ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

日前，ROHM宣布成為世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiCMOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。

與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiCMOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。

到目前為止，溝槽結(jié)構(gòu)困在SiC-MOSFET中采用可有效降低導(dǎo)通電阻而備受關(guān)注，但為了確保元器件的長期可靠性，需要設(shè)計能夠緩和Gate Trench部分產(chǎn)生的電場的結(jié)構(gòu)。

此次，ROHM通過采用獨創(chuàng)的結(jié)構(gòu)，成功地解決了該課題，并世界首家實現(xiàn)了采用溝槽結(jié)構(gòu)的 SiCMOSFET的量產(chǎn)。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻可降低約50%，同時還提高了開關(guān)性能（輸入電容降低約35%）。

近年來，在全球范圍尋求解決供電問題的大背景下，涉及到如何有效地輸送并利用所發(fā)電力的“功率轉(zhuǎn)換”備受關(guān)注。SiC功率器件作為可顯著減少這種功率轉(zhuǎn)換時的損耗的關(guān)鍵器件而備受矚目。ROHM一直在進行領(lǐng)先行業(yè)的相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)，于2010年成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并在持續(xù)推進可進一步降低功率損耗的元器件開發(fā)。

此次，采用可最大限度發(fā)揮 SiC特性的溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET在全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)，其成功意義非常巨大，是劃時代的里程碑。該SiC-MOSFET是兼?zhèn)錁O其優(yōu)異的低損耗特性與高速開關(guān)特性的最高性能的功率晶體管，功率轉(zhuǎn)換時的效率更高，可″毫無浪費″地用電，其量產(chǎn)將為太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源等所有設(shè)備進一步實現(xiàn)節(jié)能化、小型化、輕量化做出貢獻。

另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co.，Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京都市)。

(AET Tiger)