吳淘鎖++鄔海峰
摘 要:隨著無線通信技術(shù)的快速演進,無線通信系統(tǒng)的性能指標(biāo)變得尤為重要。功率放大器作為無線通信系統(tǒng)中影響發(fā)射機輸出功率、效率、線性度等指標(biāo)的重要器件,其研究和設(shè)計的重點也相應(yīng)發(fā)生著變化。了解并掌握PA的相關(guān)演進過程與趨勢,對于PA的設(shè)計和研發(fā)有著重要的意義。因此,文章通過基于20年間文獻的調(diào)研成果,介紹了PA的演進歷程、研究現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢及其中一些亟待解決的問題。
關(guān)鍵詞:發(fā)展現(xiàn)狀;未來趨勢;PA;射頻與微波
中圖分類號:TP393 文獻標(biāo)識碼:A 文章編號:2095-1302(2015)11-00-02
0 引 言
功率放大器(PA)是射頻與微波系統(tǒng)中發(fā)射機末端的關(guān)鍵元件,其作用是將輸入信號在需要的頻帶上進行放大,并使其功率達到系統(tǒng)所要求的等級水平,故PA的性能直接影響到整個通信系統(tǒng)信號的傳輸距離和傳輸質(zhì)量。分析PA的演進歷程、研究現(xiàn)狀與國內(nèi)外發(fā)展趨勢,有利于分析不同類型PA產(chǎn)生的原因及特點,有利于PA設(shè)計在無線通信技術(shù)發(fā)展中所面臨的輸出功率、效率、線性度等一些問題的解決,對設(shè)計良好的PA有一定的研究意義。
1 功率放大器的演進
功率放大器(PA)的發(fā)展歷程如圖1所示,其中列舉了無線通信系統(tǒng)發(fā)展中的一些代表性事件。從圖1中可以看出,PA主要經(jīng)歷了發(fā)展初期、平穩(wěn)過渡階段蓬勃發(fā)展階段這三個發(fā)展階段。
1.1 發(fā)展初期
如圖1所示,1833年,F(xiàn)araday最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻不同于一般的金屬,其電阻隨溫度升高而降低,這被認為是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn);1904年,電子二極管問世;1906年,真空三極管的問世推動了無線電廣播系統(tǒng)的發(fā)展;1920年,隨著半導(dǎo)體的進一步發(fā)展,人們開始研究PA,設(shè)計出傳統(tǒng)的模擬功率放大器有A類、B類、AB類及C類;為了解決AB類功率回退、效率降低的問題,1936年,Doherty提出了可以提高射頻PA效率的一種解決方案[1],即為DPA;為了進一步實現(xiàn)PA的高效率指標(biāo),1958年,Tyler第一次提出了高效F類PA的一般性闡述[2];1975年,Sokal在文獻中提出了E類PA的基本模型[3],因其高頻性能出色、結(jié)構(gòu)簡單而廣泛應(yīng)用于無線通信、開關(guān)電源等領(lǐng)域中。
1.2 平穩(wěn)過渡階段
1980年,數(shù)字預(yù)失真(Digital Pre-Distortion,DPD)被首次提出,進而破解了PA線性化技術(shù)中的難題,隨之DPA受到研究重視;1990年,由于對線性度和效率折衷的迫切需要,AB、B類PA 又得到了大力的研究與快速的發(fā)展;如圖1所示,2000年,Grebennikov重新分析了F類PA[4],并設(shè)計出了三次諧波峰化的負載網(wǎng)絡(luò),解決了F類PA效率較低的問題,繼而逆F類PA問世。由于這一段時期為模擬移動通信向著數(shù)字移動通信跨越的交叉時期,無線通信技術(shù)正處于轉(zhuǎn)型階段,故導(dǎo)致PA的研究隨著無線通信的平穩(wěn)發(fā)展而緩慢推進。
圖1 PA的發(fā)展歷程
1.3 蓬勃發(fā)展階段
2003年,為了提高PA的效率與線性度,DPD首次結(jié)合AB類PA的應(yīng)用如圖1所示,2005年為降低E類PA晶體管的峰值電壓,進而減小其被擊穿的風(fēng)險,提高整體電路的可靠性,逆E類PA問世;隨著無線通信系統(tǒng)的進一步需求與快速發(fā)展,2006年,為解決PA效率低、帶寬窄的問題,簡化其拓撲結(jié)構(gòu),J類PA被提出,并于2009年由Cripps團隊首次實現(xiàn)了J類功率放大器的實體化設(shè)計[5];2010年,高效、寬帶連續(xù)F類PA問世,與此同時,為解決傳統(tǒng)AB類PA必須工作在效率較低的功率回退區(qū)的問題,包絡(luò)跟蹤(ET)PA問世。
隨著無線通信新標(biāo)準、新技術(shù)的不斷發(fā)展,要求提高射頻與微波PA的各種性能,進一步降低成本、減小尺寸與重量。同時擁有良好的線性度、高輸出功率及效率?;赑A的發(fā)展歷程與演進原因,所有這些問題對其設(shè)計提出了新的要求,并決定了PA的下一步發(fā)展趨勢。
2 PA的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
2.1 PA的研究現(xiàn)狀
按照PA文獻的發(fā)表時間、數(shù)量進行分析,從圖2可以得出,1995~2004年為慢速上升期,2005~2011年上升速度較快,2012~2014年,則有所下降并出現(xiàn)波動。通過對Journals& Magazines 雜志的論文發(fā)表量進行分析,可以看出PA文獻的發(fā)表數(shù)目是逐年上升的。由此可以說明,PA在近20年里的研究在持續(xù)升溫,并成為熱門的研究課題。
圖2 近20年P(guān)A文獻發(fā)表數(shù)目
由表1可知,通過對PA相關(guān)會議的地點分布進行分析,美洲排名第一,亞太地區(qū)和歐洲次之,發(fā)現(xiàn)可提供學(xué)術(shù)交流平臺的地區(qū)多為發(fā)達國家,如美國、英國、日本等國家,顯而易見的是美國占78%,說明其占有絕對的研究優(yōu)勢,而中國僅占3%,說明中國在PA研究領(lǐng)域仍然處于發(fā)展初期。
2.2 PA研究的發(fā)展趨勢
