李嵩 溫雅 王彬
摘 要:針對1.9μm激光器端面泵浦Ho:YAG晶體熱效應的研究現(xiàn)狀,模擬研究Tm抽運Ho:YAG激光器溫度分布,分析晶體參數(shù)、泵浦參數(shù)等對Ho:YAG晶體熱效應的影響。采用相應熱傳導方程及熱轉換系數(shù)結合邊界條件,利用數(shù)值模擬方法分析晶體棒內溫度分布。掌握Ho:YAG激光器內溫度及熱效應的變化規(guī)律,為熱效應補償和諧振腔的設計提供依據(jù),促進高重頻、高光束質量、穩(wěn)定性高的Ho:YAG激光器的發(fā)展。
關鍵詞:1.9μm Ho:YAG晶體 熱效 模擬
中圖分類號:G64 文獻標識碼:A 文章編號:1674-098X(2015)10(a)-0151-02
在端面抽運HO:YAG激光器中,使用1.9μm Tm:YLF激光器進行端面抽運。這種激光器熱效應小,轉換效率高,便于取得好的光束質量,在激光雷達、醫(yī)用手術刀等各個領域有著廣泛的應用。2009年,德國S.Wang等人研究了脈沖端面抽運Nd:YAG激光器的熱效應[1],采用分離變量法求解了含時二維熱傳導方程,數(shù)值模擬了晶體徑向的溫升情況,通過熱致光程差求得含時熱透鏡焦距表達式,模擬出熱透鏡焦距隨時間的變化。2011年3月,哈爾濱工業(yè)大學張新陸等人研究了連續(xù)端面抽運Tm,Ho:YLF激光器的熱效應[2],根據(jù)能量傳遞過程,給出了Tm,Ho共摻系統(tǒng)適用的熱轉換系數(shù)表達式,并結合速率方程對其求解,從晶體中心與邊緣處光程差出發(fā),得到熱焦距表達式。
目前研究端面抽運摻Ho晶體熱效應,可以實現(xiàn)基于空間域二維、三維穩(wěn)態(tài)熱傳導方程,數(shù)值模擬得出晶體溫度分布,同時掌握Ho:YAG激光器內溫度及熱效應的變化規(guī)律,為熱效應補償和諧振腔的設計提供依據(jù),促進高重頻、高光束質量、穩(wěn)定性高的Ho:YAG激光器的發(fā)展。研究方法為:采用相應熱傳導方程及熱轉換系數(shù)結合邊界條件,利用數(shù)值模擬方法分析晶體棒內溫度分布。
1 理論模型
1.1 單端泵浦Ho:YAG晶體模型建立
基于1.9μm激光器單端抽運Ho:YAG激光晶體的實際工作過程,我們建立了晶體四周恒溫,兩端面對流冷卻的各向異性方形端面Ho:YAG晶體的熱模型;如圖1所示是熱模型簡圖。
r,z分別為徑向和軸向坐標,b為棒半徑。L為晶體長度。當抽運光通過激光晶體端面中心時,采用封閉冷卻循環(huán)水控制激光晶體側面溫度,同時晶體兩端面與周圍環(huán)境進行對流冷卻。
對于1.9μm激光器單端抽運Ho:YAG激光晶體,在直角坐標系下建立穩(wěn)態(tài)熱傳導方程如下:
(1)
初始條件和邊界條件分別為:
,
,
, (2)
其中,這里T為溫度,t為時間,k為晶體熱導率,ρ為晶體密度,c為晶體比熱容,為初始溫度,和分別為介質的前表面和后表面,為外界空氣的溫度,為介質和空氣的對流換熱系數(shù),為冷卻劑的溫度,為介質和冷卻裝置的對流換熱系數(shù),b為激光晶體介質的半徑,q為內熱源強度。
抽運光在激光棒中傳輸時,光能逐漸被吸收,導致在棒不同點處熱沉積不同[3]。入射到棒鍵合面(z=a面)的光束,其高斯光強分布表達式為:
(3)
聚焦后光斑半徑可表示為:
(4)
進而連續(xù)高斯抽運光在晶體內的熱源函數(shù)為:
(5)
這里p為1.9μm激光器發(fā)出的抽運光總功率,η為耦合效率,α為介質的吸收系數(shù),l為介質長度,為束腰半徑,θ為發(fā)散角,為束腰位置,γ為由熒光量子效應和內損耗決定的熱轉換系數(shù),表示吸收的抽運光中轉化為熱能的份額。抽運光斑半徑為0.4mm,抽運功率為80w,熱轉換系數(shù)為0.32,吸收系數(shù)為0.085 mm-1,發(fā)散角為0.22 mrad,偶和效率為80%,晶體長度20 mm,晶體半徑5 mm。改變其中一個參數(shù),固定其它參數(shù),進行模擬。
