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        基于推挽電路的大功率直流電源設(shè)計

        2016-07-02 03:38:43姜艷姝郭東徐興哈爾濱理工大學(xué)自動化學(xué)院黑龍江哈爾濱150080
        電氣傳動 2016年5期

        姜艷姝,郭東,徐興(哈爾濱理工大學(xué)自動化學(xué)院,黑龍江哈爾濱150080)

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        基于推挽電路的大功率直流電源設(shè)計

        姜艷姝,郭東,徐興
        (哈爾濱理工大學(xué)自動化學(xué)院,黑龍江哈爾濱150080)

        摘要:基于PWM控制的推挽式DC-DC直流升壓電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),設(shè)計了一款2 kW大功率直流升壓變換器。該推挽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用2組高頻變壓器并聯(lián)的升壓方式,用1組驅(qū)動信號同時驅(qū)動2個開關(guān)管,轉(zhuǎn)換效率高,對器件的參數(shù)要求不高。最后研制出了額定直流48 V輸入,直流310 V輸出,2 kW功率的DC/DC變換器。通過實驗證明該變換器具有較高的效率與實用價值。

        關(guān)鍵詞:PWM控制;高頻變壓器;開關(guān)管;DC/DC

        開關(guān)型DC/DC變換器采用功率半導(dǎo)體器件作為開關(guān),其功耗小,效率高,轉(zhuǎn)換效率可達(dá)70%~95%。傳統(tǒng)升壓方式通常采用先逆變后升壓的方式,不僅成本高,設(shè)計電路復(fù)雜,而且增加了調(diào)試的難度,輸出的波形質(zhì)量不是很好,而高頻升壓電路則是直接將低壓的蓄電池電壓經(jīng)過DC-DC變換器升高到高壓直流電壓,成本低,轉(zhuǎn)換效率高,輸出電壓穩(wěn)定,波形質(zhì)量好[1]。

        針對48 V直流輸入,310 V直流輸出的2 kW大功率DC-DC變換器,應(yīng)用了一種變壓器原邊并聯(lián)副邊串聯(lián)的拓?fù)?。最后按照要求,研制?臺雙變壓器,大功率的變換器,并對該系統(tǒng)的效率和開關(guān)管的波形進(jìn)行了驗證。

        1 推挽電路的工作原理

        推挽電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,當(dāng)電路處于工作狀態(tài)時其主變壓器的次級繞組產(chǎn)生一對相位互差180°的方波脈沖,脈沖的寬度相同,由主輸出回路的負(fù)反饋控制電路決定,其幅值由輸入電壓以及初次級繞組匝數(shù)比決定。

        圖1 推挽電路結(jié)構(gòu)Fig.1 Push-pull circuit structure

        在推挽電路中,開關(guān)管Q1和Q2由2個相等的脈沖寬度可調(diào),相位互差180°的方波脈沖驅(qū)動,如圖2所示。開關(guān)管在導(dǎo)通期間,柵極驅(qū)動電壓必須足夠大,以便把每個初級端半繞組的開關(guān)端電壓拉低到開關(guān)管飽和導(dǎo)通壓降Vce。所以當(dāng)任意一個開關(guān)管導(dǎo)通時,對應(yīng)的半個繞組上的方波電壓幅值為(Vdc-Vce)。

        圖2 MOSFET驅(qū)動波形Fig.2 MOSFET driver waveforms

        變壓器的次級側(cè)是一個導(dǎo)通時間為Ton,幅值為[(Vds-Vce)(Ns/Np)-Vd]的平頂方波,Vd為整流二極管的正向壓降。

        由于每個周期之內(nèi)都有2個脈沖,所以變壓器副邊的占空比為2Ton/T。輸出電壓Vos的直流或平均電壓為

        將反饋接在電壓輸出端,通過環(huán)路控制Ton的大小,從而實現(xiàn)了輸出電壓的穩(wěn)定[2]。

        2 系統(tǒng)組成結(jié)構(gòu)