近幾十年來影響射頻與微波功率放大器發(fā)展的因素主要為器件、工藝與技術(shù),如表2所示,文獻的索引率及引用率反映了近四年P(guān)A研究的熱點課題。通過表2的分析結(jié)果,結(jié)合文獻分析與PA有關(guān)的熱點研究,可以分為E類PA、DPD、GaN、Doherty、晶體管模型等,具體相關(guān)的熱點研究方向為以下幾個方面:
(1)由于高效率PA的研究是未來發(fā)展方向,故針對E類PA的研究仍將是重點;
(2)DPD技術(shù)作為提高PA線性度的熱點研究方法,其寬帶特性也是重點研究對象,未來PA線性度研究仍是重點;
(3)GaN PA雖然出現(xiàn)較晚,但是近些年擁有較高的關(guān)注度,表明了其強勁的研究態(tài)勢,是未來大功率PA的主力;
(4)PA設(shè)計的基礎(chǔ)為晶體管的建模,因其非線性效應(yīng)的建模是提升PA線性度等指標(biāo)的重要保障,因此也將是研究熱點之一;
(5)Doherty PA是電路架構(gòu)研究方式中的熱點問題,因為它可以實現(xiàn)效率和線性度的良好折中,同時針對峰均比信號具有良好的平均效率。
表1 PA文獻發(fā)表會議統(tǒng)計表國別 百分比 國別 百分比
美國 78% 澳大利亞 3%
加拿大 4% 法國 2%
日本 3% 瑞士 2%
英國 3% 韓國 1%
中國 3% 新加坡 1%
3 結(jié) 語
綜上所述,PA的研究仍是一個持續(xù)升溫、熱門的課題,設(shè)計具有高集成度、低成本、高效率的集成PA,以及研究具有高效率、高線性度等指標(biāo)的GaN分立PA,將是未來射頻與微波功率放大器的發(fā)展趨勢,同時通過提高現(xiàn)有PA的效率、線性度及晶體管模型精度,通過新型器件和新穎的設(shè)計技術(shù),將有利于促進無線通信系統(tǒng)的進一步發(fā)展。
參考文獻
[1] W. H. Doherty.A new high efficiency power amplifier for modulated waves[J].Proc. Inst. Radio Eng., 1936, 24(9):1163-1182.
[2] V. J. Tyler. A new high-efficiency high power amplifier[J].Marconi Rev., 1958, 2(130):96-109.
[3] N. O. Sokal, A. D. Sokal.Class E-A new class of high-efficiency tuned single-ended switching power amplifiers[J].IEEE J. Solid-State Circuits, 1975, 10(3):168-176.
[4] A. V. Grebennikov.Circuit design technique for high efficiency class F amplifiers[J].IEEE Int. Microw. Symp. Dig., 2000,2:771-774.
[5] P. Wright, J. Lees, J. Benedikt, et al. A methodology for realizing high efficiency class-J in a linear and broadband PA[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2010,57(12):3196-3204.
[6] D. R. Morgan, Z. Ma, L. Kim, et al.A generalized memory polynomial model for digital predistortion of RF power amplifiers[J].IEEE Trans. Signal Process., 2006, 54(10):3852-3860.
[7] F. H. Raab, P. M. Asbeck, S. C. Cripps, et al.Power amplifiers and transmitters for RF and microwave[J].IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 2002, 50(3):814-826.
[8] U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, et al.GaN-based RF power devices and amplifiers[J].Proc. IEEE, 2008, 96(2):287-305.
[9] I. Aoki, S. Kee, D. Rutledge,et al. Fully-integrated CMOS power amplifier design using the distributed active transformer architecture[J].IEEE J. Solid-State Circuits, 2002, 37(3):371-383.
[10] J. Kim, K. Konstantinou.Digital predistortion of wideband signals based on power amplifier model with memory[J]. IET Electron. Lett.,2001, 37(23):1417-1418.
[11] J. C. Pedro, S. A. Maas.A comparative overview of microwave and wireless power-amplifier behavioral modeling approaches[J].IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 2005, 53(4):1150-1163.
[12] F. H. Raab.Class-F power amplifiers with maximally flat waveforms[J].IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 1997, 45(11):2007-2012.