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        置氫α鈦幾何與能量的第一性原理研究

        2015-12-31 11:49:04魏圣泉鄭玉斌王玉潔袁寶國(guó)
        精密成形工程 2015年1期
        關(guān)鍵詞:晶胞晶格鈦合金

        魏圣泉,鄭玉斌,王玉潔,袁寶國(guó)

        (合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,合肥 230009)

        鈦合金由于其優(yōu)異的力學(xué)性能以及耐高溫、抗腐蝕性強(qiáng)等特點(diǎn),在航空航天領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1—3]。長(zhǎng)久以來(lái),氫元素的富集一直被認(rèn)為是導(dǎo)致鈦合金發(fā)生氫脆的主要原因;而近年來(lái)的研究發(fā)現(xiàn),適當(dāng)含量的氫,可以改變鈦合金的顯微組織,從而改善鈦合金的加工性能[4]。如1959年西德學(xué)者Zwiecker和Schleicher發(fā)現(xiàn),適當(dāng)含量的氫有利于改善鈦合金熱壓力加工性能;李曉華[5]發(fā)現(xiàn)一定含量的氫可以明顯減小鈦合金的高溫變形流變應(yīng)力,如氫含量為0.3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),流變應(yīng)力峰值降低36% ~60%,變形溫度降低50℃。

        基于密度泛函理論的第一性原理是基于體系的哈密頓量,通過(guò)求解多粒子體系的薛定諤方程來(lái)研究體系的電子結(jié)構(gòu)[6]。劉林飛[7]等人借助第一原理贗勢(shì)平面波的方法,計(jì)算出了C,N,O在α鐵中的擴(kuò)散激活能,得出的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)的誤差小于6.2%;尚家香[8]等人通過(guò)第一性原理方法研究了氫原子在B2-NiAl和Cr合金中的占位以及對(duì)鍵合作用的影響,預(yù)測(cè)H在B2-NiAl/Cr體系中主要占據(jù)Cr的四面體間隙位置。

        本研究采用第一性原理方法對(duì)Ti-H體系的幾何結(jié)構(gòu)和電子能量進(jìn)行計(jì)算,研究不同氫含量對(duì)Ti-H體系結(jié)構(gòu)和能量變化的影響。

        1 計(jì)算模型和方法

        1.1 計(jì)算模型

        鈦具有2種同素異形體,在882.5℃以下為密排六方結(jié)構(gòu)(hcp)的α鈦晶體;882.5℃至熔點(diǎn)間為體心立方結(jié)構(gòu)(bcc)的β鈦晶體??紤]到鈦的實(shí)際應(yīng)用,只取α鈦為研究對(duì)象,α鈦的理論晶格常數(shù)為:a=b=0.295 06 nm,c=0.464 78 nm,α=β=90°,γ =120°,空間群為 P63/MMC。采用超晶胞(Supercell)方法構(gòu)建了α鈦和氫物質(zhì)的量比分別為16∶1,12∶1,8∶1,6∶1,16∶3 的鈦氫結(jié)構(gòu)模型,其中氫原子占據(jù)了α鈦的八面體間隙位置,對(duì)應(yīng)氫含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))分別為 0.13%,0.1733%,0.2597%,0.3460%,0.3891%,理論模型見(jiàn)圖1。

        圖1 H原子位于八面體間隙的α-Ti-H晶體結(jié)構(gòu)模型Fig.1 Crystal structure models of α-Ti-H with one H atom at octahedral site

        1.2 計(jì)算方法

        所有計(jì)算均在基于密度泛函理論(DFT)的第一原理量子力學(xué)軟件CASTEP(cambridge sequential total energy package)中進(jìn)行。第一性原理又稱(chēng)從頭計(jì)算,不需要任何經(jīng)驗(yàn)參數(shù),只需一些必要的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù),通過(guò)求解多粒子系統(tǒng)的薛定諤方程來(lái)精確獲得體系的結(jié)構(gòu)與能量信息。首先通過(guò)絕熱近似(波恩-奧本海默近似)[9]將電子和原子核運(yùn)動(dòng)分離,進(jìn)而把多粒子體系轉(zhuǎn)化成多電子系統(tǒng);再利用Hartree-Fock方程與密度泛函近似理論,提出每個(gè)電子周?chē)幍膭?shì)場(chǎng)可以看成等效勢(shì)場(chǎng),體系的能量由電子密度值唯一確定,這樣就將多電子體系轉(zhuǎn)化成了單電子體系;在上述近似的基礎(chǔ)上,Kohn和Sham于1965年提出了一套用于求解多粒子系統(tǒng)能量與結(jié)構(gòu)的Kohn-Sham方程,如式(1)所示。

        式中:E[ρ]為體系能量,由體系的電子密度確定,公式右側(cè)第1項(xiàng)代表體系的動(dòng)能,第2項(xiàng)代表電子在相同局域勢(shì)Vext下受到的外勢(shì)場(chǎng)影響,第3項(xiàng)是體系電子之間的庫(kù)倫排斥項(xiàng),第4項(xiàng)表示電子直接相互作用的交換關(guān)聯(lián)項(xiàng)[10]。Kohn-Sham方程將具有相同粒子數(shù)密度且無(wú)相互作用的粒子動(dòng)能T0[ρ]替代T[ρ],把T[ρ]和T0[ρ]兩者之間的誤差部分轉(zhuǎn)移到交換關(guān)聯(lián)項(xiàng)Exc[ρ]中。1965年W.Kohn和L.J.Sham提出用均勻電子氣的交換關(guān)聯(lián)能密度來(lái)代替非均勻的交換關(guān)聯(lián)能密度,即所謂的局域密度近似(LDA):Exc[ρ]=∫εxc[ρ(r)]ρ(r)dr,該近似得到的模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)值高度吻合,在計(jì)算科學(xué)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用[11]。1986年,J.P.Perdew和K.Burke在LDA近似的基礎(chǔ)上提出了廣義梯度近似(GGA)[12],即交換關(guān)聯(lián)項(xiàng)不僅與空間一點(diǎn)的局域密度(LDA)相關(guān),還與電子附近的密度相關(guān),即關(guān)聯(lián)于電子的密度梯度,GGA近似的表示方程如下:,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常采用的交換關(guān)聯(lián)勢(shì)有PW91,PBE,Beeke,RPBE等。

