摘 要:晶體硅太陽(yáng)電池的出現(xiàn),為人們生活提供了新的便利,但是這種電池在使用中也存在一定缺陷。該文主要對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池缺陷進(jìn)行分析,總結(jié)了晶體硅太陽(yáng)電池的缺陷分類評(píng)價(jià)體系,從體系標(biāo)準(zhǔn)和缺陷類型的角度,列出常見(jiàn)的缺陷判定方法,然后對(duì)兩種典型缺陷進(jìn)行分析,主要有邊緣漏電和裂紋,通過(guò)這種方式能夠使相關(guān)人員更加快捷的掌握電池的具體情況,采取相應(yīng)措施,確保晶體硅太陽(yáng)電池的問(wèn)題能夠得到及時(shí)的修復(fù),解決存在的隱患,讓晶體硅太陽(yáng)電池在使用中更加安全。
關(guān)鍵詞:晶體硅 太陽(yáng)電池 電池缺陷
中圖分類號(hào):TM914.4 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1674-098X(2015)04(b)-0216-01
太陽(yáng)能是世界的新型能源,晶體硅太陽(yáng)電池技術(shù)在科技發(fā)展的推動(dòng)下得到了迅猛的發(fā)展。目前,在生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)中,因?yàn)橹谱髑闆r和材料的原因,該電池會(huì)產(chǎn)生一定缺陷,下面針對(duì)晶體硅的太陽(yáng)電池缺陷進(jìn)行分析,并總結(jié)如下。
1 晶體硅太陽(yáng)電池缺陷分類評(píng)價(jià)體系
晶體硅太陽(yáng)電池有很多缺陷,相關(guān)人員為了更好的分析這種缺陷和產(chǎn)生原因,應(yīng)采取多種分析手段,并建立一個(gè)有效的檢測(cè)體系和檢測(cè)程序,總結(jié)缺陷分類評(píng)價(jià)體系,從而更好在生產(chǎn)廠商和科研機(jī)構(gòu)推廣。
1.1 體系標(biāo)準(zhǔn)
首先要根據(jù)缺陷的名稱和造成缺陷的原因?yàn)槿毕菝嚓P(guān)人員要在測(cè)試中明確這種缺陷的主要表現(xiàn),從而使使用該體系的人員能夠更加快捷的確定這種缺陷的類型。缺陷的形成機(jī)理與生產(chǎn)工藝過(guò)程有關(guān),這些過(guò)程能為其提供合理的解釋[1]。相關(guān)人員要在缺陷的危險(xiǎn)程度進(jìn)行分析,并整合這種缺陷對(duì)電池性能以及其他方面的危害程度,在這種情況下,相關(guān)人員要也記錄號(hào)缺陷出現(xiàn)的頻率,其指標(biāo)也要隨著樣本的增長(zhǎng)而不斷更新。相關(guān)人員分析完晶體硅太陽(yáng)電池存在的缺陷,要總結(jié)缺陷機(jī)理,提出規(guī)范合理的復(fù)返建議。相關(guān)人員應(yīng)根據(jù)缺陷的影響程度和面積大小,分析其是否具有一定回復(fù)力,然后對(duì)缺陷太陽(yáng)電池的回收價(jià)值進(jìn)行評(píng)估。
相關(guān)人員為了更好進(jìn)行實(shí)際操作,應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注危害程度、缺陷出現(xiàn)頻率和回收價(jià)值,充分整合這些內(nèi)容,進(jìn)行分級(jí)。在這種分級(jí)中,要以缺陷面積為主要對(duì)象,然后計(jì)算出缺陷面積的比例,并定義其大小,面積在90%以上為大,面積比例在60%~90%為較大,面積比例在30%~60%為中,面積在5%~30%為較小,面積比例小于5%為小。
1.2 缺陷類型
在研究中發(fā)現(xiàn),晶體硅太陽(yáng)電池主要有12種缺陷類型,其具體內(nèi)容如以下幾點(diǎn)。
(1)邊緣漏電:晶體硅太陽(yáng)電池有刻邊或背結(jié)不完善,電池邊緣與背面的擴(kuò)散層有一定連接,容易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象[2]。
(2)漿料污染:在印刷過(guò)程中,鋁漿或背銀會(huì)散落在電池正面,導(dǎo)致燒結(jié),從而造成漏電。
(3)雜質(zhì)污染:在電池應(yīng)用過(guò)程中,其工藝生產(chǎn)會(huì)導(dǎo)致非漿雜質(zhì)依附在電池表面,導(dǎo)致漏電。
(4)前電極燒結(jié)過(guò)度:這種缺陷出現(xiàn)的原因,主要是電極金屬過(guò)于深入發(fā)射極造成的,所以引發(fā)漏電反應(yīng)。
(5)發(fā)射極破損:電池應(yīng)用失誤會(huì)導(dǎo)致摩擦出現(xiàn),在在電池表面留下劃痕,影響發(fā)射極的整體性能,出現(xiàn)漏電。
(6)掛鉤點(diǎn):在電池應(yīng)用中,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積,然后在掛鉤點(diǎn)區(qū)域造成SIN確實(shí),從而使電極燒結(jié)過(guò)程中出現(xiàn)燒穿,導(dǎo)致漏電。