通過上述模型的建立和模擬參數(shù)的選取,接下來對單端泵浦Ho:YAG激光器進行熱模擬分析。
2.2 1.9μm激光器單端泵浦Ho:YAG晶體熱功率變化模擬分析
利用公式(5)對1.9μm激光器單端抽運Ho:YAG激光器晶體中心處熱功率密度隨抽運光斑半徑的變化進行了模擬,抽運光版半徑為變化的。圖2所示整體規(guī)律呈曲線型,隨抽運光斑半徑的增加,Ho:YAG晶體中心熱功率密度整體降低;在抽運光斑半徑為0.45 mm以后,熱功率密度逐漸趨于穩(wěn)定。光斑半徑為0.45 mm時,熱功率密度約為8.5W/mm3。由此得出,熱源影響晶體溫度程梯度分布,充分考慮熱源能有效提高激光效率,隨著抽運光斑增大,熱功率密度降低,可以加大注入泵浦功率,提高Ho激光器出光功率的穩(wěn)定性。
圖3所示整體規(guī)律呈直線型遞增,隨耦合效率的增加,Ho:YAG晶體中心熱功率密度也隨之增加;耦合效率越高,耦合進入晶體的光的能量越高,轉化的熱就越多。此圖反應了固定條件下,不同耦合效率下晶體中心的熱功率密度的變化情況。當耦合效率為0.8時,熱功率密度為9 W/mm3 。
如圖4所示,整體規(guī)律呈e指數(shù)曲線型,晶體長度從8mm之后隨晶體長度的增加,Ho:YAG晶體內熱功率密度逐漸趨于平穩(wěn),熱功率密度基本保持不變,約為40 W/mm3。晶體的每一段距離都分擔一定的功率,因此晶體越長吸收的功率越多,熱功率越低;因此為了降低熱功率密度,晶體長度的選擇應該大于8mm。
如圖5所示,整體規(guī)律呈遞增趨勢,隨晶體吸收系數(shù)的增加,Ho:YAG晶體中心熱功率密度隨之遞增;當吸收系數(shù)為0.07 mm-1時,熱功率密度約為7.7W/mm3。要想獲得一定的激光增益,要求參雜濃度要達到一定的值,摻雜濃度越高,激活離子越多,增益越大,出光功率越高;摻雜濃度越高,對應的吸收系數(shù)越大,與此同時熱功率密度越大,而熱功率密度過大不利于激光器散熱,不利于提高激光器的工作效率,因此摻雜濃度要在一定范圍取值,結合激光器最終的實現(xiàn)目的實際情況來選取。
2 結語
該文針對1.9μm激光器端面泵浦Ho:YAG晶體熱效應的研究現(xiàn)狀,主要模擬研究Tm抽運Ho:YAG激光器熱功率密度的變化情況,分析晶體參數(shù)、泵浦參數(shù)等對Ho:YAG晶體熱效應的影響。
在上述工作條件下,1.9μm激光器單端抽運Ho:YAG激光晶體隨抽運光斑半徑的增加,晶體中心熱功率密度整體降低;隨晶體耦合效率的增加,Ho:YAG晶體中心熱功率密度整體呈直線型遞增;耦合效率越高,耦合進入晶體的光的能量越高,轉化的熱就越多。隨晶體長度的變化整體規(guī)律呈e指數(shù)曲線型,晶體長度從8 mm之后晶體內熱功率密度逐漸趨于平穩(wěn),熱功率密度基本保持不變,因此為了降低熱功率密度,晶體長度的選擇應該大于8 mm。隨晶體吸收系數(shù)的增加,晶體中心熱功率密度隨之遞增。通過模擬圖像來看,未來做大功率的Ho:YAG激光器時,隨著熱功率的大幅度提高,產(chǎn)生的熱是不可忽視和忽略的。因此掌握Ho:YAG激光器內溫度及熱效應的變化規(guī)律是有必要的。
參考文獻
[1] S.Wang,H.J.Eichler,X.Wang,et al.Diode end pumped Nd:YAG laser at 946 nm with high pulse energy limited by thermal lensing.Appl Phys B,2009,95(4): 721-730.
[2] 彭宇鋒.二極管端面抽運Tm,Ho:YLF固體激光器熱效應的研究[D].哈爾濱工程大學,2011.
[3] 張帥一,黃春霞,于果蕾,等.激光二極管端面抽運激光晶體的熱效應.中國激光,2008,35(3):333-337.