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        高低兩層抗擊高超音速巡航導(dǎo)彈作戰(zhàn)策略與部署方法研究

        2015-12-05 05:11:08管維樂劉志航
        航天控制 2015年4期
        關(guān)鍵詞:斜距低層反導(dǎo)

        劉 健 管維樂 劉志航

        空軍工程大學(xué)防空反導(dǎo)學(xué)院,西安710051

        高超音速巡航導(dǎo)彈(Hypersonic Cruise Missile,簡(jiǎn)稱HCM)的作戰(zhàn)距離可達(dá)數(shù)千公里,它擁有極快的飛行速度、精準(zhǔn)的到達(dá)能力及高速隱身的突防能力,巡航高度在介于低層反導(dǎo)武器和高層反導(dǎo)武器的火力空隙,是一種既不同于傳統(tǒng)巡航導(dǎo)彈,也不同于彈道導(dǎo)彈的新型武器[1-3],將引起未來作戰(zhàn)的重大變革,使得防空系統(tǒng)面臨巨大挑戰(zhàn)。因此,如何抗擊HCM,如何進(jìn)行攔截系統(tǒng)的部署規(guī)劃,是一個(gè)重要的研究課題。

        1 抗擊HCM 作戰(zhàn)策略

        HCM 飛行彈道包括彈機(jī)分離、加速爬升、高速巡航以及俯沖攻擊等階段,飛行速度可達(dá)5Ma 以上,巡航高度在海拔20km ~40km 之間,若不進(jìn)行機(jī)動(dòng),巡航彈道可認(rèn)為是水平等速飛行,主要位于海拔高度25km ~30km 之間[4-5]。

        目前,低層反導(dǎo)系統(tǒng)(如美軍的PAC-3)的最大作戰(zhàn)高度約為25km,從戰(zhàn)技指標(biāo)上看,低層反導(dǎo)系統(tǒng)[6-7]對(duì)俯沖階段的HCM 具備一定攔截能力,但對(duì)25km ~40km 高程的HCM 則無法攔截,因此,對(duì)25km 以上高度的HCM 必須選擇更大作戰(zhàn)高度的攔截系統(tǒng),不妨稱為高層攔截系統(tǒng)。要特別說明的是,這里的高層攔截系統(tǒng),是指在比低層反導(dǎo)系統(tǒng)作戰(zhàn)高度更高的高程上對(duì)HCM 進(jìn)行抗擊的攔截系統(tǒng),與一般意義上的高層反導(dǎo)系統(tǒng)(如美軍的THAAD)不是同一個(gè)概念,一般意義上的高層反導(dǎo)系統(tǒng)作戰(zhàn)高度的低限通常為40km,在HCM 的飛行高度之上,不能作為抗擊HCM 的攔截系統(tǒng)。

        當(dāng)前,俄羅斯正在研制C-500 反導(dǎo)系統(tǒng),其一項(xiàng)重要功能就是攔截臨近空間高超音速目標(biāo),其最高可攔截40km ~50km 高的臨近空間高超音速飛行器。此外,俄羅斯的C-400 反導(dǎo)系統(tǒng)最大射高為30km,既可承擔(dān)低層攔截任務(wù)、也可承擔(dān)一定程度的高層攔截任務(wù)。因此,從攔截武器的作戰(zhàn)高程看,對(duì)HCM 可采用高低兩層分別進(jìn)行攔截,高層攔截系統(tǒng)可使用C-500、C-400 等,低層攔截系統(tǒng)可使用一般意義的低層反導(dǎo)系統(tǒng)如PAC-3 等。低層攔截系統(tǒng)主要負(fù)責(zé)在HCM 的俯沖段進(jìn)行攔截,高層攔截系統(tǒng)則負(fù)責(zé)在HCM 巡航段或俯沖段初期進(jìn)行攔截。由于HCM 巡航飛行段較長(zhǎng),因此在巡航段可分段進(jìn)行多次攔截,提高攔截概率。