        基于上述理論基礎(chǔ),采用周期性邊界條件,用平面波基組展開(kāi)多電子體系,Kohn-Sham方程中的外部勢(shì)Vext采用超軟贗勢(shì)(USP)表示,交換關(guān)聯(lián)能運(yùn)用GGA下的PW91泛函近似,平面波截止能量精度設(shè)為Precise并調(diào)高Ecut為360 eV,布里淵區(qū)K點(diǎn)取值精度為Fine級(jí)別(3×5×5)。采用BFGS算法對(duì)電子體系進(jìn)行幾何優(yōu)化,收斂條件設(shè)置如下:原子總能量收斂值為5.0×10-6eV/atom,原子的最大位移偏差值為5.0×10-4nm,原子的最大受力值小于0.01 eV/atom,最大應(yīng)力值小于0.02 GPa。

        2 計(jì)算結(jié)果與討論

        2.1 置氫對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響

        將不同氫含量的α鈦超晶胞完全弛豫,穩(wěn)態(tài)后的晶格參數(shù)如表1所示。圖2是不同氫含量時(shí)α Ti-H的體積、體積膨脹率變化情況。在Ti晶格的八面體間隙位置引入的H原子使Ti晶格發(fā)生畸變,隨著氫含量的增加,晶胞的平衡常數(shù)a,b,c均有一定程度的增大,同時(shí)置氫后α鈦的體積與體積膨脹率變大,說(shuō)明置氫加速了α Ti-H的晶格畸變。如置氫量為 0.3891%時(shí),α鈦的膨脹率最大,達(dá)到1.8687%。比較不同氫含量α Ti-H的晶體結(jié)構(gòu)可以發(fā)現(xiàn),在低氫濃度(Ti∶H=12∶1)時(shí)晶胞保持密排六方(hcp)結(jié)構(gòu),較高氫濃度時(shí)變?yōu)樯晕⑴で拿芘帕浇Y(jié)構(gòu),體積膨脹導(dǎo)致畸變能增大,當(dāng)氫濃度達(dá)到一定的限度時(shí),晶胞結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定,容易生成更為穩(wěn)定的Ti-H化合物[13]。

        圖2 氫含量對(duì)α-鈦體積及體積膨脹率的影響Fig.2 Effect of the hydrogen content on the volume(a)and on the volume expansion rate(b)of α-titanium crystal

        表1 α鈦晶體的晶格常數(shù)計(jì)算結(jié)果Table 1 Calculated results of lattice constants of α-Ti

        2.2 雜質(zhì)形成能

        為了討論不同濃度的氫原子在α鈦晶胞中的占位穩(wěn)定性,分別計(jì)算了氫在Ti中的雜質(zhì)形成能,雜質(zhì)形成能采用式(2)計(jì)算。

        式中:Eimp為雜質(zhì)形成能,X表示Ti,H表示氫原子,Etot(X-H)表示包含氫原子在內(nèi)的α鈦體系總能量,Etot(X)表示純Ti體系總能量,Etot(H)表示一個(gè)氫原子的總能量[14]。經(jīng)計(jì)算,自由Ti原子和H原子的能量分別為-1601.012 eV和-13.310 eV,鈦氫物質(zhì)的量比為16∶1的晶胞達(dá)到穩(wěn)定后的能量為-25 679.094 9 eV,考慮到其超晶胞建模為(2×2×2)方式,換算成單晶胞得到的穩(wěn)態(tài)能量為-3 209.886 9 eV,利用相同方法計(jì)算不同氫濃度下Ti-H晶胞的穩(wěn)態(tài)能量與雜質(zhì)形成能,結(jié)果如表2所示。

        表2 α鈦晶體的能量與雜質(zhì)形成能計(jì)算結(jié)果Table 2 Calculated results of energy and Eimpof α-Ti

        由表2可知,隨著氫濃度的增加,Ti-H體系的穩(wěn)態(tài)能量呈逐步下降趨勢(shì),同時(shí)雜質(zhì)形成能Eimp也隨著氫含量的增大而減小,從穩(wěn)態(tài)能量和雜質(zhì)形成能兩方面可以得出結(jié)論:高氫含量的α-Ti晶體穩(wěn)定性高于低氫含量的α-Ti晶體。

        3 結(jié)論

        1)置氫后α鈦晶胞發(fā)生晶格畸變,導(dǎo)致Ti-H晶體發(fā)生體積膨脹,且體積膨脹率隨著氫原子濃度的增加而增大,低氫濃度時(shí)晶胞保持hcp結(jié)構(gòu),高濃度時(shí)為稍微變形的hcp結(jié)構(gòu),因晶格畸變而儲(chǔ)存的能量會(huì)促進(jìn)Ti-H化合物的生成。

        2)隨著氫含量的增加,Ti-H晶體的能量和雜質(zhì)形成能均呈下降趨勢(shì),α鈦的穩(wěn)定性進(jìn)一步增強(qiáng)。

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