馬山剛 于歆杰 李 臻
(清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系 電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北京 100084)
用于電磁發(fā)射的脈沖功率電源要求電流幅值在幾毫秒內(nèi)維持MA 級(jí)。電容、電感和旋轉(zhuǎn)電機(jī)是產(chǎn)生這樣的脈沖的三種基本電源類型。在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),國(guó)內(nèi)外學(xué)者和研究機(jī)構(gòu)對(duì)電容型脈沖電源做了大量的研究。目前在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)普遍實(shí)現(xiàn)了MA 級(jí)的電容儲(chǔ)能型脈沖電流。但是由于電容儲(chǔ)能密度相對(duì)較低,決定了其很難在實(shí)際系統(tǒng)中得到應(yīng)用。旋轉(zhuǎn)電機(jī)的儲(chǔ)能密度比電容儲(chǔ)能要高三個(gè)數(shù)量級(jí)。但由于其非靜止儲(chǔ)能,冷卻困難,且需一次性存儲(chǔ)多次發(fā)射的能量,故其結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜而很難實(shí)施。電感型儲(chǔ)能系統(tǒng)相比于電容具有高一個(gè)數(shù)量級(jí)的儲(chǔ)能密度;相比于旋轉(zhuǎn)電機(jī)由于其以靜止磁場(chǎng)的形式儲(chǔ)能,易于冷卻且只需存儲(chǔ)一次發(fā)射的能量即可。這些優(yōu)勢(shì)使電感型脈沖功率電源成為近年來(lái)諸多學(xué)者研究的熱點(diǎn)之一[1,2]。
電感儲(chǔ)能型脈沖電源由于電流的突變和充電回路中的漏磁場(chǎng)能量,使得主開關(guān)關(guān)斷時(shí)在其兩端產(chǎn)生很大的電壓應(yīng)力而超出半導(dǎo)體開關(guān)所能處理的能力,故關(guān)斷開關(guān)成為電感儲(chǔ)能系統(tǒng)的關(guān)鍵因素之一。由美國(guó)Sitzman 等提出的STRETCH meat grinder 電路在電感儲(chǔ)能系統(tǒng)中引入一個(gè)輔助電容,雖然其能量密度不及純電感系統(tǒng),但可有效降低關(guān)斷開關(guān)兩端的電壓,而且可增加電流倍增系數(shù)。然而由于其關(guān)斷開關(guān)使用了IGCT,因而使最大可關(guān)斷電流被目前的器件限制在4kA 量級(jí)[3-5]。德法聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室Dedie 等采用串充并放的XRAM 電路拓?fù)?,以晶閘管代替IGCT,應(yīng)用ICCOS 換流技術(shù),實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷二十幾千安充電電流的能力[6-9]。由清華大學(xué)提出的基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 新型拓?fù)?,將ICCOS 換流原理應(yīng)用于STRETCH meat grinder電路中,不僅可有效提高關(guān)斷電流的能力,而且可明顯降低系統(tǒng)成本[10]。
在德法聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室已發(fā)表的文獻(xiàn)中,并未對(duì)ICCOS 逆流回路作詳細(xì)分析和優(yōu)化設(shè)計(jì),只是提及在其特定系統(tǒng)中逆流能量大約比換流能量低一個(gè)數(shù)量級(jí)[6]。本文首先簡(jiǎn)要介紹了基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 電路關(guān)斷大電流的基本原理,通過(guò)對(duì)此電路的初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性。隨后說(shuō)明了對(duì)系統(tǒng)逆流回路設(shè)計(jì)的必要性,并提煉出了基本設(shè)計(jì)約束。最后通過(guò)對(duì)逆流電容值及其預(yù)充電壓大小進(jìn)行優(yōu)化分析和選取,得出了最小逆流能量直接決定于所關(guān)斷的電流大小,且受到一次直流電源電壓的影響,而與換流能量無(wú)關(guān)的結(jié)論。
