(jīng)過R32/R16、V7給后級電容充電,充電時間由R32/R16的阻值及支撐電容的容值決定,可用時間常數(shù)進(jìn)行估算:
由于啟動時間較短,軟起電路電阻選用兩個3W電阻并聯(lián)即可。
在軟起結(jié)束時,電容上電壓已被充到15.25V,此時后級電路依然不會工作。經(jīng)過運(yùn)放檢測之后,關(guān)斷Q1,使得Q9在運(yùn)放的作用下飽和導(dǎo)通,從而MOS管開啟,輸入電壓迅速給電容充電,使其達(dá)到輸入電壓減去二極管壓降之后的值。
在輸入過壓浪涌時,其輸入為80V時,首先輸出與輸入同步達(dá)到32V,然后通過運(yùn)放反饋控制,使7腳電壓降低,Q2進(jìn)入線性放大區(qū),使得MOS管柵極電壓上升,MOS管進(jìn)入線性調(diào)整區(qū),MOS管導(dǎo)通電阻增大,從而保證輸出電壓穩(wěn)定在32V。雖然此時MOS管消耗功率增大,但由于持續(xù)時間斷,只有50ms,因此MOS管幾乎不會造成溫升。
在輸入欠壓浪涌時,由于存在二極管單向?qū)ǖ淖饔茫蠹夒娐吠ㄟ^支撐電容釋放儲存的能量。根據(jù)要求,欠壓浪涌持續(xù)50ms,因此可以設(shè)計電容的容值如下:
在最壞情況下,設(shè)定電源從25.2V下降,則輸出電壓從25.2-0.6=24.6V下降,在降至18V前,后級電路可以正常工作。
這段時間電容釋放的能量為:
其中:PTotal按150W計算:
考慮低溫工作環(huán)境,按0.6取降額,約為88916uF,選用33000/35V鋁電解電容27個,約為89100uF,可以滿足要求。
采用上述保護(hù)電路,較之傳統(tǒng),具有電路簡潔、可移植性好等突出特點(diǎn)。目前該電路已成功應(yīng)用于某型飛機(jī)的加固計算機(jī)上,有效地提升了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。該電路也可為同類其他產(chǎn)品所借鑒,發(fā)揮其應(yīng)有的作用。
[1]童詩白,華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社.
[2]《飛機(jī)供電特性及對用電設(shè)備的要求》(GJB181-86)[S].1986.
[3]FQA36P15 datasheet,F(xiàn)airchild Semiconductor.Rev.B.2003,12.
TP302
A
1004-7344(2016)07-0278-01
2016-2-20