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        基于菌紫質(zhì)薄膜的相移器及其應(yīng)用

        2015-05-29 09:20:46楊晨曉韓俊鶴姚保利李若平黃明舉
        應(yīng)用光學(xué) 2015年4期
        關(guān)鍵詞:波片圖樣偏振

        楊晨曉,韓俊鶴,姚保利,李若平,黃明舉

        (1.河南大學(xué) 物理與電子學(xué)院,河南 開(kāi)封475004;2.中國(guó)科學(xué)院 西安光學(xué)精密機(jī)械研究所 瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西 西安710119)

        引言

        相移干涉計(jì)量最早由Bruning等提出[1],他把通信中的同步相位探測(cè)技術(shù)引入光學(xué)干涉計(jì)量中,是光學(xué)干涉計(jì)量技術(shù)的一個(gè)重大發(fā)展。相移干涉計(jì)量的基本原理是在干涉儀的物光和參考光之間引入有序的相移(相位差),從而形成一系列干涉圖樣。同時(shí),用電荷耦合器件(CCD)對(duì)干涉圖進(jìn)行采樣,把光強(qiáng)分布圖樣轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào),存儲(chǔ)到計(jì)算機(jī)內(nèi),并由計(jì)算機(jī)按照一定的數(shù)學(xué)模型對(duì)干涉圖樣進(jìn)行重建,求出待測(cè)物體的相位分布。由于相移干涉計(jì)量是基于光學(xué)相減原理,因此能夠很好地抑制背景噪聲,提高再現(xiàn)像的信噪比。經(jīng)過(guò)近40年的發(fā)展,相移干涉測(cè)量已經(jīng)成為干涉計(jì)量中一種重要的方法,并被廣泛應(yīng)用于物體表面形變的測(cè)量[2-3]、薄膜的厚度測(cè)量[4]、復(fù)合材料的無(wú)損檢測(cè)[5]、醫(yī)學(xué)細(xì)胞分析[6]、光學(xué)元件缺陷的檢測(cè)[7]和振動(dòng)分析[8]等領(lǐng)域。與其他測(cè)量技術(shù)相比,相移干涉測(cè)量具有一些明顯的優(yōu)點(diǎn)[9-11],如:測(cè)量速度快、精度高、再現(xiàn)像的質(zhì)量不受干涉條紋的空間位置、形狀和強(qiáng)度分布等因素影響等。

        在相移干涉計(jì)量中,常采用壓電陶瓷器件移動(dòng)反射鏡或光柵來(lái)改變光束的相位[12-13],即實(shí)現(xiàn)相移。但壓電陶瓷器件自身的非線性和磁滯現(xiàn)象會(huì)使相移出現(xiàn)誤差[13-15],這會(huì)導(dǎo)致測(cè)量精度下降。旋轉(zhuǎn)波片也可以用來(lái)改變光束的相位,但旋轉(zhuǎn)波片的過(guò)程中會(huì)把震動(dòng)帶入干涉裝置,從而降低測(cè)量結(jié)果的精度。本文介紹了一種基于菌紫質(zhì)光致各向異性原理的新型相移器,利用瓊斯矩陣對(duì)其工作原理進(jìn)行分析,并通過(guò)四步相移干涉實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了相移器的可行性。由于該相移器在使用過(guò)程中不需要機(jī)械操作干涉裝置的任何部件,只需要改變相移器誘導(dǎo)光的偏振方向就可以實(shí)現(xiàn)相移。因此,它既可以克服由壓電陶瓷器件的非線性和磁滯現(xiàn)象引起的實(shí)驗(yàn)誤差,也可以克服機(jī)械運(yùn)動(dòng)引起的振動(dòng),對(duì)提高相移干涉計(jì)量的精度具有重要意義。

        1 實(shí)驗(yàn)裝置

        實(shí)驗(yàn)用的菌紫質(zhì)薄膜由德國(guó)Marburg大學(xué)制備[16]。它是從基因定點(diǎn)突變的嗜鹽菌中提取出的紫膜經(jīng)蔗糖梯度法純化和超聲波破碎后,摻雜到聚乙烯醇中,然后密封到兩片平行的光學(xué)玻璃中間形成。菌紫質(zhì)薄膜的厚度約80μm,直徑19 mm。B態(tài)的吸收峰在570nm,M態(tài)的吸收峰在410nm,室溫下 M 態(tài)的壽命τM=300s[17]。

