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        什么是TLC閃存

        2016-04-29 00:00:00藍(lán)色
        個人電腦 2016年1期

        今后SSD市場的發(fā)展趨勢也將會出現(xiàn)TLC閃存漸漸侵占MLC閃存份額的情形,特別是在那些可以MLC/TLC相互切換的3D NAND普及之后,SSD容量會持續(xù)上升,價格則會不斷下降。無論大家現(xiàn)在接受與否,TLC閃存早晚會完全占領(lǐng)低端市場,而MLC依然會憑借性能上的優(yōu)勢不可動搖地屹立在高端市場。

        時至年關(guān),現(xiàn)在又到了閃存類型交替的時候,今年大量的TLC SSD涌向消費(fèi)級市場,三星這個已經(jīng)玩了幾年TLC的就先不說了,SanDisk拿出了Ultra II,東芝旗下的OCZ放出了Trion 100,東芝自己也有Q300,鎂光在11月也推出了BX200參戰(zhàn),海力士雖然沒做自己的TLC SSD,但是賣了不少TLC閃存給下游廠家,至于Intel,它會等到明年3D閃存大批量產(chǎn)時才推出弄自己的TLC SSD。

        今后SSD市場的發(fā)展趨勢也將會出現(xiàn)TLC閃存漸漸侵占MLC閃存份額的情形,特別是在那些可以MLC/TLC相互切換的3D NAND普及之后,SSD容量會持續(xù)上升,價格則會不斷下降。無論大家現(xiàn)在接受與否,TLC閃存早晚會完全占領(lǐng)低端市場,而MLC依然會憑借性能上的優(yōu)勢不可動搖地屹立在高端市場。

        說了這么多可能有的讀者還不清楚TLC到底是什么,今天我們就來簡單的介紹一下。

        一塊SSD由主控、DRAM緩存和NAND閃存三種芯片所組成,主控是SSD的大腦,SSD所做的讀寫動作全部都是它所控制;DRAM緩存則是高速緩沖區(qū),具體作用要看主控的算法而定,有些是用來放LBA表的,有些則是拿來做數(shù)據(jù)緩存的,更有些方案是沒有外置DRAM緩存,只在主控內(nèi)置了小量緩存,這樣做的目的有些是為了數(shù)據(jù)的安全性(如SandForce),有些則是為了降低成本(大多數(shù)入門級主控);NAND閃存則是數(shù)據(jù)存儲的地方,你的數(shù)據(jù)全部都存放在里面。

        SLC、MLC、TLC到底是什么

        NAND閃存的類型有SLC、MLC和TLC這三種,SLC不論性能還是可靠性都是目前最好的,但其成本也是最高的;MLC閃存的性能、可靠性次之。不過,MLC閃存在性能、可靠性與成本之間匹配得更為均衡,是目前消費(fèi)級市場中的絕對主力;TLC則是在2012年之后三星才把它帶入SSD市場的,之前主要是用在U盤以及存儲卡上面,在三星先行了兩年之后,今年其他廠商終于跟上了,大量的TLC SSD開始推向市場。

        SLC是Single-Level Cell的縮寫,即1 bit per cell,其每個存儲單元只存在0和1兩個充電值,它的結(jié)構(gòu)簡單但是執(zhí)行效率高。SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快、功率消耗更低以及存儲單元的壽命更長。然而,由于每個存儲單元包含的信息較少,其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn),由于成本過高SLC的身影基本上只會出現(xiàn)在高端的企業(yè)級SSD上,有些流入到消費(fèi)級平臺上的顆粒大多都是非原封的。

        MLC是Multi-Level Cell的縮寫,即2 bit per cell,它有00、01、10、11四個充電值,因此需要比SLC更多的訪問時間,不過每個單元可以存放比SLC多一倍的數(shù)據(jù)。MLC閃存可降低生產(chǎn)成本,但與SLC閃存相比其傳輸速度相對較慢,從目前市面上的主流產(chǎn)品來看,大多數(shù)消費(fèi)級SSD都使用的是MLC閃存。

        TLC是 Trinary-Level Cell的縮寫,即3 bit per cell,其每個單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù),共有八個充電值。很顯然,TLC閃存所需的訪問時間會更長,因此傳輸速度也相對更慢。TLC閃存的最大優(yōu)勢是價格便宜,它每百萬字節(jié)的生產(chǎn)成本是最低的,但是TLC閃存的壽命短,所以它通常用在U盤或者存儲卡這類移動存儲設(shè)備上。

        TLC閃存的優(yōu)劣勢

        正如前文所述,TLC閃存的優(yōu)勢是容量更大,且成本更低。舉例來說,同樣的晶體管電路做成64Gb的SLC閃存,那么變成MLC、TLC閃存則可以得到 128Gb、192Gb的容量,這對廠商來說無疑大大降低了成本。

        從結(jié)果上來看,各種閃存的物理結(jié)構(gòu)是相同的,但在控制方面卻是一個比一個復(fù)雜,SLC每個Cell能儲存1個數(shù)據(jù),有兩種電位變化;MLC每個Cell能儲存2個數(shù)據(jù),有四種電位變化;而TLC每個Cell可以儲存3個數(shù)據(jù),有8種電位變化。不難發(fā)現(xiàn),MLC和TLC每個Cell單元中有更多的信號,這是通過控制不同的電壓來實(shí)現(xiàn)的,施加不同的電壓就會有更多的電位變化,NAND閃存單元就可以容納不同的信號組合。