        2 高低兩層抗擊HCM 的時(shí)間可行性分析

        高層攔截系統(tǒng)射擊HCM 后,若HCM 沒有被成功攔截,那么,在時(shí)間上低層攔截系統(tǒng)是否來得及進(jìn)行后續(xù)射擊是一個(gè)必須討論的問題。

        2.1 高低2 層抗擊HCM 的時(shí)間可行性分析方法

        為了簡(jiǎn)便,如圖1 所示,設(shè)HCM 俯沖過程呈直線飛行,HCM 俯沖飛行的彈道傾角為θ,俯沖時(shí)平均速度為vfc,設(shè)高層攔截彈與HCM 的遭遇高度為h0,若攔截未成功,經(jīng)歷Δtpg秒的殺傷效果評(píng)估時(shí)間后目標(biāo)飛至高度h0-vfcsinθ·Δtpg,此時(shí)低層攔截系統(tǒng)發(fā)射攔截彈,設(shè)低層攔截彈平均速度為,則低層攔截彈從發(fā)射到遭遇經(jīng)歷的時(shí)間為

        遭遇時(shí)刻目標(biāo)斜距為

        設(shè)低層攔截系統(tǒng)最小殺傷斜距為rmin,若遭遇時(shí)刻目標(biāo)斜距大于攔截系統(tǒng)最小殺傷斜距,即

        可認(rèn)為對(duì)HCM 進(jìn)行高低2 層攔截在時(shí)間上是可行的。

        圖1 高低2 層抗擊HCM 的時(shí)間可行性分析方法示意圖

        2.2 算例與結(jié)論

        1)高層攔截系統(tǒng)在HCM 俯沖前發(fā)射、遭遇,低層攔截系統(tǒng)在HCM 俯沖后發(fā)射、遭遇。

        設(shè)HCM 巡航高度h = 25km,俯沖過程中彈道傾角θ = 45°,俯沖時(shí)平均速度vfc= 6Ma=2.04km/s;設(shè)高層攔截系統(tǒng)在HCM 俯沖前進(jìn)行攔截,即在h0=25km 高度與目標(biāo)遭遇;設(shè)攔截不成功,殺傷效果評(píng)估時(shí)間Δtpg= 5s,經(jīng)歷5s 的殺傷效果評(píng)估時(shí)間后,目標(biāo)飛至高度h0-vfcsinθ·Δtpg=25-2.04×sin 45°×5 ≈17.7875km,此時(shí)低層攔截系統(tǒng)發(fā)射攔截彈,設(shè)低層攔截彈平均速度=1.5 km/s,則低層攔截彈從發(fā)射到遭遇經(jīng)歷的時(shí)間為

        遭遇時(shí)刻目標(biāo)斜距為

        一般情形下低層攔截系統(tǒng)最小殺傷斜距rmin約為5km,因此遭遇時(shí)刻目標(biāo)斜距為10.659km,滿足r≥rmin,即對(duì)HCM 進(jìn)行高低兩層攔截在時(shí)間上是可行的。

        2)高層攔截系統(tǒng)在HCM 俯沖后發(fā)射、遭遇,低層攔截系統(tǒng)隨后攔截。

        設(shè)高層攔截彈在HCM 俯沖剛開始時(shí)發(fā)射,即HCM 處于高度h = 25km 時(shí)發(fā)射,設(shè)高層攔截彈平均飛行速度= 2.0km/s,其它參數(shù)不變。這樣,高層攔截彈從發(fā)射到遭遇經(jīng)歷的時(shí)間為