(7)斷柵:因?yàn)橛∷⒑凸杵螤畈患训膯?wèn)題造成缺陷,從而導(dǎo)致細(xì)柵局部不連續(xù)。
(8)背場(chǎng)缺陷:電池的鋁背場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)肉眼可見(jiàn)的異常區(qū)域,其面積較大,這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電池性能降低。
(9)網(wǎng)帶?。涸谶M(jìn)行燒結(jié)時(shí),因?yàn)榫W(wǎng)帶污染和異常的溫度,EL圖中,電池出現(xiàn)與網(wǎng)帶形狀相同的背場(chǎng)缺陷低效區(qū)域一致[3]。
(10)裂紋:在生產(chǎn)硅片和制造電池的工藝,會(huì)出現(xiàn)多種裂紋和微裂紋,這種現(xiàn)象在金屬電極的作用狹隘,會(huì)導(dǎo)致漏電,甚至擊穿。
(11)無(wú)p-n結(jié):因?yàn)椴僮魇д`,所以電池沒(méi)有形成有效的p-n結(jié)。
(12)電極接觸不良:因?yàn)闊Y(jié)問(wèn)題,在電池的前電極和發(fā)射極之間出現(xiàn)接觸不良的現(xiàn)象,電阻串聯(lián)的可能較高。
2 晶體硅太陽(yáng)電池缺陷的典型分析
2.1 邊緣漏電
經(jīng)過(guò)測(cè)試可知,邊緣漏電這種缺陷的主要特征有:在紅外線的熱像測(cè)試中,電池在加壓后其邊緣會(huì)出現(xiàn)明顯的發(fā)熱現(xiàn)象[4]。這種缺陷的主要原因是生產(chǎn)電池時(shí),操作不當(dāng)或不穩(wěn)定,進(jìn)而導(dǎo)致電池邊緣的p-n結(jié)蝕不完全。電池的邊緣漏電會(huì)明顯降低電池的工作效率,并使電池邊緣發(fā)熱,減少其他組件的工作效率和壽命。這種缺陷在缺陷檢測(cè)中出現(xiàn)的幾率較低,所以能夠通過(guò)在生產(chǎn)中進(jìn)行規(guī)范化操作改善。工作人員如果發(fā)現(xiàn)這種缺陷,可以通過(guò)劃片切割等方式進(jìn)行回收處理,確保電池能夠恢復(fù)正常操作水平。
2.2 裂紋
電池片中的裂紋主要有兩種:一種是肉眼可見(jiàn)的顯裂紋;另一種為肉眼不可見(jiàn)的微裂紋。在本次測(cè)試中出現(xiàn)的都是微裂紋,顯裂紋出現(xiàn)的幾率較低。裂紋的主要測(cè)試特征有:在顯微鏡下能夠看到寬度為微米級(jí)的裂痕,這種裂縫在圖像中為一種發(fā)暗的細(xì)線;這種裂紋與電極相交可能會(huì)導(dǎo)致漏電,并形成熱點(diǎn),這些熱點(diǎn)導(dǎo)致電極擊穿變形現(xiàn)象的出現(xiàn)。
裂紋會(huì)造成很多危害,例如致使電池容易破碎,尤其在傳送過(guò)程中,電池非常容易出現(xiàn)損壞。相關(guān)人員應(yīng)重視金屬電極的交會(huì)處,避免漏電現(xiàn)象出現(xiàn),防止漏電現(xiàn)象出現(xiàn),導(dǎo)致電池的性能降低。一旦出現(xiàn)漏電,電池會(huì)集中發(fā)熱,溫度較高,所以在制作組建過(guò)程中,要盡量避免采用那些帶有微裂紋的電池片。但是微裂紋這種缺陷的出現(xiàn)頻率較高,且在電池生產(chǎn)中很難控制。相關(guān)人員可以通過(guò)降低電池在生產(chǎn)中的碰撞和振動(dòng)實(shí)現(xiàn)。裂紋的寬度在毫米、厘米等范圍浮動(dòng),沒(méi)有準(zhǔn)確的范圍和數(shù)量。針對(duì)裂紋這種缺陷缺乏有效的處理手段,但是針對(duì)裂紋與電極交會(huì)的漏電缺陷,能夠通過(guò)激光隔離或是化學(xué)腐蝕等方式進(jìn)行處理,所以得出裂紋類缺陷的回收價(jià)值較低。
3 結(jié)語(yǔ)
通過(guò)上文對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池缺陷分析,可以得知,目前已經(jīng)初步建立了缺陷分析檢測(cè)體系,然后對(duì)這類缺陷進(jìn)行整理,確保相關(guān)人員能夠快速識(shí)別晶體硅太陽(yáng)電池的缺陷,采取有效措施進(jìn)行處理,提高其回收利用率。
參考文獻(xiàn)
[1]陳偉,賈銳,張希清,等.晶體硅太陽(yáng)電池表面鈍化技術(shù)[J].微納電子技術(shù),2011(2):164-165.
[2]王學(xué)孟,葉子銳,沈輝,等.晶體硅太陽(yáng)電池缺陷檢測(cè)與分類評(píng)價(jià)體系[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展,2013(3):115-116.
[3]李濤,周春蘭,趙雷.激光摻雜制備晶體硅太陽(yáng)電池研究進(jìn)展[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào),2011(12):136-137.
[4]韓涵,黃國(guó)華,趙偉,等.晶體硅太陽(yáng)電池室外發(fā)電性能實(shí)測(cè)與分析[J].太陽(yáng)能學(xué)報(bào),2013(4):109-110.