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        熱電法在表征渦輪葉片滲鋁硅層厚度中的應(yīng)用

        2016-05-30 03:48:16張海軍趙秀梅段建剛
        航空制造技術(shù) 2016年12期
        關(guān)鍵詞:滲層熱電讀數(shù)

        熊 瑛,張海軍,趙秀梅,段建剛

        (1.沈陽黎明航空發(fā)動(dòng)機(jī)(集團(tuán))有限責(zé)任公司,沈陽 110043;2.中國人民解放軍駐沈陽黎明公司軍事代表室,沈陽 110043)

        作為現(xiàn)代動(dòng)力裝置的各種燃?xì)廨啓C(jī),特別是航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片,燃機(jī)的渦輪葉片,長期承受燃?xì)飧g和高溫的氧化,通常從表面開始破壞,解決這個(gè)問題的主要措施是在合金表面制備防護(hù)涂層[1],以增強(qiáng)發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片服役過程中的耐腐蝕性。滲鋁硅層由于有著良好的抗高溫氧化、抗腐蝕和耐磨性能,廣泛用于渦輪葉片的高溫防腐。通常在渦輪葉片葉身表面滲入一定厚度的鋁硅耐蝕層才能達(dá)到延長葉片使用壽命的目的,但是渦輪葉片位于發(fā)動(dòng)機(jī)高溫處,受高溫氣流的沖蝕,一定時(shí)間后滲鋁硅層不可避免地都會(huì)有一定程度的減薄或局部脫落,失去對(duì)葉片的保護(hù)作用,故發(fā)動(dòng)機(jī)到壽大修時(shí),要求對(duì)分解下的渦輪葉片進(jìn)行滲鋁硅層厚度的檢查工作,以期找到滲鋁硅層不合要求的葉片重新進(jìn)行滲鋁硅處理,達(dá)到對(duì)葉片高溫防護(hù)的要求。

        熱電法是利用材料的熱電性質(zhì)對(duì)不同材料進(jìn)行區(qū)分[2],利用熱電法可以很容易區(qū)分出來不同的金屬,而滲鋁硅層屬于金屬間化合物(半導(dǎo)體)[3],不同的滲鋁硅層成分配比及厚度會(huì)影響熱電材料高溫區(qū)和低溫區(qū)之間的電位差,導(dǎo)致熱電檢查結(jié)果發(fā)生很大的變化,因此弄清熱電法在渦輪葉片滲鋁硅層厚度表征中的應(yīng)用規(guī)律,以便準(zhǔn)確可靠地用熱電法檢查渦輪葉片滲鋁硅層厚度,有非常重要的工程應(yīng)用價(jià)值。

        1 熱電檢測(cè)工作原理

        熱電性是金屬及其合金的主要物理性能之一,它與材料的成份和組織有密切的關(guān)系。把兩種不同的金屬A與B連成一閉合回路(圖1),若兩個(gè)接觸點(diǎn)處的溫度T1和T2不同,則回路中將有一個(gè)電勢(shì)E產(chǎn)生,近而產(chǎn)生熱電流流動(dòng),這個(gè)熱電現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)。

        熱電檢測(cè)的物理本質(zhì)是:A與B兩種金屬互相接觸時(shí),它們之間要產(chǎn)生一個(gè)接觸電勢(shì)。造成電勢(shì)的原因有兩個(gè):一是兩個(gè)金屬有不同的自由電子密度;二是兩個(gè)金屬的電子有不同的逸出功。

        兩種不同金屬所產(chǎn)生的接觸勢(shì)V為:

        式中,VA、VB分別為A及B兩種金屬的逸出電勢(shì);nA、nB分別為A與B金屬的自由電子密度;K是波曼常數(shù);T是絕對(duì)溫度;e是電子的電荷。