        高層攔截彈與HCM 的遭遇高度為

        將h0及相關(guān)參數(shù)代入式(1),得低層攔截彈從發(fā)射到遭遇經(jīng)歷的時(shí)間為

        遭遇時(shí)刻目標(biāo)斜距為

        顯然,3.0943 小于低層攔截系統(tǒng)最小殺傷斜距5km,因此低層攔截系統(tǒng)不能進(jìn)行第2 次攔截;即使低層攔截系統(tǒng)最小殺傷斜距rmin為3km,上述整個(gè)射擊過程已沒有任何時(shí)間余量,因此,低層攔截系統(tǒng)不能進(jìn)行第2 次攔截。

        上述2個(gè)算例中參數(shù)具有代表性,綜合2個(gè)算例結(jié)果,可以得到下面結(jié)論:在俯沖段無法對(duì)HCM進(jìn)行2 次攔截;要對(duì)HCM 進(jìn)行高低兩層攔截,高層攔截系統(tǒng)必須在HCM 的巡航段進(jìn)行射擊、遭遇,低層攔截系統(tǒng)則負(fù)責(zé)俯沖段攔截。

        3 抗擊HCM 攔截系統(tǒng)部署方法

        3.1 抗擊HCM 攔截系統(tǒng)部署思路

        由2.2 節(jié)可知,高層攔截系統(tǒng)主要負(fù)責(zé)HCM 的巡航段攔截,低層攔截系統(tǒng)負(fù)責(zé)俯沖段攔截。HCM在巡航段、俯沖段呈現(xiàn)不同的飛行狀態(tài)。飛行狀態(tài)的不同,使得攔截系統(tǒng)抗擊HCM 的部署方法亦有不同。為此,將攔截系統(tǒng)抗擊HCM 部署方法分為下面2 部分:1)低層攔截系統(tǒng)抗擊俯沖段HCM 部署方法;2)高層攔截系統(tǒng)抗擊巡航段HCM 部署方法。

        低層攔截系統(tǒng)對(duì)俯沖段HCM 的攔截與低層反導(dǎo)系統(tǒng)抗擊TBM 的情形類似,因此低層攔截系統(tǒng)抗擊HCM 部署要求可參考低層反導(dǎo)系統(tǒng)抗擊TBM 部署方法[8-9]計(jì)算分析得到,限于篇幅本文暫不討論,只對(duì)高層攔截系統(tǒng)抗擊巡航段HCM 的部署方法進(jìn)行探討。

        抗擊HCM 攔截系統(tǒng)部署方法與攔截系統(tǒng)的殺傷區(qū)密切相關(guān),為此,首先對(duì)攔截系統(tǒng)的殺傷區(qū)進(jìn)行說明。

        3.2 攔截系統(tǒng)的殺傷區(qū)

        攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)[10]是一個(gè)有限的空間區(qū)域,一般采用右手直角坐標(biāo)系OPSH 表示。原點(diǎn)O 為攔截系統(tǒng)配置點(diǎn),也就是攔截系統(tǒng)的制導(dǎo)雷達(dá)所在點(diǎn);S軸位于水平面,指向目標(biāo)來襲方向;P 軸位于水平面,表示目標(biāo)航路捷徑;H 軸為鉛垂方向,向上為正。攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)通常采用水平殺傷區(qū)、垂直殺傷區(qū)2個(gè)剖面來表示。水平殺傷區(qū)常用的參數(shù)有遠(yuǎn)界Dsy、近界Dsj、最大航路角βmax和最大航路捷徑pmax,一般情形下高層攔截系統(tǒng)水平殺傷區(qū)如圖2,水平殺傷區(qū)的遠(yuǎn)、近界與水平剖面所在高度相關(guān)。垂直殺傷區(qū)常用參數(shù)有:高界Hmax,低界Hmin,遠(yuǎn)界斜距Rmax,近界斜距Rmin,最大高低角εmax和最小高低角εmin等,垂直殺傷區(qū)一般常指航路捷徑等于0 的鉛垂平面的殺傷區(qū)剖面,一般情形下高層攔截系統(tǒng)垂直殺傷區(qū)如圖3 所示,其中AB 線段稱為高近界,BC 弧段稱為低近界。

