三星850 Pro 256GB的外觀與上代的840 Pro還是很相似的，拆開(kāi)SSD的外殼，可以看到硬盤的PCB做得很小，芯片排列非常緊湊，4顆芯片幾乎占據(jù)了PCB正面的絕大部分空間，其背面則安排的是兩顆閃存和供電芯片。三星850 Pro所用的主控與840 EVO一樣是MEX，內(nèi)置一顆三核ARM Cortex-R4處理器，主頻為400MHz，它所配的緩存是512MB的LPDDR2，當(dāng)然也是三星自家的產(chǎn)品。

三星850 Pro 256GB的閃存采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND，而且還用了兩種不同容量的閃存混搭而成，正面的兩顆型號(hào)是K9PRGY8S7M，背面兩顆的型號(hào)是K9HQGY8S5M，前者容量 86GB，內(nèi)部8CE，后者容量43GB，總?cè)萘?58GB，造成這樣原因是86Gbit這奇怪的Die Size。至于為什么Die Size是這么奇特的86Gbit，這主要是因?yàn)?6Gbit剛好是128Gbit的三分之二，事實(shí)上，三星的第二代40nm MLC V-NAND其實(shí)就是讓TLC模擬成MLC來(lái)使用，讓顆粒的性能與壽命接近與真正的MLC。

當(dāng)然了用TLC來(lái)模擬MLC這并沒(méi)有什么不好，只要閃存的性能和耐久性和MLC一樣就完全沒(méi)有問(wèn)題，而根據(jù)Anandtech的測(cè)試，三星850 Pro使用的V-NAND閃存的P/E壽命就是6000次，相比目前的2D閃存3000次的P/E壽命來(lái)說(shuō)提升了一倍。