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        功率因數(shù)校正在配電終端電源中的應(yīng)用

        2015-12-02 03:25:50李瑩瑩
        電力與能源 2015年3期

        王 凱,李瑩瑩

        (國網(wǎng)浙江省電力公司杭州供電公司,杭州 310000)

        功率因數(shù)(PF)指的是有效功率與總耗電量(視在功率)的比值,基本上功率因數(shù)可以衡量電力被有效利用的程度,功率因數(shù)值越大,代表其電力利用率越高。本設(shè)計(jì)采用英飛凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因數(shù)校正芯片ICE2PCS01控制驅(qū)動MOSFET開關(guān)管,并與升壓電感、輸出電容等組成Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),輸入電流與基準(zhǔn)電流比較后的誤差電流經(jīng)過放大,再與PWM波比較,得到開關(guān)管驅(qū)動信號,快速而精確地使輸入電流平均值與輸入整流電壓同相位,接近正弦波,屬于有源功率因數(shù)校正。

        1 控制方式介紹

        圖1為ICE2PCS01的內(nèi)部邏輯圖。

        該芯片的基本原理如下所述。假設(shè)電壓環(huán)正處于工作狀態(tài),輸出電壓保持恒定,則一個CCM升壓型PFC控制系統(tǒng)的MOSFET關(guān)斷占空比DOFF可以由DOFF=VIN/VOUT得到??芍珼OFF正比于VIN,它反映了輸入電壓波形。利用這個,ICE2PCS01的電壓環(huán)模塊產(chǎn)生一個斜率隨DOFF變化的鋸齒波與電流環(huán)的低頻平均電流AVE(IIN)比較,來調(diào)整PWM。(電流環(huán)的目的在于調(diào)整電感電流的平均值,使得它正比于關(guān)斷占空比DOFF,從而正比于輸入電壓VIN。)這個關(guān)系式可以通過前邊沿調(diào)制方式實(shí)現(xiàn),如圖2右圖中虛線是P1的波形。實(shí)線是P2的波形。

        圖1 ICE2PCS01的內(nèi)部邏輯圖

        斜坡信號由內(nèi)部的振蕩器產(chǎn)生,斜坡信號的幅值一方面受內(nèi)部的控制信號控制,但另一方面卻可以影響線輸入平均值電流的幅值。

        圖2 電流平均值控制

        2 芯片介紹

        ICE2PCS01是英飛凌(Infineon)公司推出的一款低成本的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)PFC專用控制器,該芯片采用平均電流值控制,使得功率因數(shù)可以達(dá)到1,具有以下的應(yīng)用特點(diǎn):僅有8個管腳,所需外圍器件少;支持寬范圍的電壓輸入;50~250kHz可調(diào)頻率范圍,頻率在125kHz時,最大占空比為95%;芯片供電電壓10.0~21.0V(典型值);增強(qiáng)的動態(tài)響應(yīng),單周期電流峰值限制,軟啟動功能;具有多項(xiàng)保護(hù)功能,如開環(huán)保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、交流電源欠壓保護(hù)、電源欠壓保護(hù)、峰值電流限幅及軟過流限幅保護(hù)等;其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖3所示。

        圖3 ICE2PCS01內(nèi)部結(jié)構(gòu)

        下面為ICE2PCS01的引腳功能說明。

        GND(引腳1):芯片接地端。

        ICOMP(引腳2):電流環(huán)補(bǔ)償器。該引腳外接一個補(bǔ)償電容構(gòu)成濾波環(huán)節(jié),將輸入ISENSE腳的帶有波紋的、反應(yīng)電感電流的電壓波形濾波為一個反映電感平均電流的正向電壓波形。

        ISENSE(引腳3):電流采樣輸入端。為防止浪涌電流導(dǎo)致引腳3電壓超出最大承受值,通常串聯(lián)一個電阻來限制注入ICE1PCS01芯片電流。

        FREQ(引腳4):頻率設(shè)置端。該管腳可以通過對地外接一個電阻來設(shè)定系統(tǒng)的開關(guān)頻率,可調(diào)頻率范圍為50~250kHz。

        VCOMP(引腳5):電壓環(huán)補(bǔ)償器。該管腳通過對地連接的一個補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成電壓控制環(huán)的補(bǔ)償器,而且可以提供系統(tǒng)的軟啟動功能從而控制啟動時輸入電流的緩慢上升。