        圖2 一般情形下高層攔截系統(tǒng)水平殺傷區(qū)

        圖3 一般情形下高層攔截系統(tǒng)垂直殺傷區(qū)

        3.3 高層攔截系統(tǒng)抗擊巡航段HCM 的部署方法

        3.3.1 高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)計(jì)算方法

        3.3.1.1 高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)位置分析

        為了方便研究,在接近要地的區(qū)域,設(shè)HCM 俯沖段為傾斜直線飛行,巡航段為水平直線飛行,如圖4 所示,俯沖與巡航的轉(zhuǎn)折處不妨稱為彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)。當(dāng)然,HCM 彈道在俯沖前后彈道是光滑的,不會(huì)有明顯的彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn),但通過HCM 的巡航速度、高度、基本的彈道方程和空氣動(dòng)力特性可大致估算出HCM 的俯沖開始點(diǎn)。

        建立直角坐標(biāo)系SO'H,O' 為HCM 突擊的要地,S 軸、H 軸意義同前,見圖4。

        高層攔截系統(tǒng)配置點(diǎn)O 不宜離要地O'很近,如圖4 中O2點(diǎn),因?yàn)镠CM 彈道在O2的殺傷區(qū)內(nèi)拐彎,高層攔截系統(tǒng)若在HCM 俯沖段攔截,則遭遇后低層攔截系統(tǒng)已來不及進(jìn)行后續(xù)射擊;若高層攔截系統(tǒng)在HCM 巡航段攔截,則殺傷縱深短淺,射擊窗口小,并且在此階段目標(biāo)拐彎?rùn)C(jī)動(dòng),跟蹤射擊不便。

        高層攔截系統(tǒng)配置點(diǎn)O 亦不宜離要地O'很遠(yuǎn),如圖4 中O1點(diǎn),該點(diǎn)在巡航段攔截HCM,可以獲得較大的殺傷縱深,但卻不是高層攔截系統(tǒng)最好的配置點(diǎn),因?yàn)镠CM 來襲方向可能為一個(gè)范圍,而不是一個(gè)確定的方向,離落點(diǎn)越遠(yuǎn),需要火力覆蓋的范圍越大,所需的火力單位越多,如圖5。

        圖4 高層攔截系統(tǒng)部署分析示意圖

        圖5 攔截系統(tǒng)火力應(yīng)覆蓋HCM 可能來襲方位范圍

        綜合上面分析可知,當(dāng)高層攔截系統(tǒng)近界與HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)相交時(shí),此時(shí)的攔截系統(tǒng)配置點(diǎn)是最優(yōu)的配置點(diǎn),如圖4 中O 點(diǎn),高層攔截系統(tǒng)部署在這一點(diǎn),既能在巡航段對(duì)HCM 進(jìn)行攔截,使之具有較大的殺傷縱深,又使得所需火力單位數(shù)量最少。

        3.3.1.2 高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)的計(jì)算

        設(shè)高層攔截系統(tǒng)配置于O 點(diǎn),O 點(diǎn)坐標(biāo)(SO,0)待定;設(shè)俯沖飛行的HCM 彈道傾角為θ,HCM 巡航高度為h,即圖6 中圖7 中

        由于HCM 巡航高度的不同,HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)的相交可能出現(xiàn)下面2 種情形(見圖6 和7):1)HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)高近界相交,該情形發(fā)生的條件為:Rminsinεmax≤h ≤Hmax;2)HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)低近界相交,該情形發(fā)生的條件為:Hmin≤h <Rminsinεmax。當(dāng)h <Hmin或h >Hmax時(shí),高層攔截系統(tǒng)對(duì)HCM 不構(gòu)成攔截條件。