        圖1 熱電檢測(cè)原理Fig.1 Principle of thermoelectric detection

        2 試樣的制作

        試樣制作應(yīng)滿足金相測(cè)量和熱電法測(cè)量的要求,故選取工作300h的渦輪葉片和新品葉片作為試樣原料,采用線切割的方法進(jìn)行切割。為驗(yàn)證葉片的結(jié)構(gòu)形狀對(duì)熱電法讀數(shù)的影響,在試樣切割前與切割后分別對(duì)同一位置進(jìn)行熱電測(cè)量,切割前后讀數(shù)一致,說明切割后的試樣可以取代真實(shí)葉片,通過試樣得到的規(guī)律適用于真實(shí)葉片。最終依據(jù)試驗(yàn)方案制備3套試樣為:(1)工作300h的渦輪葉片試樣兩組;(2)新品渦輪葉片試樣3組;(3)工作300h后拋光再滲鋁硅的葉片試樣、工作300h葉片試樣和工作300h拋光的葉片試樣各一組。

        3 試驗(yàn)與討論

        3.1 工作300h的渦輪葉片試樣

        選取某蠟?zāi)L?hào)渦輪葉片切取2個(gè)截面A1、A2,每個(gè)截面各選取11個(gè)位置如圖2所示,保持環(huán)境溫度為25℃,熱電測(cè)量時(shí)熱端探頭與測(cè)量位置成90°,對(duì)每個(gè)位置采用熱電測(cè)量和金相測(cè)量一一對(duì)應(yīng)的方法,得到11個(gè)位置處的熱電勢(shì)值與滲層厚度。A1截面的測(cè)量數(shù)據(jù)見表1,其中滲層厚度為金相讀數(shù)后求平均值所得,繪制滲層厚度與熱電勢(shì)的變化規(guī)律曲線如圖3所示。

        3.2 新品渦輪葉片試樣

        制作 3 片低壓渦輪葉片C1、C2、C3,分別進(jìn)行不同時(shí)間的滲鋁硅處理,其中C1葉片滲鋁硅時(shí)間為70min,C2葉片滲鋁硅時(shí)間為80min,C3葉片滲鋁硅時(shí)間為100min。將C1、C2、C3葉片解剖制作 3 組試樣后,保持環(huán)境溫度為25℃,熱電測(cè)量時(shí)熱端探頭與測(cè)量位置成90°,對(duì)圖4所示截面上7個(gè)位置采用熱電測(cè)量與金相測(cè)量一一對(duì)應(yīng)的方法,得到7個(gè)位置處的熱電勢(shì)值與滲層厚度,其中滲層厚度為金相讀數(shù)后求平均值所得,繪制滲層厚度與熱電勢(shì)的變化規(guī)律曲線如圖5所示。

        圖2 葉片測(cè)量位置選擇示意圖Fig.2 Sketch map of measurement position of blade

        表1 葉片A1截面測(cè)量數(shù)據(jù)

        圖3 工作300h葉片滲層厚度與熱電勢(shì)的規(guī)律曲線Fig.3 Rule curve of thermoelectric potential and layer thickness of blade working 300 hours

        圖4 C1、C2、C3試樣測(cè)量位置示意圖Fig.4 Sketch map of measurement position of C1、C2、C3 samples

        圖5 新品葉片滲層厚度與熱電勢(shì)的規(guī)律曲線Fig.5 Rule curve of thermoelectric potential and layer thickness of new blade

        3.3 3組不同狀態(tài)下的葉片試樣

        在工作300h后拋修再滲鋁硅的葉片試樣、工作300h葉片試樣和工作300h拋光的葉片試樣上各選取7個(gè)位置,如圖6所示,保持環(huán)境溫度為25℃,熱電測(cè)量時(shí)熱端探頭與測(cè)量位置成90°,對(duì)每個(gè)位置采用熱電測(cè)量與金相測(cè)量一一對(duì)應(yīng)的方法,得到7個(gè)位置處的熱電勢(shì)值與滲層厚度,其中滲層厚度為金相讀數(shù)后求平均值所得,繪制滲層厚度與熱電勢(shì)的變化規(guī)律曲線如圖7所示。