基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 拓?fù)鋵TRETCH meat grinder 拓?fù)渲械闹鞴懿捎镁чl管代替IGCT,并采用ICCOS 換流技術(shù)關(guān)斷主管,其拓?fù)淙鐖D1所示。
圖1 基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 拓?fù)銯ig.1 Topology of STRETCH meat grinder with ICCOS
圖1中,除晶閘管VT3和逆流電容C2外,電路其余部分為一標(biāo)準(zhǔn)STRETCH meat grinder 電路。通 過(guò)觸發(fā)主管VT1導(dǎo)通,一次電源CS給電感L1、L2充電,在充電電流達(dá)到預(yù)定的關(guān)斷電流I0時(shí),關(guān)斷VT1。如果兩個(gè)電感是全耦合的,L1中的能量將會(huì)全部轉(zhuǎn)移到L2中,L2中的電流會(huì)急劇上升。由于L2與負(fù)載相連,負(fù)載中也就會(huì)得到急劇上升的脈沖電流。但是實(shí)際的兩電感是很難做到全耦合的,當(dāng)L1斷開時(shí),L1中的漏磁通將會(huì)試圖維持L1中的電流,從而在VT1兩端產(chǎn)生高電壓。電容C就是給電感L1提供了一條導(dǎo)電通道,使電感中的漏磁能量轉(zhuǎn)移到C1中去,從而弱化了關(guān)斷開關(guān)的電壓應(yīng)力。通過(guò)觸發(fā)VT2可將C1中的能量釋放到負(fù)載中去。
VT1的關(guān)斷利用的是ICCOS 換流原理。逆流電容C2中有預(yù)充電壓U0,晶閘管VT3、VT1、一次電源(超級(jí)電容)CS、連線電阻RS、電容C2以及負(fù)載RL和LL構(gòu)成ICCOS 逆流回路。觸發(fā)晶閘管VT3導(dǎo)通,由于逆流回路阻抗很小,產(chǎn)生快速增大的逆向電流通過(guò)主管VT1,使其總電流快速下降至維持電流以下而關(guān)斷,此時(shí)逆流電容C2上的電壓仍為正值,并且高于一次電源電壓瞬時(shí)值,從而使主管VT1承受反壓而保證其可靠關(guān)斷。
以基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 電路的仿真數(shù)據(jù)為依據(jù),在實(shí)驗(yàn)室搭建了一個(gè)電感初始儲(chǔ)能為1kJ(1kA 充電電流和2mH 總電感)的小型系統(tǒng),其總體實(shí)現(xiàn)如圖2所示。除了兩電感和負(fù)載自制外,其余器件均按照對(duì)應(yīng)仿真數(shù)據(jù)進(jìn)行選型。初步實(shí)驗(yàn)是對(duì)自制的總電感為69.2μH 的小電感(L1=31μH,L2=8.1μH,耦合系數(shù)k=0.95)系統(tǒng)的驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。一次電源采用了1.6F、160V 的超級(jí)電容,實(shí)驗(yàn)時(shí)操作程序?yàn)椋毫銜r(shí)刻,觸發(fā)主晶閘管VT1導(dǎo)通,延時(shí)t1后觸發(fā)逆流晶閘管VT3導(dǎo)通,再延時(shí)1ms 后觸發(fā)晶閘管VT2導(dǎo)通,通過(guò)改變延時(shí)t1大小或超級(jí)電容預(yù)充電壓US0來(lái)獲得不同大小的關(guān)斷電流I0。自制一小阻感負(fù)載(RL=1.4m?、LL=1.4μH)來(lái)模擬電磁軌道炮負(fù)載,用兩個(gè)羅柯夫斯基線圈分別測(cè)量充電電流和負(fù)載電流波形。實(shí)驗(yàn)中逆流電容C2選用現(xiàn)有的210.4μF、耐壓7kV 的脈沖電容器。每次實(shí)驗(yàn)前用專用直流源給C2預(yù)充一定的電壓U0。出于安全考慮,超級(jí)電容CS及電容C1和C2設(shè)置了放電回路。表1 為實(shí)驗(yàn)值與仿真值(基于Simplorer?8仿真)的對(duì)比,括號(hào)外為實(shí)測(cè)值,括號(hào)內(nèi)為仿真值。圖3為典型電流波形對(duì)比結(jié)果。