        圖6 HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與殺傷區(qū)高近界相交

        圖7 HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與殺傷區(qū)低近界相交

        下面分2 種情形,分別討論高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)O 的確定方法。

        1)HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)高近界相交圖6 中,

        從而高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)O 在S 軸的坐標(biāo)SO為

        當(dāng)θ <εmax時(shí),SO= hcotθ -h(huán)cotεmax>0 ,即高層攔截系統(tǒng)O 應(yīng)配置在要地的前方;

        當(dāng)θ >εmax時(shí),SO= hcotθ -h(huán)cotεmax<0 ,即高層攔截系統(tǒng)O 應(yīng)配置在要地的后方;

        當(dāng)θ = εmax時(shí),SO= hcotθ -h(huán)cotεmax= 0 ,此時(shí)高層攔截系統(tǒng)O 應(yīng)配置在要地所在地。

        2)HCM 彈道轉(zhuǎn)折點(diǎn)與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)低近界相交圖7 中,

        從而高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)O 在S 軸的坐標(biāo)SO為

        3.3.2 相鄰高層攔截系統(tǒng)配置間距確定方法

        3.3.2.1 相鄰高層攔截系統(tǒng)左右配置間距確定方法

        設(shè)相鄰的高層攔截系統(tǒng)左右配置間隔為dp,高層攔截系統(tǒng)對(duì)HCM 殺傷區(qū)的最大航路捷徑為pmax。為了保證殺傷區(qū)左右銜接,顯然dp應(yīng)滿足dp≤2pmax;若要獲得較大的重疊殺傷區(qū),dp最好滿足dp<pmax。

        為避免電磁互擾,或?yàn)楸髡归_需要等,2 套攔截系統(tǒng)一般都有配置的最小間距。設(shè)相鄰2 套攔截系統(tǒng)配置的最小間距為dmin,dp應(yīng)滿足dp≥dmin。

        因此,相鄰高層攔截系統(tǒng)左右配置間距dp應(yīng)滿足:dmin≤dp≤2pmax;若要獲得較大的重疊殺傷區(qū),左右配置間距dp最好滿足:dmin≤dp<pmax。

        3.3.2.2 相鄰高層攔截系統(tǒng)前后配置間距計(jì)算方法

        相鄰高層攔截系統(tǒng)前后配置間距并非越大越好。圖8 中,若O1點(diǎn)離O 點(diǎn)距離很遠(yuǎn),為了覆蓋HCM 可能的來襲方位范圍,在離要地距離O'O1的弧段,必須部署很多的攔截系統(tǒng),如圖5 所示,從而增加兵力數(shù)量需求。

        若前一攔截系統(tǒng)與后一攔截系統(tǒng)的距離很小,也不是好的決策。圖8 中,攔截系統(tǒng)O1與HCM 的最后可能遭遇點(diǎn)為L(zhǎng) 點(diǎn)。經(jīng)過殺傷效果評(píng)估時(shí)間后,HCM 飛至Q 點(diǎn)。若評(píng)定沒有殺傷,則此刻攔截系統(tǒng)O 發(fā)射攔截彈,若要在O 的殺傷區(qū)遠(yuǎn)界W 點(diǎn)與HCM 遭遇,則HCM 在的飛行時(shí)間應(yīng)等于O的攔截彈飛至遠(yuǎn)界點(diǎn)W 的時(shí)間。若HCM 在的飛行時(shí)間小于O 的攔截彈飛至遠(yuǎn)界點(diǎn)W的時(shí)間,則O 的攔截彈與目標(biāo)遭遇時(shí)HCM 已越過O的殺傷區(qū)遠(yuǎn)界,這樣就縮小了攔截系統(tǒng)O 對(duì)目標(biāo)的殺傷縱深。因此,圖8 中所示為高層攔截系統(tǒng)前后配置間距的理想距離。