        圖1 實(shí)驗(yàn)裝置Fig.1 Experimental setup

        相移干涉的實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示,它是在Mach-Zender干涉儀的基礎(chǔ)上搭建起來(lái)的。Mach-Zender干涉儀的光源是一個(gè)波長(zhǎng)為632.8 nm的連續(xù)He-Ne激光。相位控制部分的光源是一個(gè)輸出波長(zhǎng)為488nm的連續(xù)Ar+激光器。He-Ne激光器和Ar+激光器輸出的均為沿x軸(豎直)方向的線偏振光。He-Ne激光器的輸出光經(jīng)擴(kuò)束器BE擴(kuò)束后,再通過(guò)一個(gè)快軸方向與x軸方向夾角為45°的四分之一波片Q,變?yōu)閳A偏振光。圓偏振光經(jīng)過(guò)偏振分光棱鏡PBS后,被分成兩束相互正交的線偏振光。其中一個(gè)參考光,偏振方向沿x軸方向;另一個(gè)是物光,偏振方向沿y軸方向。參考光通過(guò)一個(gè)快軸與x軸成45°角的四分之一波片Q1后,進(jìn)入菌紫質(zhì)薄膜。透射菌紫質(zhì)薄膜的光通過(guò)一個(gè)快軸與Q1正交的四分之一波片Q2后,到達(dá)偏振片P,P的透振方向沿y軸方向。分光棱鏡PS把經(jīng)過(guò)放大系統(tǒng)的物光和參考光重新合并在一起。相位物體O是陣列大小為10mm×10mm×1.2mm的微透鏡陣列,它位于放大系統(tǒng)的物平面上,像O′位于放大系統(tǒng)的像平面上。放大系統(tǒng)像平面上的干涉圖樣被一個(gè)4倍物鏡放大后成像在CCD靶面上。CCD靶面尺寸為4.8 mm×3.2mm,像素為768pix(水平)×512pix(垂直),像素尺寸為6.2μm×6.2μm。另外,BE是擴(kuò)束鏡,A是連續(xù)可調(diào)的中性衰減片,M是全反鏡,W是488nm的半波片,BS是消偏振分光棱鏡。

        2 理論分析

        按圖1所示的實(shí)驗(yàn)光路,在直角坐標(biāo)系內(nèi),振動(dòng)方向沿y軸的物光O和振動(dòng)方向沿x軸的參考光R的瓊斯矢量和為

        式中E0是常數(shù)??燧S相互垂直的2個(gè)四分之一波片Q1和Q2的瓊斯矩陣M1和M2可以寫(xiě)成:

        透振方向沿y軸的偏振片P的瓊斯矩陣M3可以寫(xiě)為

        無(wú)光照時(shí),菌紫質(zhì)薄膜呈現(xiàn)宏觀的各向同性;在線偏振光的照射下,菌紫質(zhì)薄膜內(nèi)產(chǎn)生光致各向異性[18-19]。光致各向異性包括光致雙折射和光致二向色性。菌紫質(zhì)薄膜同時(shí)具有這兩種性質(zhì),對(duì)菌紫質(zhì)薄膜來(lái)說(shuō),在其B態(tài)吸收峰處,光致二向色性占主導(dǎo)地位;在遠(yuǎn)離吸收峰處,光致雙折射占主導(dǎo)地位[20-21]。波長(zhǎng)為632.8nm 的紅光遠(yuǎn)離菌紫質(zhì)薄膜B態(tài)和M態(tài)的吸收峰,故在632.8nm處,菌紫質(zhì)薄膜中光致雙折射占主導(dǎo)地位,光致二向色性可以忽略。此時(shí),各向異性菌紫質(zhì)薄膜的瓊斯矩陣可以寫(xiě)為[22-23]

        式中:φ是線偏振誘導(dǎo)光的偏振方向和x軸之間的夾角;Γ是沿平行和垂直于線偏振誘導(dǎo)光偏振方向間的相位延遲。

        在物光和參考光的傳播過(guò)程中,除波片和菌紫質(zhì)薄膜外其他部分產(chǎn)生的相位延遲和振幅衰減不影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果,因此可以忽略光束傳播這些過(guò)程中產(chǎn)生的常數(shù)相位因子和能量損失。在放大系統(tǒng)的像平面(xo,yo)上,物光和參考光的瓊斯矢量EoO和EoR為

        式中,O =exp[iφ(x,y)]為待檢測(cè)的相位物體;φ(x,y)為待檢測(cè)物體的相位分布。

        由(5)式,可以得到物光和參考光在放大系統(tǒng)的像平面上形成的干涉圖樣的強(qiáng)度分布I(xo,yo),即式中I0= 2E20(3-cosΓ),V = sin(Γ/2)/(3-cosΓ)。I0和V的值由振動(dòng)方向平行和垂直于誘導(dǎo)光軸方向的偏振光的相位差Γ決定。若線偏振誘導(dǎo)光(488nm)的光強(qiáng)不變,菌紫質(zhì)薄膜光致各向異性的穩(wěn)定值不變[18,21],Γ 的值也不變。此時(shí)干涉條紋的分布與待測(cè)物體的相位分布及誘導(dǎo)光的偏振取向和x軸方向之間的夾角φ有關(guān)。待測(cè)物體的相位分布確定后,干涉條紋的分布僅與φ有關(guān)。因此,通過(guò)調(diào)節(jié)誘導(dǎo)光的偏振取向和x軸方向之間的夾角φ,可以調(diào)節(jié)物光和參考光之間的相位差,從而實(shí)現(xiàn)相移干涉。