        3.4 試樣截面滲層觀察試驗(yàn)及分析

        將新品葉片試樣與工作300h葉片試樣在電鏡下進(jìn)行觀察,并分別在滲層區(qū)域內(nèi)外選擇兩個(gè)位置點(diǎn)進(jìn)行能譜分析,新品葉片試樣對(duì)應(yīng)的能譜成分含量見表2、表3;工作300h葉片試樣對(duì)應(yīng)的能譜成分含量見表4、表5??梢钥闯鰸B鋁硅層內(nèi)層Al元素含量高于外層,內(nèi)層Si元素含量高于外層,其他元素的含量為葉片基體與滲鋁硅原料互擴(kuò)散后引起的(主要元素為基體Ni元素),工作300h后Al元素有一定程度的下降。從滲鋁硅層的成分可以看出,滲鋁硅層基本上以金屬間化合物為主,金屬間化合物的熱電性質(zhì)與成分配比有關(guān),不同的成分配比對(duì)應(yīng)不同的滲鋁硅層厚度,從圖3、圖5、圖7得到的規(guī)律曲線可以看出滲層厚度越大,熱電勢(shì)值越小。

        圖6 3組不同狀態(tài)下的葉片試樣測(cè)量位置示意圖Fig.6 Sketch map of measurement position of blade samples in 3 states

        圖7 3組不同狀態(tài)下的葉片滲層厚度與熱電勢(shì)的規(guī)律曲線Fig.7 Rule curve of thermoelectric potential and layer thickness of blades in 3 states

        表2 外層能譜成分含量(新品葉片)

        表3 內(nèi)層能譜成分含量(新品葉片)

        表4 外層能譜成分含量(工作300h葉片)

        表5 內(nèi)層能譜成分含量(工作300h葉片)

        3.5 熱電法檢測(cè)的影響因素

        3.5.1 熱端探頭與檢測(cè)位置角度變化的影響

        熱電法檢測(cè)葉片表面滲鋁硅層時(shí),采用熱端探頭直接接觸葉片進(jìn)行檢查,熱端探頭與葉片接觸為面接觸,當(dāng)熱端探頭與葉片檢測(cè)位置角度變化時(shí),面接觸的情況會(huì)發(fā)生變化,導(dǎo)致熱電檢測(cè)讀數(shù)產(chǎn)生變化,進(jìn)而帶來檢測(cè)誤差。

        3.5.2 環(huán)境溫度的影響

        由于熱電法本身是利用溫度差形成的熱電勢(shì)來表征不同材料的熱電性質(zhì),故環(huán)境溫度對(duì)熱電儀的準(zhǔn)確讀數(shù)影響較大。為驗(yàn)證環(huán)境溫度對(duì)檢測(cè)的影響,通過改變溫度對(duì)同一試樣的3個(gè)部位進(jìn)行測(cè)量,得到溫度變化對(duì)檢測(cè)讀數(shù)的影響如圖8所示,可以看出隨著溫度升高熱電檢測(cè)讀數(shù)減小。

        3.5.3 零件表面異物的影響

        零件表面存在異物(譬如油層)會(huì)影響材料的熱電性質(zhì)從而影響熱電檢測(cè)結(jié)果,為了驗(yàn)證油層對(duì)熱電檢測(cè)讀數(shù)的影響,對(duì)同一試樣的3個(gè)部位分別在有油層和無油層情況下進(jìn)行測(cè)量,得到油層對(duì)檢測(cè)讀數(shù)的影響如圖9所示,可以看出有油層時(shí)熱電檢測(cè)讀數(shù)變大。

        3.6 熱電法檢測(cè)讀數(shù)的誤差分析

        從熱電法檢測(cè)的影響因素來看,熱電法檢測(cè)讀數(shù)的誤差主要來源于3種原因:(1)熱端探頭與葉片檢測(cè)位置的接觸角度;(2)環(huán)境溫度的波動(dòng);(3)表面異物的影響。為此選取葉片A1截面對(duì)熱電法檢測(cè)誤差進(jìn)行分析,主要進(jìn)行3項(xiàng)試驗(yàn):(1)保持環(huán)境溫度為25℃,在熱端探頭與葉片測(cè)量位置分別成90°、70°、45°情況下進(jìn)行熱電測(cè)量,得到不同角度的熱電勢(shì)值,誤差變化如圖10 所示;(2)在環(huán)境溫度分別為 23℃、25℃、28℃、30℃時(shí)保持熱端探頭接觸面與葉片測(cè)量位置成90°進(jìn)行熱電測(cè)量,得到不同溫度的熱電勢(shì)值,誤差變化如圖11所示;(3)在葉片表面有油層和無油層的情況下,在環(huán)境溫度為25℃時(shí),保持熱端探頭接觸面與葉片測(cè)量位置成90°進(jìn)行熱電測(cè)量,得到不同表面情況下的熱電勢(shì)值,誤差變化如圖12所示。

