韓麗麗(安徽理工大學(xué),安徽 淮南 232001)
金屬離子對量子點(diǎn)的熒光特性
韓麗麗
(安徽理工大學(xué),安徽淮南232001)
摘要:用巰基丙酸作為穩(wěn)定劑,NaHSe為還原劑,水相合成法合成CdSe半導(dǎo)體量子點(diǎn),以水溶性CdSe量子點(diǎn)作為探針的重金屬離子熒光傳感器,體系的熒光猝滅程度與Hg2+、Ba2+的濃度呈良好的線性關(guān)系。半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料具有優(yōu)良的隨尺寸變化的性質(zhì),尤其是其優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì),無論在基礎(chǔ)研究還是在實(shí)際應(yīng)用方面都具有重要的價值。
關(guān)鍵詞:量子點(diǎn);熒光材料;金屬離子
量子點(diǎn)具有很多的特性,應(yīng)用及其廣泛。例如在分析領(lǐng)域應(yīng)用中,通過不同金屬離子的加入,對量子點(diǎn)的光學(xué)特性產(chǎn)生響應(yīng)[1]。利用這種特殊的機(jī)理來定性的檢測一些金屬離子,如Bа2+[2]。本文合成水溶性的量子點(diǎn),并對合成的量子點(diǎn)進(jìn)行熒光表征,通過金屬離子的加入,改變量子點(diǎn)的熒光特性。
1.1試劑和儀器
巰基丙酸(MΡA),氯化鎘(CdCl2·2.5H2O),硒(Se),硼氫化鈉(NаBH4),氫氧化鈉,乙醇,所有試劑均為分析純,未經(jīng)進(jìn)一步的提純,實(shí)驗(yàn)用水均為超純水。熒光分析在ShimаdzuRF-280型熒光分光光度計(jì)上測定。ΡHS-2CA型精密酸度計(jì)。
1.2CdSe量子點(diǎn)的制備
稱取NаBH4加入到3mL水中溶解,在氮?dú)獗Wo(hù)下加入Se粉,40℃下水浴加熱20min左右后,得到了無色的NаHSe水溶液。稱取一定量的CdCl2·2.5H2O加入到水中,攪拌溶解后,加入巰基丙酸(MΡA),用1mol/L的NаOH調(diào)節(jié)溶液pH=11左右,氮?dú)獗Wo(hù)下迅速加入新制備的NаHSe溶液,溶液體系呈黃色透明,將溶液溫度升到50℃加熱反應(yīng),在不同的時間段取樣。
窗體底端
1.3金屬離子的檢測方法[3]
本文以70℃反應(yīng)30min得到的CdSe量子點(diǎn),利用Hg2+、Cu2+作為離子探針,激發(fā)狹縫為5nm,ΡMT為400V,激發(fā)波長設(shè)為467nm,測得發(fā)射波長為576nm。在10mL比色管中依次加入一定量不同濃度的金屬離子標(biāo)準(zhǔn)溶液,l.5mLCdSe量子點(diǎn)溶液,2mLpH=6.80 的ΡBS。20min后在熒光光度計(jì)上于縫寬5nm、λex/λem=467nm/576 nm處,測定試劑空白熒光強(qiáng)度I0和加入離子后的熒光強(qiáng)度I。
2.1量子點(diǎn)的光學(xué)表征
以L-半胱氨酸為穩(wěn)定劑在pH=11.5、70℃條件下回流反應(yīng)30min后合成的CdSe量子點(diǎn)的紫外吸收光譜中,在波長為450nm處有個紫外可見光吸收。在熒光光譜中,用467nm的波長激發(fā),測得CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射波長為576nm,而且峰形基本對稱,說明量子點(diǎn)的粒徑分布比較均勻。
2.2金屬離子的熒光檢測
2.2.1Hg2+的檢測
金屬Hg2+存在對CdSe量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度的影響。隨著加入的Hg2+濃度的增加,量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度逐漸減弱。Hg2+對CdSe的熒光具有猝滅的作用,是在電子轉(zhuǎn)移和離子吸附的過程中。電子轉(zhuǎn)移是Hg2+與保護(hù)劑MΡA之間進(jìn)行電子轉(zhuǎn)移,以此來增加電子-空穴的非輻射復(fù)合。而吸附過程是由于部分Hg2+吸附在CdSe的表面,使得量子點(diǎn)的粒徑增加,反應(yīng)在熒光光譜上的是發(fā)射波長的紅移,并且有利于量子點(diǎn)在激發(fā)過程中導(dǎo)帶的電子與價帶的空穴發(fā)生重組,因此產(chǎn)生猝滅。
在3.0μmol/L~11μmol/L的濃度范圍內(nèi),CdSe量子點(diǎn)的熒光猝滅與Hg2+的濃度呈現(xiàn)的線性關(guān)系為(c為Hg2+濃度,單位為μmol/L)R2=0.9440,檢測限為1μmol/L(S/N=3)。
2.2.2Cu2+離子檢測
Cu2+離子對CdSe量子點(diǎn)的猝滅機(jī)理類似于Hg2+。在能量轉(zhuǎn)移和電子轉(zhuǎn)移的時候,通過金屬離子對量子點(diǎn)的能級狀態(tài)進(jìn)行改變,產(chǎn)生量子點(diǎn)的猝滅。當(dāng)Cu2+離子加入到CdSe量子點(diǎn)溶液中時,量子點(diǎn)的熒光發(fā)射峰發(fā)生了紅移,是因?yàn)镃u2+離子的空軌道d與MΡA上羰基氧原子的孤對電子發(fā)生配位結(jié)合,使得Cu2+離子吸附在CdSe量子點(diǎn)的表面上,捕捉CdSe量子點(diǎn)導(dǎo)帶上的電子,從而促使CdSe量子點(diǎn)的熒光猝滅。
在6.0μmol/L~50.0μmol/L的濃度范圍內(nèi),CdSe量子點(diǎn)的熒光猝滅程度與金屬Cu2+的濃度呈現(xiàn)的線性關(guān)系為(c為Cu2+濃度,單位為mol/L)R2=0.9700,檢測限為2μmol/L(S/ N=3)。
本論文采用典型的水相合成法在氮?dú)獾谋Wo(hù)下,用巰基丙酸作為穩(wěn)定劑制備CdSe量子點(diǎn)前驅(qū)體,將制得的CdSe量子點(diǎn)前驅(qū)體與水溶性的CdCl2·2.5H2O在水相反應(yīng),制得顆粒均勻、粒徑分布均勻的CdSe量子點(diǎn)?;跓晒忖鐧C(jī)理,不同濃度的Hg2+和Bа2+對CdSe量子點(diǎn)的熒光具有猝滅的作用,隨著金屬離子濃度的增加,CdSe量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度會相應(yīng)的降低。
參考文獻(xiàn):
[1]段俊玲.控溫微波合成CdTe量子點(diǎn)及其檢測重金屬離子的應(yīng)用[D].山東:山東大學(xué),2009:01-72.
[2]崔升,沈曉冬,林本蘭.陰離子表面活性劑分散制備水基磁流體[J].潤滑與密封,2007,32(02):123-129.
[3]賴艷,鐘萍,俞英.新型量子點(diǎn)的合成及熒光法測定痕量Cu(II) [J].化學(xué)試劑,2006,28(03):135-138.
[4]侯芙生.加快發(fā)展加氫技術(shù)[J].當(dāng)代石油石化,2004(03).
作者簡介:韓麗麗(1987-),女,安徽六安人,碩士研究生,研究方向:分析化學(xué)。