圖2 1kJ 基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 系統(tǒng)總體實(shí)現(xiàn)圖Fig.2 An implementation of a 1kJ single-stage STRETCH meat grinder with ICCOS
表1 小電感系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)值與仿真值的比較Tab.1 Comparison of experimental and simulated data forthe small inductor system
圖3 典型電流波形實(shí)驗(yàn)與仿真結(jié)果Fig.3 Typical experimental and simulated wavesforms
通過(guò)依次增大US0和t1值,實(shí)現(xiàn)了采用ICCOS換流技術(shù)對(duì)小電感STRETCH meat grinder 系統(tǒng)近1kA 充電電流的關(guān)斷。由表1 數(shù)據(jù)來(lái)看,關(guān)斷電流和負(fù)載電流的實(shí)驗(yàn)值與仿真值都存在著較大誤差,其中負(fù)載電流的誤差主要是由于L2數(shù)值較小,使得微小的回路電阻就會(huì)引起較大的一階動(dòng)態(tài)電流下降,以及受到回路中雜散電感等因素的影響,關(guān)于這一點(diǎn)將另外撰文討論。但初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果仍驗(yàn)證了理論分析的正確性。
圖4a 為ICCOS 逆流回路,逆流脈沖電流i2參考方向如圖中所示。超級(jí)電容CS兩端電壓記為uS,逆流電容C2兩端電壓記為u2。逆流脈沖的幅值及能量主要取決于逆流電容C2值及其預(yù)充電壓U0,初步實(shí)驗(yàn)中C2電容值固定(210.4μF),而U0的選取是在效仿了文獻(xiàn)[6]中實(shí)驗(yàn)時(shí)使其系統(tǒng)逆流能量大約比換流能量低一個(gè)數(shù)量級(jí)的做法的基礎(chǔ)上,盡可能取了較大值以保證可靠關(guān)斷預(yù)定電流。由于用于電磁發(fā)射的脈沖電源對(duì)于效率和體積等性能的要求較高,對(duì)逆流電容C2值及其預(yù)充電壓U0進(jìn)行理論分析和優(yōu)化選取是必要的。
圖4 ICCOS 逆流回路電感充電回路Fig.4 ICCOS and charging current circuit
從以上分析可知,對(duì)基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 電路逆流回路的優(yōu)化實(shí)質(zhì)上就是主要對(duì)C2及U0進(jìn)行優(yōu)化取值以使逆流能量盡可能小。圖5為充電電流和ICCOS 逆流脈沖波形圖,由此可提出逆流關(guān)斷的兩個(gè)基本約束:
(1)為使所需要的逆流能量盡可能小,逆流脈沖應(yīng)在盡可能短的時(shí)間內(nèi)上升至預(yù)定關(guān)斷電流值I0,記此時(shí)刻為t1。在逆流脈沖大于I0期間存在某一時(shí)刻t2,此時(shí)C2的電壓u2(t2)與一次電源電壓uS(t2)值相等。
(2)由于VT1有一定的反向恢復(fù)時(shí)間tr,為保證其可靠關(guān)斷,t2與t1的時(shí)間間隔應(yīng)不少于tr。
圖5 充電電流和逆流脈沖波形Fig.5 Waveforms of charging current and countercurrent pulse
在圖4a 的逆流回路中,基于疊加定理,當(dāng)單獨(dú)考慮逆流脈沖時(shí)應(yīng)將一次電源CS視為短路,并記R=RS+RL,可列出逆流關(guān)斷條件數(shù)學(xué)表達(dá)式為
其中
對(duì)式(4)中的uS(t2)需要說(shuō)明的是,由于以超級(jí)電容為一次電源,在圖4b 所示的電感充電回路中,當(dāng)給較大的電感L1、L2充較大電流時(shí),超級(jí)電容的電壓跌落就不能忽略,充電回路為一個(gè)二階欠阻尼電路,uS是一個(gè)隨時(shí)間變化的電壓,其求解方程與式(1)同解。
對(duì)于本文所開展的小電感初步實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)而言,CS=1.6F,其初始電壓US0=160V,RS=12m?,L1=31μH,L2=8.1μH,k=0.95,總電感Ltot=69.2μF,RL=1.4m?,LL=1.4μH,C2=210.4μF,主管VT1的反向恢復(fù)時(shí)間tr=20μs(型號(hào)為KKA2000—12,廠家盛唐電源提供),對(duì)其進(jìn)行數(shù)值計(jì)算,結(jié)果見(jiàn)表2。