        但是,TLC閃存也不是只有光鮮的一面,它帶來的考驗(yàn)也更大。容納的電位多了可以提升容量,但也使得整個電路的處理過程更為復(fù)雜,這需要更精確的電壓控制,Program過程所需的時間會更多。因此TLC閃存的寫入性能也會相應(yīng)的大幅下降,所以現(xiàn)在的TLC SSD都啟用了SLC Cache模式提升寫入速度,否則那個寫入速度是很難讓人接受的;另外,在讀取方面,特別是隨機(jī)讀取性能也會受到一定影響,那么就需要花更多的時間從八種電信號狀態(tài)中區(qū)分所需的數(shù)據(jù)。

        而TLC閃存最關(guān)鍵的問題是閃存顆粒的壽命直線下降,MLC的P/E次數(shù)至少還有3000-5000次,而TLC公認(rèn)的P/E指標(biāo)是1000次,好點(diǎn)的可能做到1500次,依然會比MLC差很多。

        3D NAND閃存——TLC未來的出路

        說了這么多傳統(tǒng)的2D TLC閃存,它們的問題確實(shí)非常的多,其中,有些問題是可以解決的,比如寫入性能差就可以通過SLC Cache的運(yùn)用加以改善,只要設(shè)置一個大容量的緩沖區(qū),用戶很多時候就不會再感覺到寫入速度緩慢,而且SLC Cache用得好還有延長閃存壽命的功效。

        但是有些東西是解決不了的,傳統(tǒng)的2D閃存在達(dá)到一定密度之后每個單元存儲的電荷量會下降,另外相鄰的存儲單元也會產(chǎn)生電荷干擾,尤其是20nm工藝之后,Cell單元之間的干擾現(xiàn)象更加嚴(yán)重,如果數(shù)據(jù)長時間不刷新的話就會出現(xiàn)像之前三星840 EVO那樣的讀取舊文件會掉速的現(xiàn)象。當(dāng)然,三星后來推出了新固件,并改善了算法才解決了這一問題,我們猜測新的固件會定時覆寫舊的數(shù)據(jù),這樣雖改善了讀取舊文件掉速的問題,但很可能會對閃存的壽命帶來一定影響。

        而最新的3D NAND則不再追求縮小Cell單元,而是通過3D堆疊技術(shù)封裝更多Cell單元,這樣同樣可以達(dá)到容量增多的目的。

        由于已經(jīng)向垂直方向擴(kuò)展NAND密度,那就沒有繼續(xù)縮小晶體管的壓力了,所以三星、Intel和美光可以使用相對更舊的工藝來生產(chǎn)3D NAND閃存,使用舊工藝的好處就是P/E擦寫次數(shù)大幅提升,而且電荷干擾的情況也因?yàn)槭褂门f工藝而大幅減少。

        另一方面,未來的3D NAND很可能都會做成可以在MLC與TLC之間相互切換的工作模式,事實(shí)上,現(xiàn)在三星已經(jīng)就這樣做了,850 PRO與850 EVO上的閃存本質(zhì)上都是一樣的,只不過前者是以MLC模式運(yùn)行,而后者則以TLC模式運(yùn)行。如果不出意外,未來Intel與鎂光的3D NAND估計(jì)也會是相似路數(shù)。

        2D的TLC閃存由于各種現(xiàn)實(shí)問題是不會成為主流的,基本上只會有低價入門級的SSD會使用,現(xiàn)在的TLC SSD很多都是試驗(yàn)性產(chǎn)品,但是等到3D TLC大批量產(chǎn)后,它將會成為未來的主力?,F(xiàn)在三星又一次成了探路先鋒,850 EVO就是第一款采用3D TLC的SSD,就我們測試的情況來看,目前還沒有什么大的問題出現(xiàn),若穩(wěn)定性沒問題的話,它將成為未來TLC SSD的標(biāo)桿。

        我們對TLC SSD的購買建議

        對于TLC SSD,消費(fèi)者最擔(dān)心的應(yīng)該就是它的使用壽命,其實(shí)只要用的是原片TLC的話,它的P/E還是有一定保證的,東芝的Q300和OCZ TRION 100用的還是更長壽穩(wěn)定的企業(yè)級eTLC,三星的3D NAND壽命也比普通TLC長得多,所以并不需要太過在意SSD的壽命。

        至于性能方面,相信大家買TLC SSD都不是為了追求高性能,論性能TLC SSD大多數(shù)比不過用MLC的SSD,然而你拿它去和HDD來比的話就不一樣了,TLC SSD的性能再糟糕都肯定比HDD要強(qiáng)得多,用TLC SSD替換緩慢的HDD做系統(tǒng)盤是絕對沒問題的。

        單純考慮性價比的話,現(xiàn)在市面上的各種TLC SSD還是挺不錯的,論價格的話TLC SSD確實(shí)可以做得很低,然而,如果你發(fā)現(xiàn)有的TLC SSD的價格和相同容量的MLC SSD接近,那么它就沒有任何的優(yōu)勢可言了,買它還不如直接去買MLC SSD得了?!?/p>

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