        圖8 相鄰高層攔截系統(tǒng)前后配置間距計(jì)算方法示意圖

        設(shè)HCM 巡航高度為h,巡航飛行的平均速度為vxh,攔截系統(tǒng)殺傷效果評(píng)估時(shí)間為Δtpg,高層攔截系統(tǒng)O 的殺傷區(qū)遠(yuǎn)界斜距為Rmax,O 的攔截彈平均飛行速度為,則O 的攔截彈飛至遠(yuǎn)界時(shí)間為故

        故高層攔截系統(tǒng)前后配置間距的理想距離為

        由于地形、交通等因素,難以保持理想的間距,則相鄰的高層攔截系統(tǒng)前后配置間隔ds一般應(yīng)滿足

        3.3.3 算例

        1)高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)的計(jì)算

        設(shè)HCM 巡航高度h =25km,俯沖飛行HCM 彈道傾角θ =45°,攔截系統(tǒng)高界Hmax=40km,低界Hmin= 8 km,近界斜距Rmin=10 km,最大高低角εmax=70°。

        Rminsinεmax= 10sin70°≈9.397 ,此時(shí)下面條件成立:

        因此,情形(1)發(fā)生,即HCM 俯沖前與高層攔截系統(tǒng)殺傷區(qū)高近界相交。

        采用式(3)進(jìn)行計(jì)算,得

        即高層攔截系統(tǒng)應(yīng)配置在要地前方15.9km。

        2)相鄰高層攔截系統(tǒng)前后配置間距的計(jì)算

        設(shè)HCM 巡航飛行的平均速度vxh= 5Ma =1.7km/s,攔截系統(tǒng)殺傷效果評(píng)估時(shí)間Δtpg=5s,高層攔截系統(tǒng)O 的殺傷區(qū)遠(yuǎn)界斜距Rmax=50km,O 的攔截彈平均飛行速度為=2.0 km/s,則高層攔截系統(tǒng)前后配置間距的理想距離為

        綜合算例(1)和(2)可知,要在HCM 巡航段部署前后2 層攔截帶,則在上述參數(shù)假設(shè)下,里層攔截帶的最優(yōu)配置距離為要地前方15.9km,外層攔截帶的最優(yōu)配置距離為要地前方15.9 +85.2 =101.1 km,里外兩層攔截帶的前后間隔不得小于85.2km。

        4 結(jié)語

        在分析HCM 目標(biāo)特性的基礎(chǔ)上,提出了抗擊HCM 的分段分層攔截策略,并從時(shí)間角度對(duì)高低兩層抗擊HCM 的可行性進(jìn)行了分析,得到了有益的結(jié)論:在俯沖段無法對(duì)HCM 進(jìn)行2 次攔截;要對(duì)HCM 進(jìn)行高低兩層攔截,高層攔截系統(tǒng)必須在HCM 的巡航段進(jìn)行射擊、遭遇,低層攔截系統(tǒng)則負(fù)責(zé)俯沖段攔截。同時(shí),還對(duì)抗擊HCM 攔截系統(tǒng)的部署方法進(jìn)行了研究,建立了高層攔截系統(tǒng)最優(yōu)配置點(diǎn)的計(jì)算方法和理想配置間隔的確定方法,并采用上述方法進(jìn)行了案例計(jì)算。

        目前HCM 尚處于研制試驗(yàn)階段,對(duì)HCM 的抗擊作戰(zhàn)研究也處在起步階段,因此,抗擊HCM 作戰(zhàn)是一個(gè)嶄新的、極具挑戰(zhàn)性的研究課題,本文提出的思路方法對(duì)抗擊HCM 的作戰(zhàn)運(yùn)用具有指導(dǎo)意義和實(shí)用價(jià)值。

        [1]魯芳.美軍高超武器“乘波者”X-51A 的獨(dú)特方案和技術(shù)透析[J]. 國(guó)防科技,2010,31(3):9 ~13. (Lu Fang. An analysis of the peculiar schrmes and technologies of X-51A[J]. National Defense Science and Technology,2010,31(3):9-13.)

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