英國(guó)專家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED

英國(guó)雪菲爾大學(xué)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵（GaN）或藍(lán)寶石基材上生長(zhǎng)LED的最新成果。

利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長(zhǎng)的半極性GaN（11-22）上生長(zhǎng)出具有更高量子效益的LED。

相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長(zhǎng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(zhǎng)的藍(lán)位移隨著驅(qū)動(dòng)電流增加而減少。在藍(lán)位移所觀察到的情況也適用在黃綠與黃光LED上，因此，研究人員發(fā)現(xiàn)所生長(zhǎng)的LED存在一種有效抑制量子而限制星炫的效應(yīng)。

研究人員在晶圓上測(cè)得光源輸出隨電流提升而呈線性增加，而其外部量子效率顯示較商用C-Plane LED的效率衰減情況已明顯改善了。電致發(fā)光偏振測(cè)量顯示半極性LED的偏振比約為25%。

研究人員聲稱，初步的結(jié)果顯示，過度生長(zhǎng)技術(shù)是一種更具有潛在成本效益的方法，可在較長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域中實(shí)現(xiàn)高效能的半極性GaN發(fā)射器。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

美科學(xué)家發(fā)現(xiàn)比GaN更出色的新一代功率半導(dǎo)體AlGaN

在新一代功率半導(dǎo)體方面，AlGaN比GaN更出色。這一研究成果是美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（SandiaNationalLaboratories）與美國(guó)Avogy公司聯(lián)名在“APEC2016”上發(fā)表。研究人員Robert J.Kaplar公布了用AlGaN試制的功率元件的特性。

AlGaN與GaN相比帶隙更寬、絕緣破壞強(qiáng)度更高，有望制造出損失比GaN低的功率元件。AlGaN是GaN與AlN的混合晶體。據(jù)Kaplar介紹，從理論上講，AlN的帶隙為6.2eV、絕緣破壞強(qiáng)度為15.9MV/cm，超過分別為3.4eV、3.3MV/cm的GaN。因此，AlGaN與GaN相比帶隙更寬、絕緣破壞強(qiáng)度更高。

Kaplar主要介紹了2種元件的特性。一是在GaN基板上制造的GaNPiN二極管。耐壓為3.9kV，導(dǎo)通電阻僅為1.9mΩcm2。芯片尺寸為數(shù)百μm見方。另一個(gè)是AlGaNPiN二極管。在藍(lán)寶石基板上，用MOCVD法使Al0.3Ga0.7N生長(zhǎng)。作為結(jié)晶缺陷之一的位錯(cuò)的密度為1×1019～2×1019個(gè)/cm2。漂移層厚度為4.3μm，漂移層雜質(zhì)濃度為1016/cm3左右。

耐壓為1.5kV，導(dǎo)通電阻僅為4mΩcm2。芯片尺寸為50μm見方左右。耐壓kV級(jí)的AlGaNPiN二極管據(jù)稱尚為世界首例。根據(jù)此次的結(jié)果推算，Al0.3Ga0.7N的絕緣破壞強(qiáng)度約為4MV/cm，超過了GaN的理論值。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

俄羅斯新開發(fā)超導(dǎo)存儲(chǔ)器讀寫速度提升幾百倍

俄羅斯的科學(xué)家開發(fā)出一種超導(dǎo)存儲(chǔ)器單元的控制系統(tǒng)，只需不到1ns的時(shí)間，就能實(shí)現(xiàn)較當(dāng)今所用的類似存儲(chǔ)器更快幾百倍的讀取與寫入速度。

來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院（MIPT）與莫斯科國(guó)立大學(xué)（Moscow State Univeristy）的科學(xué)家在最近一期的《應(yīng)用物理快報(bào)》中發(fā)表這項(xiàng)研究成果。

這項(xiàng)理論性的研究成果預(yù)測(cè)在復(fù)雜的Josephson Junction超導(dǎo)元件中存在雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。建置這種元件可能需要進(jìn)行超冷卻作業(yè)，使其無法真正落實(shí)于某些應(yīng)用。

由MIPT超導(dǎo)系統(tǒng)量子拓?fù)洮F(xiàn)象實(shí)驗(yàn)室主任Alexander Golubov為首的一支研究團(tuán)隊(duì)，提出了一種在Josephson Junction類型元件中基于量子效應(yīng)的存儲(chǔ)器單元，這是一種“超導(dǎo)體—電介質(zhì)—超導(dǎo)體”結(jié)構(gòu)的夾層，在接合點(diǎn)的一側(cè)包括了鐵磁體和一般金屬的組合。這應(yīng)該是一種可透過橫向注入電流于結(jié)構(gòu)中，從而實(shí)現(xiàn)在2種狀態(tài)（1與0）之間切換的雙穩(wěn)態(tài)。透過電流流經(jīng)該接合點(diǎn)，該系統(tǒng)的狀態(tài)能夠因此實(shí)現(xiàn)非破壞性讀取。