        圖8 環(huán)境溫度對(duì)熱電儀讀數(shù)的影響Fig.8 Influence of environment temperature on thermoelectric reading

        圖9 油層對(duì)熱電儀讀數(shù)的影響(測(cè)量溫度為30℃)Fig.9 Influence of oil layer on thermoelectric reading(measurement temperature is 30℃)

        圖10 探頭角度變化引起的熱電讀數(shù)誤差Fig.10 Thermoelectric reading error caused by the change of probe angle

        圖11 環(huán)境溫度變化引起的熱電讀數(shù)誤差Fig.11 Thermoelectric reading error caused by the change of environment temperature

        圖12 異物引起的熱電讀數(shù)誤差Fig.12 Thermoelectric reading error caused by foreign matter

        從圖10、圖11、圖12得出:(1)表面異物帶來的誤差在7~8mV左右,因此在葉片進(jìn)行滲鋁硅層熱電檢查前應(yīng)保持葉片表面清潔;(2)環(huán)境溫度波動(dòng)在2~3℃之間時(shí),熱電讀數(shù)誤差在1~2mV左右,因此在葉片進(jìn)行滲鋁硅檢測(cè)時(shí)應(yīng)將環(huán)境溫度的波動(dòng)控制在2~3℃之內(nèi);(3)熱端探頭與葉片檢測(cè)位置的接觸角度相差45°時(shí)熱電讀數(shù)誤差在4~5mV左右,相差20°時(shí)熱電讀數(shù)誤差在1~2mV左右,因此在葉片進(jìn)行滲鋁硅檢測(cè)時(shí)應(yīng)盡可能地保證熱端探頭與葉片檢測(cè)位置垂直。

        4 結(jié)論

        (1)通過上文試驗(yàn)得出了滲鋁硅層熱電檢查的基本規(guī)律,滲鋁硅層厚度越大,熱電儀讀數(shù)越小,但是滲鋁硅層厚度與熱電儀讀數(shù)即熱電勢(shì)并沒有確定的函數(shù)關(guān)系,因此不能直接根據(jù)熱電儀讀數(shù)得出滲層厚度,工程應(yīng)用中必須依據(jù)標(biāo)定的葉片對(duì)比試樣采用熱電法對(duì)滲層厚度的合格與否進(jìn)行當(dāng)量判定。

        (2) 熱電法檢測(cè)讀數(shù)受多種因素影響,檢測(cè)時(shí)易帶來誤差,故在實(shí)際檢測(cè)時(shí)應(yīng)最大限度地控制各種因素帶來的誤差,盡可能地使所有檢測(cè)工作在同一條件下進(jìn)行,方可保證檢測(cè)準(zhǔn)確可靠。

        (3) 熱電法檢查滲鋁硅層的基本規(guī)律可推廣到金屬表面Al-Cr、Cr-Al-Si 和Pt-Al等涂層厚度的檢查,具有很高的工程推廣價(jià)值。

        [1]劉建平,王蔓,王蕊. K488合金滲鋁硅工藝研究[J].熱加工工藝, 2015(2):167-169.LIU Jianping, WANG Man, WANG Rui.Research on aluminized silicon process for K488 alloy[J]. Hot Working Technology, 2015(1):167.

        [2]劉培生.鋁化物高溫防護(hù)涂層的現(xiàn)狀[J].稀有金屬材料與工程,2003,32(9):681-685.LIU Peisheng. The current situation of aluminide protective coatings at high temperatures[J]. Rare Metal Materials And Engineer, 2003, 32(9):681-685.

        [3]關(guān)振鐸,張中太,焦太生.無機(jī)材料物理性能[M].北京:清華大學(xué)出版社,2004.GUAN Zhenduo, ZHANG Zhongtai, JIAO Taisheng. Physical properties of inorganic materials[M]. Beijing:Tsinghua University Press,2004.

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