        系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)如圖3所示,本設(shè)計由2組對稱推挽電路作為主拓?fù)?、兩變壓器次級繞組串聯(lián)、整流濾波電路、輸入過壓保護(hù)電路、輸入欠壓保護(hù)電路、過流保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、變壓器過熱保護(hù)組成。輸入電壓為48 V的直流電壓,輸出為310 V直流電壓。

        圖3 系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)圖Fig.3 Overall system structure

        開關(guān)管Q1,Q3及Q2,Q42路為1組,在PWM驅(qū)動下交替導(dǎo)通。當(dāng)直流輸入電壓低于42 V時,輸入欠壓保護(hù)電路動作,系統(tǒng)將無法啟動。當(dāng)輸入電壓高于55 V時,芯片自動關(guān)斷,無PWM輸出驅(qū)動MOSFET。為防止電路在開環(huán)狀態(tài)下輸出電壓飆升損壞設(shè)備,該電路設(shè)計了過壓保護(hù)電路,一旦出現(xiàn)系統(tǒng)沒閉環(huán),輸出電壓飆升,芯片自動關(guān)斷PWM輸出。為了防止變壓器在工作過程中發(fā)生異常,電路設(shè)計了過熱保護(hù)與過流保護(hù)。設(shè)計思路是:將NTC熱敏電阻緊貼變壓器磁心部位,當(dāng)變壓器溫度超出正常工作溫度范圍之后,取樣電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較,輸出高電平,關(guān)斷芯片。在變壓器的次級側(cè)串聯(lián)電流互感器,并通過全橋電路轉(zhuǎn)換成電壓,將取樣電壓與設(shè)定值進(jìn)行比較,實現(xiàn)芯片PWM的通斷,有效地保護(hù)了變壓器及各器件。以上各個部分構(gòu)成了系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu),保證了電路的穩(wěn)定,高效,持續(xù)運行。

        3 系統(tǒng)硬件設(shè)計

        該變換器的設(shè)計參數(shù)為:額定直流輸入電壓48 V,輸入電壓范圍42~55 V。輸出額定電壓為直流310 V,輸出最大功率2 000 W,工作頻率42 kHz,輸入輸出隔離。

        3.1DC-DC控制器的設(shè)計

        本次設(shè)計DC-DC控制器采用美國Silicon公司推出的SG3525PWM控制器,該控制器具有雙通道輸出,適用于推挽式電路,每一通道的最大驅(qū)動電流為500 mA,可以直接驅(qū)動MOSFET,其最大工作頻率可達(dá)400 kHz,具有欠壓關(guān)斷,可編程軟啟動等優(yōu)點。SG3525是一款功能齊全,性能優(yōu)良的集成PWM控制器,由于其簡單,可靠,簡化了PWM控制器的設(shè)計及調(diào)試等,因而被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖4所示。

        圖4 SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖Fig.4 SG3525 internal structure diagram

        SG3525內(nèi)部集成了精密基準(zhǔn)電源,誤差放大器,帶同步功能的振蕩器,脈沖同步觸發(fā)器,圖騰柱式輸出晶體管、PWM比較器、軟啟動電路、關(guān)斷電路和欠壓鎖定電路。電路的工作頻率由芯片的振蕩器決定,其公式為

        式中:RT,CT分別為SG3525 6腳與5腳的振蕩電阻和振蕩電容;RD為死區(qū)電阻;fosc為芯片的晶振頻率。

        按照設(shè)計要求選取RT=4.7 kΩ,RD=100 Ω,CT=3.3 nF。代入振蕩頻率公式得fosc≈82 kHz,則開關(guān)頻率為42 kHz。系統(tǒng)接入輸入電壓后SG3525得到正常工作電壓,芯片開始工作。具體的工作過程是:芯片內(nèi)部恒流源對軟啟動電容充電,PWM脈沖逐漸展寬驅(qū)動MOSFET,當(dāng)脈沖寬度達(dá)到最大后,將不再受軟啟動影響,則軟啟動結(jié)束,電路開始正常工作[3]。如果在設(shè)備的工作過程中出現(xiàn)過壓,過流,過溫等現(xiàn)象,則芯片10腳變?yōu)楦唠娖?,PWM信號被終止,電路得以保護(hù)。直到故障被排除,芯片才可再次進(jìn)行軟啟動。

