與處理器技術相比，大容量存儲器和接口方面的新技術進步更大。

固態(tài)硬盤自推出以來，其容量和速度的增長一直非常迅速，直到驅動器開始受制于SATA接口極限速度（略低于600MB/s）的影響。為突破這一瓶頸，固態(tài)硬盤技術需要引入新的接口和協議。從Haswell-E開始到現在大眾市場的Skylake架構平臺，現在可以通過這兩個平臺4個速度高達4GB/s的PCI-E 3.0通道連接新的M.2固態(tài)硬盤和PCI-E插卡式的固態(tài)硬盤，徹底解決固態(tài)硬盤接口瓶頸的問題，讓固態(tài)硬盤的速度完全取決于數據載體的存儲技術。目前，要使用M.2（PCI-E 3.0）接口的固態(tài)硬盤，可以選擇配備英特爾Z170和H170芯片組的主板。

如果我們正處于選購階段，那么必須留意這個新的技術，因為它同時也是未來使用NVMe固態(tài)硬盤的先決條件。NVMe是一個針對閃存和多核處理器進行優(yōu)化的傳輸協議，因而，它可以提供更好的性能，雖然部分的性能提升未必能夠在私人電腦上被利用。目前，Windows 8.1和Windows 10已經提供NVMe驅動程序，在NVMe協議下，多個固態(tài)硬盤可以組合成一個存儲池，像一個驅動器一樣地使用。

除了內部接口之外，使用外部接口的設備也同樣不能錯過新的接口：USB 3.1和C型USB插座。前者是USB標準的最新版本，可以使用后向兼容的插座，以GB級的速度（1.25GB/s）傳輸數據，其數據傳送操作比USB 3.0快兩倍。而C型USB插座是一種新的連接器，使用這種插座不需要識別插頭的正反面，只需要插入即可正常使用。此外，一個C型USB插座可以提供更高的功率（100W），可以非常迅速地為移動設備充電。

采用新技術的驅動器

每一個新的電腦都必須配備一個最小250GB的固態(tài)硬盤作為系統驅動器，而使用3D-NAND技術的固態(tài)硬盤是目前最佳的選擇，這種固態(tài)硬盤可靠而且價格低廉：使用3D-NAND技術的固態(tài)硬盤存儲單元采用堆疊式的結構，而不像普通固態(tài)硬盤一樣存儲單元并排平躺著。在絕緣層較厚的情況下，不僅能夠更快速地執(zhí)行讀取和寫入操作，而且使用壽命也更長。目前，三星的850 Evo和850 Pro都屬于這種類型的固態(tài)硬盤，最新的950 Pro也是，并且它結合了3D-NAND、NVMe、M.2等多種技術。

對于機械硬盤來說，容量是非常重要的，而傳統的技術已經很難進一步提升容量，為此，制造商希望通過兩種方式來突破物理限制：第一種是疊瓦式磁記錄技術，通過縮小磁道并將磁記錄如同瓦片一樣重疊的方式提升容量，希捷采用這一技術的硬盤容量可達8TB，但重寫磁道的速度相對緩慢。其次是填充氦硬盤，氦氣的低流阻能夠支持更精細的驅動機構，硬盤不僅可以更大，還可以更快，但是充氦硬盤的外殼成本極高。