讀取存儲(chǔ)器單元各種不同狀態(tài)時(shí)的超導(dǎo)電流，取決于所使用的材料以及特定系統(tǒng)的幾何結(jié)構(gòu)，所需的讀寫作業(yè)速度預(yù)計(jì)約幾百皮秒。

Golubov解釋，該方法只需要一種磁性層，這表示它可能適應(yīng)所謂的單通量量子邏輯電路，也就是說不必再為處理器建立一種全新的架構(gòu)?；趩瓮苛孔舆壿嫷碾娔X可實(shí)現(xiàn)高達(dá)幾百兆赫的時(shí)脈速度，而且功耗更降低了幾十倍。（電子產(chǎn)品世界）

英國(guó)研究發(fā)現(xiàn)霉菌可以用來制造電池和電容器

88年前，英國(guó)人亞歷山大·弗萊明發(fā)現(xiàn)了青霉素的殺菌作用，如今，英國(guó)敦提大學(xué)教授杰弗里·加德領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，霉菌還可以用來制造電池和電容器。研究人員使粗糙鏈孢菌、氯化錳和尿素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，長(zhǎng)長(zhǎng)的菌絲最后被礦物質(zhì)覆蓋，加熱菌絲后得到二氧化錳等具有理想電化屬性的化合物。研究人員在《當(dāng)代生物學(xué)》半月刊發(fā)表的論文中寫道，與從其他物質(zhì)中提取制造電池和電容器的材料相比，從霉菌中提取是一種更加可持續(xù)的方法。用從霉菌中提取的化合物儲(chǔ)存電能，經(jīng)過200次充電放電循環(huán)后仍能保持90%以上蓄電能力。（新華社）

韓國(guó)研發(fā)出無熒光粉白色LED

韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）物理學(xué)教授研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出制造無熒光粉白色LED的技術(shù)，可望運(yùn)用在次世代照明及顯示器上。

目前白色LED大部分是在藍(lán)色LED結(jié)合黃色熒光粉，或并列多種顏色的LED制造出白色LED。然黃色熒光粉屬稀土類物質(zhì)，必須依賴進(jìn)口，且演色性較低，也有變色的可能性。而組合多種顏色的LED成本較高昂。

KAIST研究團(tuán)隊(duì)為解決此問題，以半導(dǎo)體芯片取代熒光粉。頂部為同心圓模樣的金字塔結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)成復(fù)合結(jié)構(gòu)體。制造出的3D結(jié)構(gòu)體各個(gè)面以不同條件形成量子井（Quantum Wells），各發(fā)出不同的顏色。

研究團(tuán)隊(duì)說明，調(diào)整制造3D結(jié)構(gòu)體的時(shí)間和條件，以改變各結(jié)晶面面積的方法，制造出多元混色的LED。

研究團(tuán)隊(duì)也找到了可使用高倍數(shù)顯微鏡測(cè)量3D結(jié)構(gòu)體內(nèi)部電流注入程度的方法。只要研發(fā)出可有效注入電流的方法，就可調(diào)整LED元件效率和色彩重現(xiàn)度。

研發(fā)團(tuán)隊(duì)表示，未來可透過3D半導(dǎo)體制程研發(fā)改善效率，催生不使用熒光粉的低價(jià)、色彩重現(xiàn)度高的單一芯片白色光源。相關(guān)研究成果刊登在自然雜志Light：Science & Applications在線版。（電子時(shí)報(bào)-臺(tái)）

并木精密攻研鉆石單晶襯底

并木精密寶石株式會(huì)社（Namiki）多年來為全球前5大藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)及襯底加工廠，其部門負(fù)責(zé)人原田裕幸日前在公共場(chǎng)合透露了并木精密寶石在2016-2020年的發(fā)展策略。

同時(shí)面對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，原田表示并木早就領(lǐng)先國(guó)際腳步，將眼光及精力投入更具未來性的鉆石單晶襯底。因鉆石材料相較于碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）材料，有著3倍以上的導(dǎo)熱系數(shù)和擊穿電場(chǎng)，因此以鉆石單晶襯底制作而成的功率半導(dǎo)體器件，相較于以SiC與GaN為襯底的器件，可耐受更高電壓，并且因?yàn)樯峥?，可以省略冷卻系統(tǒng)，對(duì)于功率半導(dǎo)體小型化及更節(jié)能的應(yīng)用發(fā)揮到極致。