        3.2高頻變壓器的設(shè)計

        該變換器采用的是雙變壓器的形式,將2個變壓器的次級繞組串聯(lián),初級側(cè)繞組分別接輸入電壓,采用相同時序的控制方式。與單變壓器的電路比較,雙變壓器有在輸入電壓一定時,次級側(cè)繞組匝數(shù)減少為原來的一半,初級側(cè)并聯(lián),電流為輸入電流的一半,減小了變壓器的設(shè)計難度。除此之外,開關(guān)管的導(dǎo)通損耗和變壓器的初級銅耗將減為原來的1/4,有效地提高了變換器的效率[4]。

        3.2.1磁芯的選擇

        變壓器的磁芯選擇有2種方法,分別為面積乘積法和查表法。面積乘積法根據(jù)輸出功率、磁通密度變化量、變壓器工作頻率求出窗口有效面積Aw和磁芯截面積Ae的乘積AP。查表法是從電壓調(diào)整率的角度出發(fā),求出幾何參數(shù),再查表求出磁芯編號,本次設(shè)計采用的是面積乘積法【5】。

        利用面積乘積法的計算公式為

        式中:Po為輸出功率,W;ΔB為磁通密度變化量,T;fT為變壓器工作頻率,Hz;K為推挽變壓器中心抽頭,K =0.014。

        本次設(shè)計中輸出功率Po=2 000 W,為防止磁芯飽和選擇最大磁通量B=0.5T,工作頻率ft= 42 kHz。代入數(shù)據(jù)得:

        查詢變壓器參數(shù)表選取TDG的EE59鐵氧體磁芯,

        由上式可知,AP1>AP,可見選取TDG的EE59磁芯留有較大的余量,滿足功率需求。

        3.2.2原副邊匝數(shù)的選擇

        在最小輸入電壓和最大負(fù)載的時候,原邊開關(guān)管的導(dǎo)通時間最長。本次設(shè)計中選擇最大占空比為0.4。

        原副邊電壓關(guān)系式:

        本次設(shè)計中最小輸入電壓為42 V,原邊開關(guān)管導(dǎo)通壓降約為1 V,副邊采用全橋整流,取Vd為2 V,最大占空比為0.4,則匝比為

        確定原邊匝數(shù):

        取原邊匝數(shù)為3匝,則副邊的匝數(shù)為

        副邊匝數(shù)取整為29匝。考慮高頻下導(dǎo)線的趨膚效應(yīng)影響,導(dǎo)線的集膚深度;

        由上式可知采用導(dǎo)線的最大線徑0.732 mm,選取標(biāo)稱直徑為0.75 mm的漆包線。

        3.3整流濾波電路的設(shè)計

        在負(fù)載電流相同的條件下;全波整流的變壓器是2個對稱(包括線圈的圈數(shù)、內(nèi)阻)極性相反的線圈,即一組線圈的始端與另1組線圈的尾端相連,橋式整流的變壓器只用1組線圈。橋式整流的線圈導(dǎo)線截面積為全波整流的2倍。全波整流的線圈繞制工藝高,這是因為,全波整流要求2個線圈要對稱,即圈數(shù)要一致,實際上只能做到盡量一致,橋式整流的繞組只有1組,繞制工藝簡單。橋式整流相對全波整流對整流管的電壓要求低,為全波整流的二分之一。整流效率都為90%。

        綜上所述:橋式整流比全波整流多用了2個整流二極管,而只需繞1個繞組,工藝簡單,而整流二極管又相當(dāng)便宜。所以本次設(shè)計中整流濾波電路由4個型號為STPSC2006CW的MOSFET 和LC濾波電路組成。