表2 小電感系統(tǒng)不同U0時(shí)的最大I0(C2=210.4μF)Tab.2 The maximum ofI0under variousU0for the smallinductor system(C2=210.4μF)
從計(jì)算結(jié)果可知,對(duì)于具體的系統(tǒng)在C2值確定的前提下,不同的預(yù)充電壓U0所能關(guān)斷的最大電流I0(對(duì)應(yīng)于最大關(guān)斷能量)是可以計(jì)算的。
而對(duì)于前述基于ICCOS 的STRETCH meatgrinder 小電感系統(tǒng),C2值也不確定,圖6為關(guān)斷不同充電電流值時(shí)的(U0,C2)組合曲線,并標(biāo)出了最小逆流能量值,單位為J。為便于比較分析,典型充電電流取值與表2 中的最大可關(guān)斷電流一致。
圖6 小電感系統(tǒng)在不同I0時(shí)的(U0,C2)組合曲線Fig.6 The(U0,C2)composite curve under variousI0for the small inductor system
將圖6的計(jì)算結(jié)果列于表3。與表2 相比,相同關(guān)斷電流所需要的逆流能量更小,說(shuō)明了在C2恒定時(shí)盡管能找到不同預(yù)充電壓下的最大關(guān)斷電流,但其對(duì)應(yīng)的逆流能量并不是最小的。而且對(duì)于小電感系統(tǒng),隨著預(yù)關(guān)斷電流的增大,所需要的最小逆流能量也在增大,但逆流能量相對(duì)于關(guān)斷能量的比值在不斷減小。
表3 小電感系統(tǒng)不同I0時(shí)的最小逆流能量Tab.3 The minimum of countercurrent energyunder variousI0for the small inductor system
以超級(jí)電容作為一次電源時(shí),要求其儲(chǔ)存能量要遠(yuǎn)大于電感的充電能量。這樣才能使電感的充電時(shí)間盡可能短,從而減小對(duì)主管的電壓應(yīng)力和回路能量損耗。實(shí)際系統(tǒng)所用的1.6F、160V 的超級(jí)電容,其最大儲(chǔ)能約為20kJ。表3 中小電感系統(tǒng)各關(guān)斷電流對(duì)應(yīng)的關(guān)斷能量是遠(yuǎn)小于此值的,是符合實(shí)際應(yīng)用的。
對(duì)于較大的電感,如2mH 電感系統(tǒng),其關(guān)斷電流與表3 中小電感系統(tǒng)電流具有相當(dāng)數(shù)值時(shí),由于電感充電能量較大,則需要相應(yīng)提高超級(jí)電容的儲(chǔ)能。圖7為2mH 電感系統(tǒng)在關(guān)斷與小電感系統(tǒng)相同數(shù)值電流時(shí),逆流回路參數(shù)的優(yōu)化曲線,并標(biāo)出了最小逆流能量值,單位為J。
圖7 2mH 電感系統(tǒng)在不同I0時(shí)的(U0,C2)組合曲線Fig.7 The(U0,C2)composite curve under variousI0for 2mH inductor system
將圖7的計(jì)算結(jié)果列于表4。由表4 可以得到隨著關(guān)斷電流的增加,所需要的最小逆流能量也在增加。但是與表3 中小電感系統(tǒng)的計(jì)算數(shù)據(jù)相比,關(guān)斷能量大幅增加而所需要的最小關(guān)斷能量卻幾乎對(duì)應(yīng)不變。這說(shuō)明所需要的最小逆流能量與預(yù)關(guān)斷的電流直接相關(guān),與對(duì)應(yīng)的關(guān)斷能量是沒(méi)有關(guān)系的,表3 和表4 的最小逆流能量的差別是由于使用的超級(jí)電容不同及其給電感充電時(shí)產(chǎn)生不同的壓降所致。
表4 2mH 電感系統(tǒng)不同I0時(shí)的最小逆流能量Tab.4 The minimum of countercurrent energyunder variousI0for 2mH inductor system