        3 結(jié)果與討論

        為了證明基于菌紫質(zhì)薄膜光致各向異性原理的相移器的可行性,我們用圖1所示的實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)。首先測(cè)試了不加任何待測(cè)物體時(shí)裝置本身的四步相移干涉圖樣,按四步相移干涉原理[24],用CCD分別記錄4幅干涉圖,且每記錄一幅干涉圖后,將誘導(dǎo)光的偏振方向沿順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)45°,以保證相鄰的2幅干涉圖之間的相移量Δφ為90°,結(jié)果如圖2所示。圖中每幅干涉圖的真實(shí)尺寸為4.8mm×3.2mm,即CCD的靶面尺寸。為了方便觀察,我們將圖2(a)與圖2(c)的同一位置的灰度值和圖2(a)和圖2(b)同一位置的灰度值進(jìn)行比較,得到如圖3所示的灰度曲線對(duì)比圖。從圖3(a)可以看出,CCD記錄的干涉條紋在同一位置的灰度值確實(shí)發(fā)生了變化,且當(dāng)488nm的誘導(dǎo)光的偏振方向轉(zhuǎn)動(dòng)90°(相移量為180°)時(shí),圖3(a)中兩條灰度曲線的峰值與峰谷值相互對(duì)應(yīng);當(dāng)488nm的誘導(dǎo)光的偏振方向轉(zhuǎn)動(dòng)45°(相移量為90°)時(shí),圖3(b)中兩條灰度曲線的峰值與峰谷值發(fā)生四分之一周期的偏移。這和第3部分的理論分析是一致的,進(jìn)一步表明基于菌紫質(zhì)薄膜光致各向異性原理的相移器是可行的??闯觯瑘D4(b),4(c)和4(d)相對(duì)于圖4(a)的相移分別為90°,180°和270°。

        圖3 灰度曲線對(duì)比圖Fig.3 Contrast of gray scale curves

        圖4 利用四步相移法得到的干涉圖樣Fig.4 Interferograms obtained with four-step phase-shifting interferometry

        圖2 裝置本身的四步相移干涉圖Fig.2 Four-step phase-shifting interferograms of setup without objects

        接下來(lái)我們用一個(gè)尺寸為10mm×10mm×1.2mm,鍍400nm~900nm增透膜,節(jié)距P=300μm,焦距F=18.6mm 的 MLA300-14AR-M型微透鏡陣列(MLA)作為相位物體進(jìn)行四步相移干涉實(shí)驗(yàn)。4幅干涉圖如圖4所示。從圖4可以

        圖5 重建結(jié)果Fig.5 Reconstructed phase distribution

        用基于四步相移的最小二乘法對(duì)圖2和圖4的相移干涉圖樣進(jìn)行相位重建[25],得到如圖5所示的相位分布。圖5(a)是沒(méi)有放置待測(cè)樣品時(shí)實(shí)驗(yàn)裝置本身的相位分布;圖5(b)是放置待測(cè)樣品后得到的整個(gè)實(shí)驗(yàn)裝置的相位分布。圖5(b)的相位分布減去圖5(a)的相位分布,就可以得到待測(cè)微透鏡陣列的實(shí)際相位分布,結(jié)果如圖5(c)所示。從圖3和圖5的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出,用基于菌紫質(zhì)薄膜光致各向異性的相移器可以實(shí)現(xiàn)相移控制,并在實(shí)際的相移干涉實(shí)驗(yàn)中得到較好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

        4 結(jié)論

        菌紫質(zhì)薄膜的光致各向異性特性由線偏振誘導(dǎo)光的偏振取向決定的。因此,通過(guò)調(diào)節(jié)線偏振誘導(dǎo)光的偏振取向,可以控制其光致各向異性特性,進(jìn)而改變經(jīng)過(guò)菌紫質(zhì)薄膜的圓偏振光的偏振特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)圓偏振光的調(diào)制?;诰腺|(zhì)薄膜這種特性設(shè)計(jì)了一種新型相移器。把該相移器用于相移干涉計(jì)量時(shí),在實(shí)驗(yàn)中不需要移動(dòng) Mach-Zender干涉儀內(nèi)部的任何部件,僅需要改變外部控制光路中線偏振誘導(dǎo)光的偏振取向就可以調(diào)節(jié)參考光的相位。因此,該相移器可以提高干涉儀的抗振動(dòng)能力,有利于提高測(cè)量精度。四步相移干涉實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種相移器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便、結(jié)果可靠的特點(diǎn),適合進(jìn)行相移干涉測(cè)量。

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