日前，電工研究所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫磁體技術(shù)，在國(guó)內(nèi)首次將國(guó)產(chǎn)Bi2223內(nèi)插磁體在15T背場(chǎng)條件下的中心磁場(chǎng)提高到了19.4T @4.2K，有效地解決了國(guó)產(chǎn)Bi帶導(dǎo)線臨界拉伸應(yīng)力小的問(wèn)題，將國(guó)產(chǎn)Bi帶材的應(yīng)用范圍擴(kuò)展至19T以上的高磁場(chǎng)。

王秋良研究組在國(guó)家自然基金的資助下率先采用國(guó)產(chǎn)Bi系帶材研制高場(chǎng)內(nèi)插磁體。研究人員采用特殊工藝固化的方式將帶材的內(nèi)層應(yīng)力層層傳遞至外層，并采用高強(qiáng)度綁扎的方式，使得內(nèi)插磁體內(nèi)部的最大耐環(huán)向應(yīng)力達(dá)到 200MPa，有效地解決了國(guó)產(chǎn) Bi系帶材臨界拉伸應(yīng)力只有100MPa的技術(shù)難題，將國(guó)產(chǎn)Bi帶材的應(yīng)用范圍擴(kuò)展至19T以上的高磁場(chǎng)。

采用國(guó)產(chǎn)Bi系帶材成功實(shí)現(xiàn)19T以上高磁場(chǎng)，標(biāo)志著我國(guó)在研制高場(chǎng)內(nèi)插磁體方面減少了對(duì)進(jìn)口導(dǎo)線的依賴，也標(biāo)志著我國(guó)在研制高場(chǎng)磁場(chǎng)方向工藝技術(shù)更加完善，為實(shí)現(xiàn)25～32T超高場(chǎng)全超導(dǎo)磁體創(chuàng)造了條件。