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        安森美半導(dǎo)體和Transphorm推出600VGaN晶體管

        2015-03-25 14:59:17

        安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm,先前宣布雙方建立了合作關(guān)系,把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場(chǎng),近日又宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600VGaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W 參考設(shè)計(jì)。

        NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS),導(dǎo)通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ,采用優(yōu)化的TO-220封裝,易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)評(píng)估板為客戶提供完整的參考設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)和評(píng)估他們的電源設(shè)計(jì)中的GaN 共源共柵晶體管。該評(píng)估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+千赫茲(kHz)運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn),而且能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請(qǐng)從安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站獲取。

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