        4 測試結(jié)果和分析

        4.1實驗數(shù)據(jù)

        對樣機(jī)的性能做了測試。測試條件:2臺大功率直流電源,輸出電壓可調(diào)范圍1~1 000 V,最大輸出電流40 A。示波器,Tektronix DPO 5054數(shù)字示波器。萬用表,F(xiàn)LUKE 18B。負(fù)載,鋁殼電阻100 Ω,1 000 W。樣機(jī)工作頻率42 kHz,額定輸入電壓48 V,額定輸出電壓310 V,最大輸出功率2 000 W。

        在額定輸入48 V和額定輸出310 V的條件下,對于不同負(fù)載,樣機(jī)工作效率見表1。

        表1 樣機(jī)效率測試數(shù)據(jù)表Tab.1 Prototype efficiency test data tables

        由表1分析可知,變換器在負(fù)載為100 Ω時,變換器效率最高,總體效率趨勢為隨著負(fù)載的加大,變換器效率先上升后下降。

        4.2實驗波形

        如圖5為PWM控制電路產(chǎn)生的2路互補對稱的PWM波形,輸出頻率為42 kHz,占空比為0.45。圖6為變換器在輕載的情況下,2路開關(guān)管Vds的波形,圖7為加載的時候,電壓輸出波形。

        由圖6可以看出開關(guān)管在開通與關(guān)斷的時候尖峰電壓相對比較大,因此在本次設(shè)計中在4個開關(guān)管兩端和變壓器副邊分別加RC吸收回路,消減尖峰電壓,保證變換器穩(wěn)定工作。

        圖5 2路互補PWM驅(qū)動波形Fig.5 Two complementary PWM waveforms

        圖6 帶載時Vds的波形Fig.6 Load cases Vdswaveforms

        圖7 輸出電壓波形Fig.6 Output voltage waveform

        5 結(jié)論

        本文分析了推挽電路的工作原理,設(shè)計了高頻變壓器,完成了樣機(jī)的測試,得出了實驗數(shù)據(jù)和波形,通過實驗結(jié)果分析可知該變換器適用于低電壓輸入,大功率場合,并且效率相對較高。

        參考文獻(xiàn)

        [1]吳建進(jìn),魏學(xué)業(yè),袁磊.一種推挽式直流升壓電路的設(shè)計[J].電氣自動化,2011,33(2):54-56.

        [2]王志強.開關(guān)電源設(shè)計[M].北京:電子工業(yè)出版社,2010.

        [3]李桂丹,高晗瓔,張春喜.基于SG3525的DC/DC直流變換器的研究[J].通信電源技術(shù),2008,25(5):28-30.

        [4]張輝,鄧嘉,馬皓.一種雙變壓器串聯(lián)諧振軟開關(guān)推挽電路[J].電力電子技術(shù),2008,42(6):28-30.

        [5]趙修科.開關(guān)電源中磁性元器件[M].南京:南京航空航天大學(xué)出版社,2004.

        修改稿日期:2015-12-20

        Design a DC Power Supply Based on Two Series Transformer of Push-pull Circuit

        JIANG Yanshu,GUO Dong,XU Xing
        (Automation Institute,Harbin University of Science and Technology,Harbin 150080,Heilongjiang,China)

        Abstract:Based on PWM control of push-pull DC-DC booster circuit system structure,a 2 000 W DC boost converter was designed. The push-pull topology adopted two sets of high frequency transformer in parallel way of booster,with a set of driving signal to drive both switch tube,high conversion efficiency,and the parameters of the request was not too high to the device. Finally 2 000 W DC/DC converter was developed with DC 48 V input,DC 310 V output. Experiments show that the converter has more efficiency and practical value.

        Key words:PWM controller;high-frequency transformer;switching tube;DC-DC

        中圖分類號:TM433

        文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A

        作者簡介:姜艷姝(1971-),女,博士,教授,Email:jiangyanshu@yahoo.com.cn

        收稿日期:2015-09-08

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