并木將逐年提高技術(shù)能力提高產(chǎn)品質(zhì)量，預(yù)計(jì)將于2020年之前完成2寸鉆石襯底的規(guī)?；a(chǎn)，成本將能大幅下降；未來隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求與產(chǎn)品規(guī)格要求日漸提升后，以鉆石襯底為核心的功率器件可望將廣泛應(yīng)用于國(guó)防及風(fēng)力水力發(fā)電站等高端需求之外，在電動(dòng)汽車、鐵路及動(dòng)車等的電動(dòng)機(jī)組上也可望占據(jù)一席之地。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

豐田合成株式會(huì)社推出200lm/W的LED封裝模塊

日本清州的豐田合成株式會(huì)社創(chuàng)造了一個(gè)新的LED封裝——TGWhite30H。該公司表示新的LED封裝產(chǎn)出高達(dá)200lm/W，同時(shí)能保持色彩逼真。一般照明應(yīng)用如燈泡、射燈、燈管、頂燈都可以使用新的LED封裝。該封裝規(guī)格為3.0mm×3.0mm×0.65mm（3030封裝）。

據(jù)報(bào)道，該封裝可以幫助減少照明的整體能耗。表面貼裝的LED元件與藍(lán)光LED模具相結(jié)合。

豐田合成表示，通過改進(jìn)模具和封裝材料，新封裝相比之前的LED封裝更加高效。該封裝將低熱阻和高效率相結(jié)合。該公司表示，熱固性塑料具有更優(yōu)的阻氣性，以提高其可靠性。

3月，200lm/W封裝的樣品（TGWhite30H）將可供使用。此外，豐田合成計(jì)劃發(fā)布的185lm/W封裝（TGWhite30E）成本極具競(jìng)爭(zhēng)力。2016年秋季，該公司打算推出新封裝，經(jīng)過進(jìn)一步的發(fā)展，該封裝將更加高效。（國(guó)家半導(dǎo)體光電產(chǎn)品檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）

恩智浦發(fā)布比圖釘還小的64位ARM處理器

恩智浦半導(dǎo)體已推出了QorIQLS1012A處理器，采用非常小的封裝尺寸，為消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供企業(yè)級(jí)性能和安全性。該芯片是一款64位ARMv8處理器，具有與網(wǎng)絡(luò)分組加速性能和OirIQ架構(gòu)信任的安全能力，典型功耗1W。該芯片所有功能集成到一個(gè)微小的9.6mm×9.6mm封裝尺寸當(dāng)中。

該芯片針對(duì)的是依靠電池運(yùn)行，但需要線速網(wǎng)絡(luò)功能的產(chǎn)品，包括IOT網(wǎng)關(guān)，便攜式娛樂設(shè)備，便攜式存儲(chǔ)設(shè)備等等。這也是針對(duì)基于對(duì)象存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)的第一個(gè)處理器?；趯?duì)象的存儲(chǔ)使用智能硬盤連接到數(shù)據(jù)中心以太網(wǎng)，LS1012A可以直接連接這種以太網(wǎng)，成為以太網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)器。

新的芯片結(jié)合了低功耗64位ARMCortexA53核心和低功耗2Gbps數(shù)據(jù)包加密加速器。它支持雙2.5kM以太網(wǎng)PCIe，SATA3，以及集成PHY的USB3.0。該產(chǎn)品是市場(chǎng)上支持上述功能唯一功耗1W的64位產(chǎn)品。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

我國(guó)研發(fā)光量子集成芯片

前不久，中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所在國(guó)際上首次在氮化硅微環(huán)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了可見光光頻梳。

據(jù)悉，多光子糾纏態(tài)是量子通信、量子計(jì)算和超越經(jīng)典極限的超高分辨率傳感及成像技術(shù)的基石，同時(shí)在探索量子物理基本問題方面有著極為重要的應(yīng)用。特別是大規(guī)模集成的片上糾纏光子源已成為量子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的迫切需求。

而量子通信作為一種絕對(duì)安全的通信方式，可以從根本上解決國(guó)防、金融、政務(wù)、商業(yè)等領(lǐng)域的信息安全問題。同時(shí)國(guó)家層面對(duì)于信息安全空前的重視程度，都促使量子信息成為具有頂層戰(zhàn)略意義的重要領(lǐng)域和發(fā)展方向。在國(guó)家信息安全的戰(zhàn)略背景下，預(yù)計(jì)國(guó)家層面政策和資金投入將持續(xù)向自主領(lǐng)域傾斜。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