在對(duì)基于ICCOS 的STRETCH meat grinder 電路理論分析和初步實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的基礎(chǔ)上,提出開展其ICCOS 逆流回路設(shè)計(jì)對(duì)可靠關(guān)斷大電流和系統(tǒng)優(yōu)化具有重要意義。逆流回路的設(shè)計(jì)關(guān)鍵是對(duì)逆流電容及其預(yù)充電壓的優(yōu)化選取,使關(guān)斷不同能級(jí)系統(tǒng)的不同電流所需要的逆流能量盡可能小。
本文提出了ICCOS 逆流回路的基本設(shè)計(jì)約束,仿真結(jié)果表明,最小逆流能量與所要關(guān)斷的能量無(wú)關(guān),而與關(guān)斷電流直接相關(guān),并因所使用的一次電源的影響而有差別。
[1]McNab I R.Developments in pulsed power technology[J].IEEE Transactions on Magnetics,2001,37(1):375-378.
[2]Kanter M,Pokrvailo A,Shaked N,et al.Factors in inductive storage system design[C].Tenth IEEE Inter- national Pulsed Power Conference,1995,1:186-191.
[3]Sitzman A,Surls D,Mallick J.Stretch Meat Grinder:a novel circuit topology for reducing opening switch voltage stress[C].Proceedings of 13th IEEE International Pulsed Power Conference,Monterey,CA,2005:493-496.
[4]Sitzman A,Surls D,Mallick J.Design,construction,and testing of an inductive pulsed-power supply for a small railgun[J].IEEE Transactions on Magnetics,2007,43(1):270-274.
[5]Sitzman A,Surls D,Mallick J.Modification and testing of a battery-inductor repetitive pulsed power supply for a small railgun[C].2007 IEEE Pulsed Power Conference,Albuquerque,2007:1793-1798.
[6]Scharnholz S,Brommer V,Buderer G,et al.High- power MOSFETs and fast-switching thyristors utilized as opening switches for inductive storage systems[J].IEEE Transactions on Magnetics,2003,39(1):437-441.
[7]Dedie P,Brommer V,Scharnholz S.Experimental realization of an eight-stage XRAM generator based on ICCOS semiconductor opening switches fed by a magnetodynamic storage system[J].IEEE Transactions on Magnetics,2009,45(1):266-271.
[8]Dedie P,Brornmer V,Scharnholz S.ICCOS counter- current-thyristor high-power opening switch for currents up to 28 kA[J].IEEE Transactions on Magnetics,2009,45(1):536-539.
[9]Dedie P,Brommer V,Scharnholz S.Twenty-stage toroidal XRAM generator switched by countercurrent thyristors[J].IEEE Transactions on Plasma Science,2011,39(1):263-267.
[10]Yu Xinjie,Chu Xiangxiang.STRETCH meat grinder with ICCOS[C].IEEE Transactions on Plasma Science,2013,41(5):1346-1351.