        VSENSE(引腳6):輸出電壓傳感/反饋端。該管腳通過電阻分壓網(wǎng)絡(luò)采樣輸出電壓,該管腳的參考電壓為5V,該腳大于0.8V芯片才工作。

        VCC(引腳7):芯片供電端。供電電壓為10.2~21V。GATE(引腳8):驅(qū)動輸出端。具有1.5A的驅(qū)動能力。

        3 主要參數(shù)設(shè)計(jì)

        (1)開關(guān)頻率的選擇

        采用高的開關(guān)頻率有助于縮小電路體積,增加功率密度,降低波形失真度;但是由于是硬開關(guān),采用過高的開關(guān)頻率又會導(dǎo)致開關(guān)損耗增大,影響功率電路效率。在實(shí)際的電路應(yīng)用中,開關(guān)頻率一般選20~200kHz,綜合考慮,本設(shè)計(jì)選擇的開關(guān)頻率為70kHz,根據(jù)芯片設(shè)計(jì)手冊可得RFREQ電阻值為68kΩ。

        (2)升壓電感的選擇

        Boost電路中的電感L1起存儲傳遞能量和濾波等作用,電感量的選擇對輸入端的電流紋波大小有直接關(guān)系。當(dāng)輸入電壓最低、輸出功率最大時,電感電流值最大,這時電流紋波也將最大。在這種情況下,電感電流波紋也還要滿足設(shè)計(jì)要求,經(jīng)計(jì)算所需的升壓電感值為0.5mH。

        (3)輸出電容的選擇

        輸出濾波電容起濾除開關(guān)管工作造成的紋波和平滑輸出直流電壓、濾除其中脈沖成分的作用。選取電容時,額定紋波電流需留一定的裕量,考慮電容在高溫下的使用壽命,同時需注意大負(fù)載沖擊時,母線電壓的瞬間跌落不能影響后級電路,在實(shí)際電路應(yīng)用中存在機(jī)殼尺寸的限制,使用的Boost輸出電容為270μF/450V的電解電容。

        (4)開關(guān)管的選擇

        本設(shè)計(jì)開關(guān)管采用 MOSFET,功率 MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件。導(dǎo)通時開關(guān)管中流過的電流就是電感電流,最大平均值為6.36A。開關(guān)管兩端承受的最大電壓為UDS=UDC+△U=380+380x20%=456V,考慮到開關(guān)管的過壓尖刺,開關(guān)管需要的耐壓值至少為600V,這里選SPP20N60C3型的 MOSFET,其額定指標(biāo)為20.7A/650V。

        結(jié)合上面的電路方案和具體參數(shù)設(shè)計(jì),得出基于ICE2PCS01的有源功率因數(shù)校正電路,Boost APFC電路原理圖如圖4所示。

        圖4 APFC電路原理圖

        4 測試結(jié)果

        圖5為測試所得全電壓范圍內(nèi)不同負(fù)載情況下的功率因數(shù)曲線圖??梢钥闯?,在50W左右功率因數(shù)已超過0.9,在負(fù)載大于250W時超過0.99,在很大的負(fù)載范圍內(nèi)都可保持高功率因數(shù)。小負(fù)載時做了一個對比試驗(yàn):輸出帶相同的負(fù)載20W,第一種情況正常開PFC,第二種關(guān)掉PFC,將輸入電壓調(diào)至280V,使整流后的輸出電壓與開PFC時一致,測試所得數(shù)據(jù)如表1所示。

        圖5 功率因數(shù)曲線圖

        表1 有PFC與無PFC數(shù)據(jù)對比情況

        通過對比可以看出,加了有源PFC電路,使配電終端電源在小負(fù)載時PF值由0.435提高到0.819,幾乎提高了一倍。有功功率的增加是由于PFC電路的損耗(單獨(dú)測試損耗大概為2W)。視在功率得到大幅減小,電網(wǎng)的利用率得到提高,從而可以滿足國網(wǎng)對配網(wǎng)終端功耗的指標(biāo)要求。

        5 結(jié)語

        本文介紹了一種應(yīng)用在配電終端電源上的功率因數(shù)校正電路。根據(jù)測試結(jié)果,在很大的負(fù)載范圍內(nèi)都可保持高功率因數(shù),滿載功率因數(shù)大于0.99。同時輸入電流的諧波分量得到大幅減小,減少了對電網(wǎng)的污染。而相同負(fù)載下視在功率的大幅減小,使得電網(wǎng)的利用率得到提高,起到了節(jié)能降耗的作用,從而可以滿足國網(wǎng)對配電終端電源的新要求。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證,該電路啟動電流小,外圍元器件少,成本低廉,能同時滿足電源系統(tǒng)重量輕,穩(wěn)定性好,可靠性高等要求。

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