北斗導(dǎo)航手機(jī)芯片標(biāo)準(zhǔn)最快有望年底問世

北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)專家委員會(huì)成員、武漢大學(xué)測(cè)繪遙感專家、中國(guó)工程院院士劉經(jīng)南表示，目前武漢導(dǎo)航與位置服務(wù)工業(yè)技術(shù)研究院（以下簡(jiǎn)稱“武漢導(dǎo)航院”）牽頭，和武漢大學(xué)及國(guó)內(nèi)其他相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)合作，正聯(lián)手制定北斗智能手機(jī)高精度定位導(dǎo)航芯片的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，最快有望在今年底問世。

“這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的制定，已通過國(guó)際相關(guān)行業(yè)組織認(rèn)可，被接納為智能手機(jī)等導(dǎo)航高精度服務(wù)型芯片的北斗導(dǎo)航序列標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)內(nèi)容之中?！眲⒔?jīng)南說，該標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)有關(guān)國(guó)際行業(yè)組織認(rèn)證通過后，將成北斗在智能手機(jī)高精度定位導(dǎo)航芯片領(lǐng)域走向市場(chǎng)進(jìn)而走向世界的“通行證”。據(jù)悉，武漢導(dǎo)航院參股的武漢夢(mèng)芯科技有限公司已于去年成功開發(fā)出一款高精度手機(jī)用北斗導(dǎo)航芯片，今年已經(jīng)規(guī)模化量產(chǎn)，即將投放市場(chǎng)。也就是說，與目前常用的美國(guó)的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)GPS（Global Positioning System，全球定位系統(tǒng)）類似，也許用不了多久，北斗導(dǎo)航系統(tǒng)也將成為世界范圍內(nèi)智能手機(jī)的“標(biāo)配”。

目前，北斗大眾應(yīng)用市場(chǎng)主要集中在手機(jī)位置服務(wù)和車輛應(yīng)用2大細(xì)分市場(chǎng)。當(dāng)前，我國(guó)這一市場(chǎng)還處于標(biāo)配化應(yīng)用啟動(dòng)期，今后在北斗應(yīng)用市場(chǎng)中占比將會(huì)最大。數(shù)據(jù)也顯示，從全球范圍看，個(gè)人終端和車輛導(dǎo)航占衛(wèi)星導(dǎo)航市場(chǎng)的60%以上。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路行業(yè)分會(huì)）

中科院研發(fā)出“寒武紀(jì)”神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器

日前，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱“中科院計(jì)算所”）發(fā)布全球首個(gè)“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”處理器科研成果，今年年內(nèi)，這項(xiàng)成果將正式投入產(chǎn)業(yè)化，在不久的未來，反欺詐的刷臉支付、手機(jī)圖片搜索等都將成為現(xiàn)實(shí)。

課題組負(fù)責(zé)人之一、中科院計(jì)算所副研究員陳天石說，“人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”從70多年前提出發(fā)展至今，計(jì)算系統(tǒng)的運(yùn)算能力提升成為關(guān)鍵，而這種提升正是作為技術(shù)支撐的處理器爆炸式發(fā)展的結(jié)果。目前，谷歌“阿法狗”使用的處理器是在其他領(lǐng)域通用的CPU處理器。

據(jù)陳天石介紹，課題組團(tuán)隊(duì)已開始著手進(jìn)行科研成果的產(chǎn)業(yè)化，今年年內(nèi)就將正式啟動(dòng)。未來應(yīng)用瞄準(zhǔn)企業(yè)、科研院所等高性能服務(wù)器、高效能終端芯片、機(jī)器人芯片3大領(lǐng)域。比如手機(jī)拍照就知道這個(gè)人是誰；對(duì)眾多視頻按類別或喜好進(jìn)行智能歸類；“刷臉”支付也不成問題；圖片搜索也可成為現(xiàn)實(shí)，只要路邊隨便拍下一棵樹，就可以搜索到這棵樹的所有資料，而不僅僅局限于現(xiàn)在的文字搜索。陳天石說，未來的服務(wù)既包括民生，也包括國(guó)家重大需求。（人民網(wǎng)）

海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展將成新常態(tài)

長(zhǎng)期以來，我國(guó)大陸在一些高附加值的芯片領(lǐng)域幾乎全部依賴進(jìn)口，2015年內(nèi)資和外資企業(yè)共計(jì)消費(fèi)1 450億美元的各類芯片，但中國(guó)大陸芯片行業(yè)的供給率僅在10%左右徘徊。究其原因還是核心技術(shù)受制于人，缺乏關(guān)鍵技術(shù)人才和領(lǐng)軍企業(yè)，致使設(shè)計(jì)能力較為薄弱，多為替國(guó)外廠商代工生產(chǎn)，進(jìn)出口仍以“外商投資+加工貿(mào)易”的模式為主，大量產(chǎn)品需要出口到海外進(jìn)行再設(shè)計(jì)和加工，產(chǎn)品附加值較低，企業(yè)利潤(rùn)空間狹窄。隨著全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入成熟期，在《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推動(dòng)下，大陸集成電路產(chǎn)業(yè)必將獲得前所未有的發(fā)展。然而，大陸集成電路企業(yè)光靠自身的有機(jī)成長(zhǎng)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，還需加大對(duì)外合作，通過收購兼并方式，破除知識(shí)產(chǎn)權(quán)封鎖，規(guī)避國(guó)際巨頭的“專利圍剿”，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的跨越發(fā)展。在這場(chǎng)彎道或變道超車的浪潮中，海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)的合作發(fā)展將成新常態(tài)。（中國(guó)電子報(bào)）

康得新3 500萬美元投資美國(guó)半導(dǎo)體公司Ostendo

3月7日，江蘇康得新復(fù)合材料股份有限公司公告，全資子公司康得新光電擬以自有資金3 500萬美元，以合作設(shè)立專項(xiàng)投資基金的形式投資美國(guó)Ostendo公司。

據(jù)公告披露，Ostendo公司是光用半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先創(chuàng)新者。鑒于Ostendo公司在世界Micro-LED芯片、光場(chǎng)顯示領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先地位，投資Ostendo公司使康得新在VR/AR、全息技術(shù)領(lǐng)域領(lǐng)先全球，進(jìn)一步完善康得新新型顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)布局和生態(tài)鏈建設(shè)，為康得新長(zhǎng)期持續(xù)健康快速發(fā)展提供了重要的保障。

康得新通過專項(xiàng)基金投資之后，將不直接參與Ostendo公司的日常經(jīng)營(yíng)和管理。本次投資短期內(nèi)不會(huì)對(duì)康得新正常生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)和業(yè)績(jī)帶來重大影響，也不會(huì)影響康得新的業(yè)務(wù)獨(dú)立性。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

國(guó)家存儲(chǔ)器基地落地武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)

傳聞許久的國(guó)家存儲(chǔ)器戰(zhàn)略方案最終定案，由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國(guó)開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地即將落地武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)。項(xiàng)目總投資將達(dá)240億美元。3月28日在武漢東湖存儲(chǔ)器基地舉行啟動(dòng)儀式。

從投資規(guī)模來看，這次國(guó)家存儲(chǔ)器大戰(zhàn)略中的產(chǎn)能規(guī)模預(yù)計(jì)20萬～30萬片（按照10k產(chǎn)能，2DNAND-3DNAND約7億～9億美元的投資預(yù)估），而主要產(chǎn)品也并非之前傳言的主要發(fā)展DRAM方案，而是重點(diǎn)發(fā)展3DNAND，兼具一些2DNAND和DRAM產(chǎn)品。據(jù)悉，該項(xiàng)目技術(shù)以自研為主，其他關(guān)鍵技術(shù)來源目前還處于談判階段，可能合作的對(duì)象包括美光、IMEC等企業(yè)和機(jī)構(gòu)。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

中信國(guó)安盟固利投資天津10億元建3萬t正極材料生產(chǎn)線

近日，中信國(guó)安盟固利鋰離子動(dòng)力電池正極材料項(xiàng)目簽約儀式在天津?qū)氎媾e行。中信國(guó)安信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司董事、總經(jīng)理孫璐說，隨著京津冀協(xié)同發(fā)展重大國(guó)家戰(zhàn)略的深入實(shí)施和“高鐵時(shí)代”的到來，寶坻的區(qū)位、交通等優(yōu)勢(shì)日益明顯，正在成為投資沃土、興業(yè)寶地。將搶抓有利時(shí)機(jī)，盡快啟動(dòng)項(xiàng)目建設(shè)，爭(zhēng)取早投產(chǎn)、早見效，在融入和服務(wù)寶坻發(fā)展中做大做強(qiáng)。

中信國(guó)安盟固利鋰離子動(dòng)力電池正極材料項(xiàng)目落戶在九園低碳示范工業(yè)園區(qū)，計(jì)劃總投資15億元。達(dá)產(chǎn)后，年可生產(chǎn)鋰電池正極材料3萬t、產(chǎn)值40億元。（中國(guó)化學(xué)與物理電源行業(yè)協(xié)會(huì)）